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Cu、N空位对Cu_3N的电子结构、电学和光学性能影响的第一性原理研究 被引量:3
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作者 李强 谭兴毅 +2 位作者 杨永明 任达华 李兴鳌 《原子与分子物理学报》 北大核心 2017年第4期769-773,共5页
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了立方相Cu_3N晶体中含Cu、N空位体系的稳定性、电学、光学性能.研究结果表明含Cu空位和N空位体系的结构比较稳定,Cu空位和N空位降低了体系的导电性,但增加了体系的透射率;含Cu空位和... 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了立方相Cu_3N晶体中含Cu、N空位体系的稳定性、电学、光学性能.研究结果表明含Cu空位和N空位体系的结构比较稳定,Cu空位和N空位降低了体系的导电性,但增加了体系的透射率;含Cu空位和N空位体系的禁带宽度均大于Cu_3N体系,说明实验中制备的Cu_3N有时表现为绝缘体的可能原因为体系中存在Cu空位或N空位. 展开更多
关键词 空位cu3n 电子结构 电学性质 光学性质
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Cu_3N薄膜及其研究现状
2
作者 王君 陈江涛 +1 位作者 苗彬彬 闫鹏勋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期453-459,共7页
Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一。Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可... Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一。Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可能进入此位置导致Cu3N的电学性能、光学性能等发生很大的变化,这使得该材料具有很大的潜在应用价值。Cu3N的晶格常数为0.3815nm,密度5.84g/cm3,分子量204.63,颜色呈黑绿色或红褐色,空间点群Pm3m。Cu3N薄膜在室温下相当稳定并且热分解温度较低(300℃左右),热分解前后薄膜的光学反射率有较大差别,这可使Cu3N薄膜用作一次性光记录材料。此外,Cu3N薄膜还可用作在S i片上沉积金属Cu线的缓冲层、低磁阻隧道结的阻挡层、自组装材料的模板等。 展开更多
关键词 cu3n薄膜 研究现状 应用
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通过Cu/Ti液相扩散反应进行Si_3N_4/Cu的连接
3
作者 周飞 李志章 罗启富 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期109-112,共4页
用 Ti粉作中间层在 12 73K直接进行 Si3 N4 / Cu的连接 .用四点弯曲方法测定了不同保温时间下的连接强度 ,并对连接界面进行了 SEM、EPMA和 XRD分析 .结果表明 :通过 Cu- Ti二元扩散促使液相与氮化硅发生界面反应 ,形成 Si3 N4 / Ti N/ ... 用 Ti粉作中间层在 12 73K直接进行 Si3 N4 / Cu的连接 .用四点弯曲方法测定了不同保温时间下的连接强度 ,并对连接界面进行了 SEM、EPMA和 XRD分析 .结果表明 :通过 Cu- Ti二元扩散促使液相与氮化硅发生界面反应 ,形成 Si3 N4 / Ti N/ Ti5Si3 + Ti5Si4 / Cu3 Ti2 (Si) / Cu的梯度层界面 .接头弯曲强度随着保温时间的增加 ,先增后降 .微观分析表明 :Si3 N4 与 Ti的界面反应以及 Cu、Ti。 展开更多
关键词 Si3n4 TI5SI3 保温时间 界面反应 连接强度 EPMA 互扩散 液相 XRD分析 氮化硅
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Cu^2+改性g-C3N4光催化剂的光催化性能 被引量:13
4
作者 李小为 王彬 +4 位作者 尹文轩 狄俊 夏杰祥 朱文帅 李华明 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第3期123-132,共10页
本文通过将Cu^2+掺入g-C3N4结构中成功制备了Cu/g-C3N4光催化剂,并进一步优化其光催化性能。同时,采用多种表征方法对Cu/g-C3N4光催化剂的结构、形貌、光学和光电性能进行了分析。X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)结果表明制备的... 本文通过将Cu^2+掺入g-C3N4结构中成功制备了Cu/g-C3N4光催化剂,并进一步优化其光催化性能。同时,采用多种表征方法对Cu/g-C3N4光催化剂的结构、形貌、光学和光电性能进行了分析。X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)结果表明制备的光催化剂为Cu/g-C3N4,且Cu的价态为+2。在可见光照射下,研究了不同铜含量的Cu/g-C3N4和gC3N4光催化剂的光催化活性。实验结果表明,Cu/g-C3N4光催化剂的降解能力显著高于纯相的g-C3N4。N2吸附-解吸等温线表明,Cu^2+的引入对g-C3N4的微观结构影响不大,说明光催化活性的提高可能与光生载流子的有效分离有关。因此,Cu/g-C3N4光催化降解RhB和CIP性能的提升可能是由于Cu^2+可以作为电子捕获陷阱从而降低了载流子的复合速率。通过光电测试表明,在g-C3N4中掺入Cu^2+可以降低g-C3N4的电子空穴复合速率,加速电子空穴对的分离,从而提高了其光催化活性。自由基捕获实验和电子自旋共振(ESR)结果表明,超氧自由基(O2·-)、羟基自由基(·OH)和空穴的协同作用提高了Cu/g-C3N4光催化剂的光催化活性。 展开更多
关键词 cu/g-C3n4 光催化 可见光 活性物种 RHB CIP
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Cu[C_5H_3N(CCH_3=N-C_6H_5)_2]_2(PF_6)_2配合物的合成、晶体结构和热分解反应动力学
5
作者 蒋毅民 谭黎峰 +2 位作者 银秀菊 钟新仙 张淑华 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第8期802-806,共5页
The title complex Cu[C5H3N(CCH3=N-C6H5)2]2(PF6)2 has been synthesized by r eaction of Schiff base C5H3N(CCH3=N-C6H5)2 and cupric sulfate in toluene solut ion. The crystal structure was determined by X-ray diffraction ... The title complex Cu[C5H3N(CCH3=N-C6H5)2]2(PF6)2 has been synthesized by r eaction of Schiff base C5H3N(CCH3=N-C6H5)2 and cupric sulfate in toluene solut ion. The crystal structure was determined by X-ray diffraction method and the chemical formula weight of the complex is 1041.85. The crystal structure belongs to triclinic system with spacegroup and cell parameters: a=12.6470(10) , b=14. 123(2) , c=15.613(2);á=66.150(10)a=79.470(10)?=78.290(10)穖-3 and F(000)=1064. The final R:R1=0.0668, wR 2=0.1927; R(all data): R1=0.1133, wR2=0.2357. The Cu was coordinated by six nitrogen, at the same time the Cu formed a distorted octahedron, besides the angles and pl anes of this compound were discussed . The result of kinetics of the thermal dec omposition indicated that the first step of it is 2 series chemical reactions, t he function of machanism is f(a)=(1-a)2, and the activation energy is 144.64E/ kJ. CCDC: 180872. 展开更多
关键词 cu[C5H3n(CCH3=N-C6H5)2]2(PF6)2 合成 热分解 反应动力学 铜配合物 SCHIFF碱 晶体结构
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Ni掺杂对Cu_3N薄膜结构与性能的影响 被引量:1
6
作者 陈小松 尹玉丽 +3 位作者 张昌印 吴绍彬 杨磊 黄致新 《信息记录材料》 2010年第3期52-55,共4页
采用射频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Ni掺杂Cu3N薄膜,并研究了Ni掺杂对Cu3N的结构、电学性能和光学性能的影响。研究发现:Ni的加入使得Cu3N薄膜的(111)晶面向小角度偏移;随着Ni含量的增加,Cu3N薄膜的电阻率从1450×10-6Ω.c... 采用射频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Ni掺杂Cu3N薄膜,并研究了Ni掺杂对Cu3N的结构、电学性能和光学性能的影响。研究发现:Ni的加入使得Cu3N薄膜的(111)晶面向小角度偏移;随着Ni含量的增加,Cu3N薄膜的电阻率从1450×10-6Ω.cm减小到184×10-6Ω.cm,光学能隙从1.09eV增加到1.52eV。 展开更多
关键词 cu3n薄膜 Ni掺杂 电学性能 光学能隙
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Cr掺杂对Cu_3N薄膜结构、形貌和光学特性的影响
7
作者 刘文杰 杨蓉 +1 位作者 韩佳 李兴鳌 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2015年第2期301-305,共5页
采用射频反应磁控溅射镀膜方法在玻璃基底上制备了Cr掺杂Cu3N薄膜,并研究了Cr掺杂对Cu3N薄膜的结构、形貌和光学特性的影响。X射线衍射结果显示Cr的掺入并不会改变薄膜的择优生长方向,但是随着Cr掺杂浓度的增加,一方面衍射峰会逐渐减弱... 采用射频反应磁控溅射镀膜方法在玻璃基底上制备了Cr掺杂Cu3N薄膜,并研究了Cr掺杂对Cu3N薄膜的结构、形貌和光学特性的影响。X射线衍射结果显示Cr的掺入并不会改变薄膜的择优生长方向,但是随着Cr掺杂浓度的增加,一方面衍射峰会逐渐减弱,说明Cr会抑制Cu3N的结晶和生长;另一方面衍射峰会向小角度偏移,说明Cu3N的晶格常数在逐渐增大。扫描电子显微镜结果显示随着Cr掺杂浓度的增加,颗粒尺寸逐渐变小,但一直保持球形,这与X射线衍射结果一致。吸收光谱曲线显示随着Cr掺杂浓度的增加,其吸收率在不断下降。同时Cr掺杂使得Cu3N薄膜的光学帯隙从1.498eV减小到1.0eV,实现了帯隙的连续可调。 展开更多
关键词 cu3n薄膜 CR掺杂 吸收光谱 光学带隙
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新型g-C_3N_4/CuS复合材料的制备及光催化研究 被引量:2
8
作者 赵海亮 岳文丽 陈波 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第10期3361-3367,共7页
"一步"水热法合成CuS修饰的石墨相氮化碳(g-C_3N_4/CuS)复合光催化剂,通过FE-SEM、XRD、FTIR、UV-VisDRS等手段对其进行了表征,利用Cr(Ⅵ)溶液考察了g-C_3N_4/CuS在可见光下的光催化还原性能。实验结果表明,g-C_3N_4/CuS复合... "一步"水热法合成CuS修饰的石墨相氮化碳(g-C_3N_4/CuS)复合光催化剂,通过FE-SEM、XRD、FTIR、UV-VisDRS等手段对其进行了表征,利用Cr(Ⅵ)溶液考察了g-C_3N_4/CuS在可见光下的光催化还原性能。实验结果表明,g-C_3N_4/CuS复合光催化剂的光催化活性明显优于单一的g-C_3N_4和CuS。可见光照射下,180 min内Cr(Ⅵ)的去除率可达70%以上。CuS的引入不仅扩宽了g-C_3N_4的可见光吸收范围,而且降低了g-C_3N_4光生电子和空穴的复合率,从而显著提高g-C_3N_4的光催化活性。该复合材料的催化活性受溶液的pH值影响较大,酸性条件下更有利于光催化反应的进行;共存低浓度腐殖酸对Cr(Ⅵ)的去除没有显著影响。g-C_3N_4/CuS具有良好的可见光催化活性,可用于废水中Cr(Ⅵ)的光催化还原去除。 展开更多
关键词 石墨相氮化碳(g-C3n4) g-C3n4/cuS复合材料 光催化还原 Cr(Ⅵ)
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06Cr18Ni5Mn7Cu3N奥氏体不锈钢带脱皮缺陷的成因分析及预防工艺措施 被引量:2
9
作者 李志栋 韦成贵 杜俊涛 《特殊钢》 北大核心 2014年第2期27-29,共3页
2.5mm热轧06Cr18Ni5Mn7Cu3N奥氏体不锈钢带的生产流程为70 t EAF-70 t底吹GOR转炉-LF-180mm×1 240 mm板坯CC-热轧工艺.酸洗后2.5 mm热轧带距边部约30 mm处出现宽度≤20 mm,深≤0.06 mm的脱皮缺陷.分析表明,由于在热轧加热过程中加... 2.5mm热轧06Cr18Ni5Mn7Cu3N奥氏体不锈钢带的生产流程为70 t EAF-70 t底吹GOR转炉-LF-180mm×1 240 mm板坯CC-热轧工艺.酸洗后2.5 mm热轧带距边部约30 mm处出现宽度≤20 mm,深≤0.06 mm的脱皮缺陷.分析表明,由于在热轧加热过程中加热温度过高(1 200~1 260℃),以及加热时间过长(超过210 min)使得富铜相在晶界处大量析出致使在热轧过程形成脱皮缺陷.通过将加热温度调整为1200~1240℃,加热时间为150~210 min后,产生脱皮缺陷的带材由7%降至0.5%以下,产品质量得到了显著的提升. 展开更多
关键词 奥氏体不锈钢06Cr18Ni5Mn7cu3n 带材 脱皮缺陷 加热温度 加热时间
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Cu_3N薄膜制备及其性能研究
10
作者 张昌印 陈小松 +3 位作者 尹玉丽 吴绍彬 杨磊 黄致新 《信息记录材料》 2010年第4期60-64,共5页
Cu3N薄膜的晶面取向、沉积速率、电学特性等性质除与制备方法有关外,还和制备工艺参数有很大关系。溅射法制备Cu3N薄膜工艺参数主要有,混合气体(N2+Ar)中氮气分压比r、基底温度T(℃)、溅射功率P(W)。为了研究Cu3N薄膜的性能与其制备工... Cu3N薄膜的晶面取向、沉积速率、电学特性等性质除与制备方法有关外,还和制备工艺参数有很大关系。溅射法制备Cu3N薄膜工艺参数主要有,混合气体(N2+Ar)中氮气分压比r、基底温度T(℃)、溅射功率P(W)。为了研究Cu3N薄膜的性能与其制备工艺参数之间关系,本文采用反应射频磁控溅射法,在玻璃基底上成功制备了Cu3N薄膜,并研究了工艺参数对其晶面取向、膜厚、电学性能、沉积速率的影响。 展开更多
关键词 cu3n薄膜 工艺参数 性能
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双金属纳米Ag/Cu负载g-C_3N_4催化剂的制备及光催化制氢活性 被引量:1
11
作者 涂盛辉 戴策 +4 位作者 林立 杨昆忠 张超 彭海龙 杜军 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2017年第6期555-560,共6页
采用热氧化刻蚀和化学还原沉淀的方法,成功的制备了双金属纳米Ag/Cu负载g-C_3N_4催化剂。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见漫反射光谱(DRS)表征复合催化剂的微观形貌、元素组成、结构和... 采用热氧化刻蚀和化学还原沉淀的方法,成功的制备了双金属纳米Ag/Cu负载g-C_3N_4催化剂。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见漫反射光谱(DRS)表征复合催化剂的微观形貌、元素组成、结构和光学特性。研究了双金属纳米Ag/Cu负载对石墨相g-C_3N_4制氢效果的影响。实验结果表明,相比于Cu@g-C_3N_4(0.5CG)、Ag@g-C_3N_4(0.5AG)和g-C_3N_4,Ag/Cu@g-C_3N_4(0.5ACG)具有较高的产氢活性。同时,研究了Ag/Cu@g-C_3N_4的可能反应机制,即Ag的LSPR效应和助催化剂Cu对促进光催化产氢具有协同催化作用。 展开更多
关键词 热氧化刻蚀 化学沉积法 光催化制氢 Ag/cu@g-C3n4催化剂
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CuS nanotube/g-C3N4异质结的合成及光催化性能 被引量:1
12
作者 邓文明 张胜 +1 位作者 江吉周 邹菁 《武汉工程大学学报》 CAS 2021年第1期65-70,共6页
以CuCl2·2H2O、SC(NH2)2和g-C3N4纳米片作为前驱体,在室温下采用简单的共沉淀法成功地制备了CuS nanotube/g-C3N4异质结。对碱源、g-C3N4加入顺序和反应时间等合成条件对CuS nanotube/g-C3N4异质结的光催化性能的影响进行了较系统... 以CuCl2·2H2O、SC(NH2)2和g-C3N4纳米片作为前驱体,在室温下采用简单的共沉淀法成功地制备了CuS nanotube/g-C3N4异质结。对碱源、g-C3N4加入顺序和反应时间等合成条件对CuS nanotube/g-C3N4异质结的光催化性能的影响进行了较系统的研究。结果表明:碱源是合成的关键因素。以Na2S·9H2O为碱源兼硫源,制备的CuS nanotube/g-C3N4异质结的光吸收边带明显红移,禁带宽度(Eg)和荧光强度明显降低,且光电流响应值为0.0956μA/cm2,相对于bulk g-C3N4提高了约3.1倍。将其用于光催化降解罗丹明B(RhB),45 min内RhB降解率约达100%,其降解速率相对于bulk g-C3N4提高了约47.6倍,这些结果说明CuS nanotube/g-C3N4具有较高的光电催化活性。并提出了CuS nanotube/g-C3N4异质结在光催化过程中载流子迁移转化的机理。 展开更多
关键词 cuS nanotube/g-C3n4 异质结 化学共沉淀法 光电催化活性 罗丹明B
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Cu(C_6H_9N_3O_2)_2C_(l2)对小麦的生态毒理效应 被引量:1
13
作者 陈怡平 刘永军 《生态学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期3107-3111,共5页
以冬小麦为实验材料,比较研究了(1)不同浓度配合物对小麦生长的影响;(2)相同浓度的CuC l2、配体C6H9N3O2和配合物Cu(C6H9N3O2)2C l2对冬小麦种子萌发、苗期生长及其保护酶活性的影响。结果表明:与对照相比,(1)不同浓度新配合物对小麦生... 以冬小麦为实验材料,比较研究了(1)不同浓度配合物对小麦生长的影响;(2)相同浓度的CuC l2、配体C6H9N3O2和配合物Cu(C6H9N3O2)2C l2对冬小麦种子萌发、苗期生长及其保护酶活性的影响。结果表明:与对照相比,(1)不同浓度新配合物对小麦生长具有不同程度的抑制作用,随着浓度的增高抑制作用逐渐增大;(2)CuC l2、配合物Cu(C6H9N3O2)2C l2对小麦种子总淀粉酶活性、蛋白酶活性、萌发率、生长势、根长、株高、总生物量均具有显著的抑制作用,配合物Cu(C6H9N3O2)2C l2的抑制作用小于CuC l2,而配体C6H9N3O2对上述生物学参数具有促进作用;(3)CuC l2、配合物Cu(C6H9N3O2)2C l2处理引起膜脂过氧化,显著的提高了幼苗的M DA浓度,导致SOD、POD、CAT活性降低,CuC l2的抑制作用大于配合物Cu(C6H9N3O2)2C l2,而配体C6H9N3O2处理对SOD、POD、CAT活性的提高有促进作用。上述结果说明C6H9N3O2对CuC l2生理胁迫具有保护作用,结合态的Cu2+(配合物Cu(C6H9N3O2)2C l2)的毒性显著的降低。在此基础上探讨了配合物抑制小麦生长发育的生物学机制。 展开更多
关键词 小麦 cu(C6H9N3O2)2Cl2 抗氧化酶 生态毒理效应
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配合物[(TACN)Cu](N_3)_2的合成与结构
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作者 董华泽 李彦萍 谢复新 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第1期75-78,110,共5页
以三氮大环(TACN:1,4,7-三氮杂环壬烷)和叠氮酸盐为原料在合成双核铜配合物时得到一种单核铜配合物[(TACN)Cu](N3)2,由扩散方法培养了单晶,经元素分析和X-衍射结构分析测定了它的组成和晶体结构。铜离子由二个叠氮酸根的氮原子和一个三... 以三氮大环(TACN:1,4,7-三氮杂环壬烷)和叠氮酸盐为原料在合成双核铜配合物时得到一种单核铜配合物[(TACN)Cu](N3)2,由扩散方法培养了单晶,经元素分析和X-衍射结构分析测定了它的组成和晶体结构。铜离子由二个叠氮酸根的氮原子和一个三氮大环的三个氮原子配位成变形的四方锥构形。 展开更多
关键词 [(TACN)cu](N3)2 合成 三氮大环 叠氮酸钠 晶体结构 配位化学 晶相组成
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含能配合物[Cu_3(C_4H_2N_6O_5)_3(H_2O)_3]·5NMP的合成、晶体结构及性能(英文) 被引量:3
15
作者 刘进剑 刘祖亮 成健 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期177-181,共5页
合成了一种2,6-二氨基-3,5-二硝基吡嗪-1-氧化物(LLM-105)的含能配合物[Cu3(C4H2N6O5)3(H2O)3]·5NMP,并通过红外、元素分析、差示扫描量热法(DSC)、热重分析(TG)等对配合物的结构进行了分析。此Cu(II)配合物属三斜晶系,空间群为P-... 合成了一种2,6-二氨基-3,5-二硝基吡嗪-1-氧化物(LLM-105)的含能配合物[Cu3(C4H2N6O5)3(H2O)3]·5NMP,并通过红外、元素分析、差示扫描量热法(DSC)、热重分析(TG)等对配合物的结构进行了分析。此Cu(II)配合物属三斜晶系,空间群为P-1。用Kissinger和Ozawa法计算了配合物的放热过程的表观活化能,计算值为161 kJ·mol-1。同时研究了此配合物对高氯酸铵(AP)热分解催化效果的影响。结果表明,此配合物可以使AP的高温分解峰温提前98.363℃,使分解速度加快,对AP具有非常显著的催化效果。 展开更多
关键词 无机化学 2 6-二氨基-3 5-二硝基吡嗪-1-氧化物(LLM-105) 含能配合物[cu3(C4H2N6O5)3(H2O)3]·5NMP 晶体结构 高氯酸铵 催化性能
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硅基Cu(N3)2@CNTs复合含能薄膜的制备与表征 被引量:4
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作者 魏海 刘旭文 +3 位作者 胡艳 唐惠梁 叶迎华 沈瑞琪 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期557-563,共7页
针对叠氮化铜(Cu(N3)2)静电感度高、难以实际应用的问题,设计了一种基于硅基底的内嵌叠氮化铜碳纳米管复合含能薄膜材料。首先,采用改进的两步阳极氧化法在硅基底上制备多孔氧化铝薄膜,然后将其作为模板,先后通过化学气相沉积法和电化... 针对叠氮化铜(Cu(N3)2)静电感度高、难以实际应用的问题,设计了一种基于硅基底的内嵌叠氮化铜碳纳米管复合含能薄膜材料。首先,采用改进的两步阳极氧化法在硅基底上制备多孔氧化铝薄膜,然后将其作为模板,先后通过化学气相沉积法和电化学沉积法在氧化铝孔道中制备内嵌铜纳米颗粒的定向碳纳米管(CNTs)阵列,最后利用气固相叠氮化反应制备得到可与微机电系统(MEMS,Micro-electro Mechanical Systems)加工工艺相兼容的硅基Cu(N3)2@CNTs复合含能薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等手段对材料的微观形貌、晶体结构和组成成分进行了表征,利用差示扫描量热法(DSC)对复合含能薄膜进行了热分解动力学研究,采用升降法测试了复合含能薄膜的静电感度。研究结果表明:硅基Cu(N3)2@CNTs复合含能薄膜的活化能约为230.00 kJ·mol^-1,热爆炸临界温度约为193.18℃;复合薄膜的静电感度明显得到改善,50%的发火能量约为4.0 mJ。 展开更多
关键词 复合含能薄膜 cu(N3)2@CNTs 静电感度 电化学沉积
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铜配合物[Cu(AFO)_2(N_3)_2](DMF)(H_2O)的合成和晶体结构(AFO=4,5-二氮芴-9-酮)
17
作者 朱霞 朱利明 +1 位作者 李宝龙 张勇 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期832-834,共3页
A new compound [Cu(AFO)2(N3)2](DMF)(H2O)(AFO=4,5-diazafluorene-9-one)was synthesized.Its structure was determined by single X-ray diffraction.The crystal belongs to monoclinic system,space group C2/c.The cry... A new compound [Cu(AFO)2(N3)2](DMF)(H2O)(AFO=4,5-diazafluorene-9-one)was synthesized.Its structure was determined by single X-ray diffraction.The crystal belongs to monoclinic system,space group C2/c.The crystallographic data,were determined a=1.2609(2)nm,b=0.8000(1)nm,c=2.6220(4)nm,β=109.964(6)°,V=2.4859(6)nm3,Z=4,F(000)=1236,Mr=603.07,Dc=1.611 Mg/m3,μ=0.937 nm-1,R1=0.0561,and wR2=0.1290.In the crystal Cu(II) atom is coordinated with four nitrogen from two AFO ligands and two nitrogen atoms from two azide ions to form an elonged-octahedron geometry. 展开更多
关键词 铜配合物 [cu(AFO)2(N3)2](DMF)(H2O) 合成 晶体结构 4 5-二氮芴-9-酮
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Nitrification of Reactively Magnetron Sputter Deposited Ti-Cu Nano-Composite Thin Films
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作者 Ali Rahmati 《Soft Nanoscience Letters》 2013年第1期14-21,共8页
A metalloid Ti13Cu87 target was sputtered by reactive DC magnetron sputtering at various substrate temperatures in an Ar-N2 mixture ambient. The sputtered species were condensed on Si (111), glass slide and Potsssium ... A metalloid Ti13Cu87 target was sputtered by reactive DC magnetron sputtering at various substrate temperatures in an Ar-N2 mixture ambient. The sputtered species were condensed on Si (111), glass slide and Potsssium bromide (KBr) substrates. The as-deposited films were characterized by X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy, Scanning electron microscope (SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX), optical spectrophotometry and four point probe technique. The as-deposited films present composite structure of nano-crystallite cubic anti-ReO3 structure of Ti inserted Cu3N (Ti:Cu3N) and nano-crystallite face centre cubic (fcc) structure of Cu. The titanium atoms and sequential nitrogen excess form a solid solution within the Cu3N crystal structure and accommodate in crystal lattice and vacant interstitial site, respectively. Depending on substrate temperature, unreacted N atoms interdiffuse between crystallites and their (and grain) boundaries. The films have agglomerated structure with atomic Ti:Cu ratio less than that of the original targets. A theoretical model has been developed, based on sputtering yield, to predict the atomic Ti:Cu ratio for the as-deposited films. Film thickness, refractive index and extinction coefficient are extracted from the measured transmittance spectra. The films’ resistivity is strongly depending on its microstructural features and substrate temperature. 展开更多
关键词 NANO-COMPOSITE Reactive MAGNETRON Sputtering TI Inserted cu3n INTERSTITIAL N EXCESS
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纳米Cu_3N薄膜的制备与性能 被引量:20
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作者 吴志国 张伟伟 +2 位作者 白利峰 王君 阎鹏勋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1687-1692,共6页
采用柱状靶多弧直流磁控溅射法 ,10 0℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜 (Cu3N)薄膜 .用x射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响 .结果显示薄膜由Cu3N和Cu的纳米微晶复合而成 ,其中Cu3N纳米微晶具有立... 采用柱状靶多弧直流磁控溅射法 ,10 0℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜 (Cu3N)薄膜 .用x射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响 .结果显示薄膜由Cu3N和Cu的纳米微晶复合而成 ,其中Cu3N纳米微晶具有立方反ReO3结构 .通过原子力显微镜对薄膜表征显示 ,膜表面比较光滑 ,具有较低的粗糙度 .x射线光电子能谱对薄膜表面的成分分析表明 ,Cu3N薄膜表面铜元素同时以 +1价和 +2价存在 .Cu3N的Cu2p3 2 ,Cu2p1 2 及N1s峰分别位于 932 7,95 2 7和 399 9eV ,Cu2p原子自旋 轨道耦合裂分能量间距为 2 0eV .用台阶仪和四探针方法测量了薄膜的厚度及电阻率 ,薄膜的沉积速率和电阻率在很大程度上受到氮气分压的调制 . 展开更多
关键词 纳米cu3n薄膜 柱状靶多弧直流磁控溅射法 X射线衍射 晶体结构 氮气分压
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三维多孔微纳米结构叠氮化铜的原位合成及表征 被引量:8
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作者 李娜 许建兵 +2 位作者 叶迎华 沈瑞琪 胡艳 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期63-66,共4页
采用气-固原位合成技术,通过多孔铜与叠氮酸(HN3)反应制备了叠氮化铜(Cu(N3)2),用氢气泡动态模板法制备了三维多孔铜。用场发射扫描电镜(FESEM)及X射线衍射(XRD)表征了多孔铜和叠氮化铜的形貌、组成和结构,采用TG-DTG和DS... 采用气-固原位合成技术,通过多孔铜与叠氮酸(HN3)反应制备了叠氮化铜(Cu(N3)2),用氢气泡动态模板法制备了三维多孔铜。用场发射扫描电镜(FESEM)及X射线衍射(XRD)表征了多孔铜和叠氮化铜的形貌、组成和结构,采用TG-DTG和DSC分析了Cu(N3)2的热分解特性。结果表明,多孔铜与 HN3反应首先生成叠氮化亚铜(CuN3),之后生成 Cu(N3)2。Cu(N3)2为结晶良好的斜方晶系,其晶枝长度约为500 nm。在178~240℃,Cu (N3)2有较强的放热峰,热分解反应的峰温为216℃,放热量为3116.86J/g,并放出氮气,失重约56.27%,与理论质量损失接近。 展开更多
关键词 材料科学 叠氮化铜 cu(N3)2 电化学 原位合成
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