Se化Cu_2In_2O_5法制备CuInSe_2薄膜的机理及性能研究

黄铜矿型CuInSe2 (CIS)多晶薄膜具有优良的光伏特性。在对现有制备工艺进行对比分析的基础上 ,首次采用sol-gel法制备了Cu2 In2 O5(CIO)薄膜 ,经Se化获得了结构均匀、表面平整、组成接近于化学计量比的CIS薄膜 ,其电阻率介于 10 5～ 10 6Ω·cm之间 ,与国外采用其它高成本工艺制备的薄膜性能相当。基于上述实验 ,对Se化CIO法制备CIS半导体薄膜的机理及材料的光伏性能进行了分析。