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集成电路芯片制造中电化学机械平整化技术的研究进展
被引量:
4
1
作者
翟文杰
梁迎春
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期498-503,共6页
大马士革(Damascene)结构的Cu/低k介质材料互连技术为集成电路芯片制造提出了方向和挑战。电化学机械平整化(ECMP)作为化学机械平整化(CMP)的一种拓展加工手段,可对传统CMP技术进行补偿,可对含有易损多孔电介质材料的新型互连结构进行...
大马士革(Damascene)结构的Cu/低k介质材料互连技术为集成电路芯片制造提出了方向和挑战。电化学机械平整化(ECMP)作为化学机械平整化(CMP)的一种拓展加工手段,可对传统CMP技术进行补偿,可对含有易损多孔电介质材料的新型互连结构进行低压力平整化。比较了ECMP和CMP的特点,对ECMP技术的研究现状和发展趋势进行了综述。指出ECMP过程控制的深层次的技术基础是摩擦电化学理论,只有深入系统地研究ECMP过程中的外加电势、摩擦磨损、化学反应三者间的相互作用,才能揭示ECMP过程中材料的加速去除原理和超光滑无损伤表面的形成机理。
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关键词
电化学机械平整化(ECMP)
低K介质
cu大马士革互连
摩擦电化学
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职称材料
题名
集成电路芯片制造中电化学机械平整化技术的研究进展
被引量:
4
1
作者
翟文杰
梁迎春
机构
哈尔滨工业大学
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期498-503,共6页
文摘
大马士革(Damascene)结构的Cu/低k介质材料互连技术为集成电路芯片制造提出了方向和挑战。电化学机械平整化(ECMP)作为化学机械平整化(CMP)的一种拓展加工手段,可对传统CMP技术进行补偿,可对含有易损多孔电介质材料的新型互连结构进行低压力平整化。比较了ECMP和CMP的特点,对ECMP技术的研究现状和发展趋势进行了综述。指出ECMP过程控制的深层次的技术基础是摩擦电化学理论,只有深入系统地研究ECMP过程中的外加电势、摩擦磨损、化学反应三者间的相互作用,才能揭示ECMP过程中材料的加速去除原理和超光滑无损伤表面的形成机理。
关键词
电化学机械平整化(ECMP)
低K介质
cu大马士革互连
摩擦电化学
Keywords
electro- chemical mechanical planarization (ECMP)
low- k dielectric
cu
Damascene interconnects
tribo- electrochemistry
分类号
TH117.2 [机械工程—机械设计及理论]
TG115.5 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
集成电路芯片制造中电化学机械平整化技术的研究进展
翟文杰
梁迎春
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
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职称材料
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