期刊文献+
共找到34篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
Enhanced adhesion of Cu-W thin films by ion beam assisting bombardment implanting 被引量:2
1
作者 周灵平 汪明朴 +5 位作者 王瑞 李周 朱家俊 彭坤 李德意 李绍禄 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 2008年第2期372-377,共6页
Cu-W thin film with high W content was deposited by dual-target DC-magnetron co-sputtering technology.Effects of the substrates surface treating technique on the adhesive strength of Cu-W thin films were studied.It is... Cu-W thin film with high W content was deposited by dual-target DC-magnetron co-sputtering technology.Effects of the substrates surface treating technique on the adhesive strength of Cu-W thin films were studied.It is found that the technique of ion beam assisting bombardment implanting of W particles can remarkably improve the adhesive property of Cu-W thin films. Indentation and scratching test show that,the critical load is doubled over than the sample only sputter-cleaned by ion beam.The enhancing mechanism of ion beam assisting bombardment implanting of Cu-W thin films was analyzed.With the help of mid-energy Ar+ion beam,W atoms can diffuse into the Fe-substrate surface layer;Fe atoms in the substrate surface layer and W atoms interlace with one another;and microcosmic mechanical meshing and diffusing combination on atom-scale among the Fe and W atoms through the film/substrate interface can be formed.The wettability and thermal expansion properties of the W atoms diffusion zone containing plentiful W atoms are close to those of pure W or W-based Cu-W film. 展开更多
关键词 薄膜 离子 磁电管
下载PDF
镶嵌靶磁控溅射Cu-W薄膜的结构与力学性能
2
作者 郭中正 闫万珺 +3 位作者 张殿喜 杨秀凡 蒋宪邦 周丹彤 《材料保护》 CAS CSCD 2024年第3期166-174,共9页
为研究W含量对Cu-W薄膜的结构与力学性能的影响,用磁控溅射工艺制备Cu-W薄膜,靶材为镶嵌组合型。薄膜的成份、结构、表面形貌分别选用能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)进行表... 为研究W含量对Cu-W薄膜的结构与力学性能的影响,用磁控溅射工艺制备Cu-W薄膜,靶材为镶嵌组合型。薄膜的成份、结构、表面形貌分别选用能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)进行表征。薄膜屈服强度σ_(0.2)和裂纹萌生临界应变ε_(c)、弹性模量E及显微硬度H分别用微小力测试系统和纳米压痕仪进行测试。结果表明,调整W靶的面积占比即可控制薄膜成分,当W靶的面积占比从5%增至25%时,Cu-W薄膜的W含量(原子分数)从2.30%逐渐提高到15.10%,且薄膜中存在fcc Cu(W)亚稳准固溶体。随W含量的增加,Cu-W薄膜的平均晶粒尺寸从28 nm逐渐减小至18 nm,准固溶度从1.30%(原子分数)W逐渐增至9.50%W,薄膜的表面光洁度提高。随W含量的增加,Cu-W薄膜的屈服强度σ_(0.2)和显微硬度H提高较为明显,弹性模量E稍有增加,而裂纹萌生临界应变ε_(c)则减小。Cu-15.10%W薄膜具有最小的平均晶粒尺寸和最高的表面光洁度,其屈服强度、硬度及弹性模量值最高(σ_(0.2)=0.86 GPa、H=6.1 GPa、E=123.5 GPa),裂纹萌生临界应变ε_(c)值为0.84%,综合力学性能最好。 展开更多
关键词 磁控溅射 cu-w薄膜 结构 力学性能
下载PDF
组合靶共溅射沉积Cu-W复合薄膜的结构与性能
3
作者 郭中正 闫万珺 +3 位作者 张殿喜 杨秀凡 蒋宪邦 周丹彤 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第4期38-45,共8页
用嵌入组合型靶材,采用磁控共溅射方法,在单晶硅和聚酰亚胺衬底上制备Cu-W复合薄膜。分别运用能谱仪、X射线衍射仪、扫描电镜和原子力显微镜对Cu-W复合薄膜的成份、结构及表面形貌进行分析表征。选用微小力测试系统、纳米压痕仪及四探... 用嵌入组合型靶材,采用磁控共溅射方法,在单晶硅和聚酰亚胺衬底上制备Cu-W复合薄膜。分别运用能谱仪、X射线衍射仪、扫描电镜和原子力显微镜对Cu-W复合薄膜的成份、结构及表面形貌进行分析表征。选用微小力测试系统、纳米压痕仪及四探针仪分别测试复合薄膜的屈服强度σ_(0.2)和裂纹萌生临界应变ε_(c)、显微硬度H及电阻率ρ。结果表明:可通过调整组合型靶材环状溅射刻蚀区内W靶所占的面积比,有效地调控复合薄膜的W含量。随W靶的面积占比从6%增至30%,Cu-W复合薄膜的W含量从2.6 at.%增至16.9 at.%。W在Cu中的固溶度延展,复合膜内存在面心立方(fcc)Cu(W)亚稳固溶体,随复合膜中W含量增加,W在Cu中的固溶度从1.7 at.%W增至10 at.%W,复合膜的平均晶粒从32 nm减小至16 nm,表面光洁度提高。W含量增加时,复合膜的屈服强度σ_(0.2)、显微硬度H及电阻率ρ增加,而裂纹萌生临界应变ε_(c)减小。 展开更多
关键词 组合靶 共溅射 cu-w复合薄膜
下载PDF
磁控共溅射W-Cu复合薄膜的工艺优化及性能研究
4
作者 郭中正 闫万珺 +3 位作者 张殿喜 杨秀凡 蒋宪邦 周丹彤 《当代化工研究》 CAS 2024年第11期160-163,共4页
采用磁控共溅射沉积工艺,结合正交试验方法制备W-Cu复合薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)观察W-Cu复合薄膜表面形貌,能谱仪(EDS)分析复合薄膜成分。微小力测试系统、纳米压痕仪及四探针仪分别测试复合薄膜的屈服强度σ_(0.2)、裂纹萌生临界... 采用磁控共溅射沉积工艺,结合正交试验方法制备W-Cu复合薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)观察W-Cu复合薄膜表面形貌,能谱仪(EDS)分析复合薄膜成分。微小力测试系统、纳米压痕仪及四探针仪分别测试复合薄膜的屈服强度σ_(0.2)、裂纹萌生临界应变ε_(c)、显微硬度H及电阻率ρ。结果表明,靶功率密度PD、溅射气压P及靶基距D_(TS)这三个工艺参数影响W-Cu复合薄膜的成分、沉积率、微观结构及力学和电学性能。优化的工艺参数为:PD=10 W/cm^(2)、P=2 Pa、D_(TS)=150 mm。该工艺条件下制备的W-Cu复合薄膜中Cu含量为42.2%(原子分数),沉积率6.6 nm/min。其性能为σ_(0.2)=0.86 GPa,ε_(c)=0.62%,H=7.35 GPa,ρ=19.6μΩ·cm。该复合膜微观结构呈均质化特征,W和Cu组元分布均匀。 展开更多
关键词 磁控共溅射 w-cu复合薄膜 工艺优化 性能
下载PDF
Enhancing superconductivity of ultrathin YBa2Cu3O7-δ films by capping non-superconducting oxides 被引量:1
5
作者 Hai Bo Tianshuang Ren +2 位作者 Zheng Chen Meng Zhang Yanwu Xie 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第6期403-407,共5页
In this study, we have explored the ways to fabricate and optimize high-quality ultrathin YBa2 Cu3 O7-δ(YBCO) films grown on single-crystal(001) SrTiO3 substrates. Nearly atomic-flat YBCO films are obtained by pulsed... In this study, we have explored the ways to fabricate and optimize high-quality ultrathin YBa2 Cu3 O7-δ(YBCO) films grown on single-crystal(001) SrTiO3 substrates. Nearly atomic-flat YBCO films are obtained by pulsed laser deposition.Our result shows that the termination of SrTiO3 has only a negligible effect on the properties of YBCO. In contrast, we found that capping a non-superconducting oxide layer can generally enhance the superconductivity of YBCO. PrBa2 Cu3 O7,La2 CuO4, LaMnO3, SrTiO3, and LaAlO3 have been examined as capping layers, and the minimum thickness of superconducting YBCO with capping is ~ 2 unit cells–3 unit cells. This result might be useful in constructing good-performance YBCO-based field effect devices. 展开更多
关键词 YBa2cu3O7-δ(YBCO) SUPERCONDUCTIVITY OXIDES film
下载PDF
退火Cu-W薄膜组织结构与残余应力 被引量:7
6
作者 汪渊 李晓华 +2 位作者 宋忠孝 徐可为 尉秀英 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期435-439,共5页
以不同温度真空原位退火工艺为手段,促使制备在单晶Si(100)和Al2O3基底上的Cu-W薄膜发生相变。用X射线衍射(XRD)分析晶体取向,偏振相位移技术分析薄膜残余应力。结果表明,随退火温度变化,薄膜相变呈现连续变化,由初始的非晶态晶化,出现... 以不同温度真空原位退火工艺为手段,促使制备在单晶Si(100)和Al2O3基底上的Cu-W薄膜发生相变。用X射线衍射(XRD)分析晶体取向,偏振相位移技术分析薄膜残余应力。结果表明,随退火温度变化,薄膜相变呈现连续变化,由初始的非晶态晶化,出现类W的亚稳态固溶体相,以及随退火温度的进一步增加,发生Spinodal分解,亚稳固溶体完全分解为W和Cu两相。薄膜发生相变时产生拉应力作用,而在晶粒生长阶段,拉应力释放。 展开更多
关键词 cu-w薄膜 相变 残余应力 真空退火
下载PDF
溅射沉积Cu-W合金薄膜的结构及力学性能 被引量:5
7
作者 郭中正 孙勇 +2 位作者 段林昆 郭诗玫 李玉阁 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期38-43,共6页
用磁控共溅射法制备Cu-W合金薄膜,运用EDX,XRD,TEM,SEM和纳米压痕仪对薄膜成分、结构和力学性能及其关系进行了研究。结果表明,含W较低的Cu82.1W17.9(%,原子分数)和W浓度较高的Cu39.8W60.2薄膜为晶态结构且出现固溶度扩展,分别存在fccCu... 用磁控共溅射法制备Cu-W合金薄膜,运用EDX,XRD,TEM,SEM和纳米压痕仪对薄膜成分、结构和力学性能及其关系进行了研究。结果表明,含W较低的Cu82.1W17.9(%,原子分数)和W浓度较高的Cu39.8W60.2薄膜为晶态结构且出现固溶度扩展,分别存在fccCu(W)亚稳过饱和固溶体(固溶度4.8%W)和bccW(Cu)亚稳过饱和固溶体(固溶度5.7%Cu),W含量为31.8%,45.7%,54.8%的Cu-W薄膜呈非晶态,表面粗糙度较晶态Cu-W薄膜低。总体上非晶Cu-W薄膜弹性模量E和硬度H值较低,fccCu-W膜实测E值介于Voigt和Reuss规则预测值之间,bcc和非晶Cu-W膜实测E值分别高于和低于预测值;晶态Cu-W膜实测H值与Voigt规则计算值的符合性优于非晶膜,薄膜结构对力学性能预测可靠性影响较大。 展开更多
关键词 cu-w合金薄膜 微观结构 非晶态 力学性能
下载PDF
磁控溅射法制备W-Cu薄膜的研究 被引量:5
8
作者 陈文革 张剑 +1 位作者 熊斐 邵菲 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期42-45,共4页
采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构。分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520V,溅射电流0.8~1.2A,Ar气流量25mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀... 采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构。分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520V,溅射电流0.8~1.2A,Ar气流量25mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀得W-Cu薄膜,但退火时如温度过高,会使W和Cu两种元素原子偏聚加重;双靶磁控溅射时,控制Ar气流量20mL/min(标准状态),Cu靶电流0.7A,W靶电流1.2A,溅射时间3600s,可在硅基和玻璃基上镀得W-Cu薄膜,但在石墨基体、陶瓷基体及45钢基体上的镀膜效果不理想。 展开更多
关键词 w-cu薄膜 磁控溅射 单靶 双靶
下载PDF
磁控溅射沉积Cu-W薄膜的特征及热处理的影响 被引量:5
9
作者 周铖 孙勇 +2 位作者 郭中正 殷国祥 彭明军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期97-101,共5页
采用磁控共溅射法制备含钨1.51%~14.20%(原子分数,下同)的Cu-W合金薄膜,并用EDX、XRD、SEM、显微硬度仪和电阻仪研究了其成分、结构及性能。结果表明,添加W可显著细化Cu-W薄膜基体相晶粒,晶粒尺寸随W含量的增加而减小,Cu-W... 采用磁控共溅射法制备含钨1.51%~14.20%(原子分数,下同)的Cu-W合金薄膜,并用EDX、XRD、SEM、显微硬度仪和电阻仪研究了其成分、结构及性能。结果表明,添加W可显著细化Cu-W薄膜基体相晶粒,晶粒尺寸随W含量的增加而减小,Cu-W薄膜呈纳米晶结构。Cu-W薄膜中存在W在Cu中形成的fcc Cu(W)非平衡亚稳过饱和目溶体,固溶度随W含量的增加而提高,最大值为10.65%。与纯Cu膜对比发现,薄膜的显微硬度和电阻率总体上随W含量的增加而显著增大。经200℃、400℃及650℃热处理1h后,Cu—W薄膜基体相晶粒长大,EDX分析显示晶界处出现富W第二相;薄膜显微硬度降低,电阻率下降,降幅与退火温度呈正相关。添加W引起的晶粒细化效应以及退火中基体相晶粒度增大分别是Cu—W薄膜微观结构和性能形成及演变的主要原因。 展开更多
关键词 cuw合金薄膜 纳米晶结构 热处理 显微硬度 电阻率
下载PDF
Cu-W薄膜表面形貌各向异性与相结构 被引量:3
10
作者 汪渊 陈元华 +2 位作者 徐可为 马栋林 范多旺 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期123-127,共5页
提出了一种基于离散小波变换和分形几何概念定量描述薄膜表面形貌各向异性的新方法,并据此研究了磁控溅射Cu-W薄膜表面结构特征随退火温度的演变.结果表明,薄膜表面聚合过程有两个不同阶段:孔洞处形核和颗粒生长;薄膜表面形貌分形维数... 提出了一种基于离散小波变换和分形几何概念定量描述薄膜表面形貌各向异性的新方法,并据此研究了磁控溅射Cu-W薄膜表面结构特征随退火温度的演变.结果表明,薄膜表面聚合过程有两个不同阶段:孔洞处形核和颗粒生长;薄膜表面形貌分形维数可很好地描述表面粗化程度.研究发现,表面形貌各向异性变化趋势对相结构变化敏感.指出这种结合小波变换和分形几何概念表征薄膜表面形貌的方法,可以较灵敏地探测到Cu-W薄膜表面结构各向异性变化. 展开更多
关键词 cuw薄膜 表面各向异性 相结构 小波变换和分形
下载PDF
喷雾干燥W-Cu前驱体粉末煅烧和还原中的物相变化特征
11
作者 刘涛 范景莲 +1 位作者 田家敏 成会朝 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期83-86,91,共5页
采用溶胶-喷雾干燥-氢气还原技术制备W-Cu复合粉末;采用X射线衍射分析技术(XRD)对喷雾干燥前驱体粉末在煅烧和还原过程中的物相特征进行了分析。研究表明:喷雾干燥W-Cu前驱体粉末煅烧后相组成转变为WO3和CuWO4;煅烧后氧化物粉末在还原... 采用溶胶-喷雾干燥-氢气还原技术制备W-Cu复合粉末;采用X射线衍射分析技术(XRD)对喷雾干燥前驱体粉末在煅烧和还原过程中的物相特征进行了分析。研究表明:喷雾干燥W-Cu前驱体粉末煅烧后相组成转变为WO3和CuWO4;煅烧后氧化物粉末在还原过程中的相演变为低温下CuO相被还原、中温下WO3相还原成一系列钨的氧化物(WO2.90和WO2)以及高温下WO2相还原成W。 展开更多
关键词 溶胶-喷雾干燥-氢气还原 wcu粉末 煅烧 还原 相演变
下载PDF
离子束溅射组装均质Cu-W膜不同铜钨靶功率、气压对膜结构的影响
12
作者 李久明 王珍吾 +2 位作者 艾永平 刘祥辉 刘利军 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期35-36,55,共3页
目前,对磁控溅射组装Cu-W均质复合膜的工艺及成膜机理研究不够深入。通过磁控溅射组装均质Cu-W薄膜,考察了溅射工艺参数对膜结构的影响。结果表明:直流磁控溅射组装均质Cu-W薄膜时,钨是以β-钨为骨架固溶进部分铜的方式存在;随铜靶功率... 目前,对磁控溅射组装Cu-W均质复合膜的工艺及成膜机理研究不够深入。通过磁控溅射组装均质Cu-W薄膜,考察了溅射工艺参数对膜结构的影响。结果表明:直流磁控溅射组装均质Cu-W薄膜时,钨是以β-钨为骨架固溶进部分铜的方式存在;随铜靶功率的增加,铜的晶粒尺寸先变大后变小;随钨靶功率的增大,β-钨有向非晶态转变的趋势,且铜的晶粒尺寸会明显变小;薄膜的沉积速率主要由钨靶功率决定;工作气体氩气气压低于1.0 Pa时,随气压升高,铜的晶粒尺寸变小,高于1.0 Pa时,气压对薄膜结构没有影响。 展开更多
关键词 cuw均质薄膜 磁控溅射 晶粒尺寸 靶功率 气压
下载PDF
磁控溅射沉积Cu-W膜的结构及性能研究
13
作者 艾永平 杜晟连 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期16-18,37,共4页
为得到最佳性能的磁控溅射Cu-W薄膜,采用磁控溅射技术在玻璃片上沉积Cu-W单层膜。采用电子探针测试薄膜中W含量,采用X射线衍射仪、扫描电镜、硬度仪、凹抗仪、分析膜层物相、形貌及耐磨性。研究了W含量对Cu-W薄膜显微结构和性能的影响... 为得到最佳性能的磁控溅射Cu-W薄膜,采用磁控溅射技术在玻璃片上沉积Cu-W单层膜。采用电子探针测试薄膜中W含量,采用X射线衍射仪、扫描电镜、硬度仪、凹抗仪、分析膜层物相、形貌及耐磨性。研究了W含量对Cu-W薄膜显微结构和性能的影响。结果表明,在沉积过程中W对Cu-W薄膜的晶粒大小及沉积速率有重要影响:随W含量的增加,Cu-W薄膜的晶粒尺寸减少,薄膜的沉积速率随之减少,薄膜W含量对膜的硬度、耐磨性能也起着关键作用;当W含量在11.1%时,Cu-W薄膜具有最好的硬度和耐磨性。 展开更多
关键词 cu-w薄膜 磁控溅射 结构 耐磨性
下载PDF
ITER偏滤器W/Cu单体模块热-结构模拟与分析 被引量:7
14
作者 薛奎 陈俊凌 朱大焕 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期354-358,共5页
采用有限元分析软件ANSYS模拟分析了W/Cu单体模块在ITER稳态热流和瞬态热流叠加下的温度分布和应力分布。结果表明,在稳态热流下,结构安全可靠;但在瞬态热流加载下,钨材料表面发生塑性应变,发生塑性应变的临界热流密度为320MW·m 2... 采用有限元分析软件ANSYS模拟分析了W/Cu单体模块在ITER稳态热流和瞬态热流叠加下的温度分布和应力分布。结果表明,在稳态热流下,结构安全可靠;但在瞬态热流加载下,钨材料表面发生塑性应变,发生塑性应变的临界热流密度为320MW·m 2(持续0.5ms)。模拟结果对ITER偏滤器的设计和升级改造具有一定的借鉴意义。 展开更多
关键词 w cu单体模块 ANSYS有限元分析 热流 -结构分析
下载PDF
磁控溅射Cu-W薄膜的组织与结构 被引量:5
15
作者 王瑞 周灵平 +3 位作者 汪明朴 朱家俊 李德意 李绍禄 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期582-584,598,共4页
采用双靶磁控溅射共沉积方法制备Cu-W薄膜,其微观结构及形貌通过XRD、TEM和SEM方法测试,结果表明,Cu-W薄膜是由Cu固溶于W或W固溶于Cu的亚稳态固溶体组成,且随着W含量的增加,Cu-W薄膜依次形成面心立方fcc结构的Cu基亚稳固溶体f、cc和bcc... 采用双靶磁控溅射共沉积方法制备Cu-W薄膜,其微观结构及形貌通过XRD、TEM和SEM方法测试,结果表明,Cu-W薄膜是由Cu固溶于W或W固溶于Cu的亚稳态固溶体组成,且随着W含量的增加,Cu-W薄膜依次形成面心立方fcc结构的Cu基亚稳固溶体f、cc和bcc结构固溶体的双相区以及体心立方bcc结构的W基亚稳固溶体,晶粒尺寸随溶质原子含量的增加而减小。这些亚稳固溶体的形成是由于溅射出的原子动能足以克服Cu、W固溶所需的混合热,以及溅射过程中粒子的纳米化和成膜过程中引入的大量缺陷造成的。 展开更多
关键词 低维金属材料 铜钨薄膜 磁控溅射 亚稳固溶体
下载PDF
W-Cu薄膜沉积初期亚稳态固溶体形成机制 被引量:2
16
作者 谢添乐 周灵平 +3 位作者 符立才 朱家俊 杨武霖 李德意 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第24期98-102,共5页
采用直流双靶磁控溅射共沉积的方法制备了W含量为75%(原子分数)的W-Cu薄膜,并通过EDS、XRD、SEM、TEM等对W-Cu薄膜沉积初期的微观形貌及组织结构进行了表征和分析。结果表明,沉积初期,随着沉积时间延长,W-Cu薄膜有逐渐晶化的趋势,并形成... 采用直流双靶磁控溅射共沉积的方法制备了W含量为75%(原子分数)的W-Cu薄膜,并通过EDS、XRD、SEM、TEM等对W-Cu薄膜沉积初期的微观形貌及组织结构进行了表征和分析。结果表明,沉积初期,随着沉积时间延长,W-Cu薄膜有逐渐晶化的趋势,并形成了W(Cu)基亚稳态固溶体,且Cu在W中的固溶度逐渐增加。沉积10s时薄膜呈长程无序、短程有序的非晶态,局部有由于靶材粒子扩散不充分而形成的小于5nm的W、Cu纳米晶;20s时局部纳米晶消失但晶化程度升高;30s时晶化显著。沉积初期W-Cu薄膜随沉积时间延长逐渐晶化的原因是沉积过程中高能量的原子或原子团与已沉积的原子碰撞,传递能量,促进原子进一步扩散,克服了薄膜的晶化形成能,从而形成了亚稳态的W(Cu)固溶体。 展开更多
关键词 w-cu薄膜 沉积初期 微观结构 晶化
下载PDF
Cu-W、Cu-Mo薄膜的微观结构及显微硬度分析 被引量:2
17
作者 王丽 郭诗玫 +3 位作者 周应强 朱志军 周铖 刘国涛 《云南冶金》 2013年第4期46-49,63,共5页
采用磁控共溅射方法分别制备了含有W和Mo两种不同成分的铜系薄膜,用EDX、XRD、SEM和纳米压痕仪对薄膜成份、结构、形貌和显微硬度进行了分析。结果表明,制备出的Cu-W和Cu-Mo薄膜均呈晶态结构,Cu-W和Cu-Mo形成了均匀的固溶体;经650℃热处... 采用磁控共溅射方法分别制备了含有W和Mo两种不同成分的铜系薄膜,用EDX、XRD、SEM和纳米压痕仪对薄膜成份、结构、形貌和显微硬度进行了分析。结果表明,制备出的Cu-W和Cu-Mo薄膜均呈晶态结构,Cu-W和Cu-Mo形成了均匀的固溶体;经650℃热处理1 h后,Cu-W和Cu-Mo薄膜中晶粒长大,有富W和富Mo相从基体Cu相中弥散析出;Cu-W薄膜的显微硬度随W成分的增加先增加后降低;Cu-Mo薄膜的显微硬度随Mo成分的增加而持续升高,薄膜退火态的显微硬度低于沉积态。分析认为,以上结果的产生均因添加W、Mo所引起的晶粒细化效应和薄膜的热稳定性较差所致。 展开更多
关键词 cuw薄膜 cu—Mo薄膜 微观结构 硬度
下载PDF
Nano-Structured Cu/W Brazing Fillers for Advanced Joining Applications 被引量:1
18
作者 Frank Moszner Claudia Cancellieri +3 位作者 Christoph Becker Mirco Chiodi Jolanta Janczak-Rusch Lars P. H.Jeurgens 《材料科学与工程(中英文B版)》 2016年第5期226-230,共5页
关键词 纳米结构 连接过程 填料 钎焊 应用 物理气相沉积 接头性能 热敏性材料
下载PDF
东秦岭160~140Ma Cu(Mo)和Mo(W)矿床磷灰石成分特征 被引量:10
19
作者 陈雷 闫臻 +1 位作者 王宗起 王坤明 《地质学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1925-1941,共17页
东秦岭地区分布有160~140 Ma斑岩、斑岩-矽卡岩型Cu(Mo)和Mo(W)两种不同矿化类型矿床,对两种矿化的成矿岩体中磷灰石进行成分分析,结果显示本次研究的Cu(Mo)和Mo(W)矿床成矿岩体的磷灰石均为岩浆磷灰石,但在主要成分和挥发份上两者具有... 东秦岭地区分布有160~140 Ma斑岩、斑岩-矽卡岩型Cu(Mo)和Mo(W)两种不同矿化类型矿床,对两种矿化的成矿岩体中磷灰石进行成分分析,结果显示本次研究的Cu(Mo)和Mo(W)矿床成矿岩体的磷灰石均为岩浆磷灰石,但在主要成分和挥发份上两者具有一定的差异性。相对于Cu(Mo)矿床,Mo(W)矿床成矿岩体的磷灰石具有相对较高的F/Cl比值(分别为81~262和0.8~25)和MnO含量(分别为:0.05%~0.91%,平均为0.25%和0.02%~0.18%,平均为0.07%),说明Mo(W)矿床成矿岩体的岩浆源区具有较为强烈的沉积物源区特征。随着大地构造位置变化,从华北板块南缘到北秦岭,再到南秦岭,成矿岩体中磷灰石的F/Cl比值和MnO含量逐渐降低,说明岩浆源区中幔源物质成分逐渐增多。与此同时矿化类型也逐渐由Mo(W)矿化转变为Cu(Mo)矿化,这也说明成矿岩体岩浆源区特征对矿化类型具有一定的约束性。此外,Cu(Mo)和Mo(W)矿床成矿岩体中磷灰石具有不同的挥发份含量,而且挥发份类型对不同矿化元素具有选择性。相对于Cu(Mo)矿床,Mo(W)矿床的成矿岩体中磷灰石含有相对较高的F含量(2.83%~5.81%,平均为3.97%),较高的F含量能够提高熔体中羟基含量,增强Mo的配分系数,有利于Mo矿化。Cu(Mo)矿床的成矿岩体中磷灰石含有相对较高的Cl含量(0.13%~1.14%,平均为0.45%),主要与Cu在流体相中主要以氯合物形式存在,且Cu在熔体相和流体相间的分配系数与Cl含量呈正相关关系有关。Cu(Mo)和Mo(W)矿床成矿岩体中磷灰石均含有相似的SO3含量(均为0.17%),与斑岩型矿床中含矿岩体磷灰石的SO3范围相一致。但是,相对于典型大型、超大型斑岩型铜矿,东秦岭地区晚侏罗世—早白垩世Cu(Mo)矿床的成矿岩体中磷灰石SO3含量略低,相应的成矿岩浆也具有相对较低的氧逸度和S含量,而这可能是造成区域内Cu(Mo)矿化规模较小的原因之一。 展开更多
关键词 挥发份 磷灰石 斑岩-矽卡岩型cu(Mo)和Mo(w)矿床 东秦岭
下载PDF
新疆—甘肃—内蒙古衔接区Cu和W地球化学异常及找矿意义 被引量:3
20
作者 赵国斌 杨合群 +5 位作者 赵善定 任华宁 李金超 贾健 李英 李文明 《地质通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1845-1854,共10页
对新疆—甘肃—内蒙古衔接区的1∶20万地球化学数据研究结果表明,该区Cu地球化学异常主要与基性、超基性岩和斑岩体有关,成矿元素组合为Co-Zn-Cr-Ni-Cu;W地球化学异常主要与中酸性岩有关,成矿元素组合为W-Sn-Bi。区内主要铜、钨矿床和... 对新疆—甘肃—内蒙古衔接区的1∶20万地球化学数据研究结果表明,该区Cu地球化学异常主要与基性、超基性岩和斑岩体有关,成矿元素组合为Co-Zn-Cr-Ni-Cu;W地球化学异常主要与中酸性岩有关,成矿元素组合为W-Sn-Bi。区内主要铜、钨矿床和新发现的矿床(点)均有相应元素区域异常显示,表明地球化学异常在本区具有重要指示意义。在全区确定了4个Cu地球化学省、5个W地球化学省、15个Cu区域异常和17个W区域异常,其中上马崖—铜山Cu地球化学省、黄山—梧桐窝子—葫芦北Cu地球化学异常带、土屋—赤湖Cu区域异常、大狐狸山Cu地球化学省、鹰嘴红山W地球化学省、古堡泉—柳园W地球化学省、英姿山W区域异常具有重要的找矿意义。 展开更多
关键词 cu地球化学异常 w地球化学异常 新疆-甘肃一内蒙古衔接区 东天山 北山
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部