脉冲激光用于钙钛矿CsPbBr_(3)半导体中载流子输运性能表征

钙钛矿半导体具有优异的光电性能,被认为是新一代室温核辐射探测半导体。准确测定其载流子输运性能对于获得高性能钙钛矿半导体核辐射探测器至关重要。该文发展了以脉冲激光为激发源的钙钛矿半导体载流子输运性能表征方法。基于所制备的Au/CsPbBr_(3)/Bi器件,将脉冲激光由阳极面入射,并采集探测器阴极的脉冲信号,通过不同偏压下脉冲信号的上升时间及幅值分布,拟合得到CsPbBr_(3)半导体中空穴载流子的迁移率μh为11.78 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),迁移率寿命积μτh为2.82×10^(-3)cm^(2)·V^(-1),与传统以241Amα粒子为激发源的表征结果相当。该工作证明了以脉冲激光为激发源表征钙钛矿半导体的输运性能的可行性。基于CsPbBr_(3)半导体较好的载流子输运性能,该探测器表现出良好的γ射线探测性能,对57Co@122 keVγ射线的能量分辨率为8.5%。