等离子体活化硒对电沉积Cu-In-Ga金属预制层硒化的影响

使用等离子体活化硒源对电沉积制备的Cu-In-Ga金属预制层进行了硒化处理时,发现等离子体功率对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)晶粒的生长有重要影响,当等离子体功率为75W时,制备出单一Cu(In0.7Ga0.3)Se2相的CIGS薄膜.通过对不同衬底温度的等离子体活化硒源硒化的CIGS薄膜进行了研究与分析,并与普通硒化后的薄膜进行对比,发现高活性硒在低温下会促进Ga-Se二元相的生成,从而有利于Cu(In0.7Ga0.3)Se2单相的生长.对等离子体硒化后的CIGS薄膜进行了电池制备,发现单相CIGS薄膜没有显著提高电池性能.通过优化工艺,所制备的CIGS电池效率达到了9.4%.

电沉积Cu-In-Ga金属预制层的硒硫化研究

以H2S气体作为硫源、固态蒸发硒蒸气作为硒源对电沉积Cu-In-Ga金属预制层进行硒硫化处理.通过电沉积Cu-In-Ga金属预制层在不同衬底温度下硒化、硫化和硒硫化的对比实验,发现CuInS2相和CuIn(S,Se)2相优先生成,抑制了CuInSe2相的生成,促使InSe相薄膜向内部扩散,减弱了薄膜两相分离现象.采用先硒化后硒硫化处理工艺优化了Cu(In,Ga)(S,Se)2薄膜的制备工艺,在250 C预硒化得到了开路电压为570 mV的太阳电池,在更高的预硒化温度得到了较大短路电流的太阳电池,最终优化得到了效率达到10.4%的电池器件.

电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜

在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积Cu-Zn金属预制层,后续在SnSe_x(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜。SnSe_x(x=1,2)分压由Sn源温度控制,Se分压由Se源温度控制,Se源及样品温度分别为270℃和570℃。采用3种不同的硒化处理工艺对金属预制层进行硒化处理。通过SEM及EDS表征CZTSe薄膜的结构、形貌及成分。综合SEM及EDS测试结果,确定CZTSe和Mo界面处MoSe_2相很薄。实验发现较低SnSe_x(x=1,2)气氛条件下可实现高温低Se压硒化CuZn预制层制备单相CZTSe薄膜,经工艺优化得到效率为7.6%的CZTSe太阳电池。

一种真空玻璃的金属封接方法

本发明公开了一种真空玻璃的金属封接方法，包括以下步骤：（1）在构成真空玻璃的两片玻璃基板待封接区域预制金属化层；（2）将熔融状的金属焊料附着于所述一片或两片玻璃基板的金属化层上，经冷却后，焊料固定在金属化层上；（3）将玻璃基板预制有金属化层的面相对而进行叠合，加热所述待封接区域或整个玻璃基板至焊料的熔化温度，所述的温度为150℃至350℃；（4）对封接区域或整个玻璃基板进行冷却，完成封接过程。

两步法制备CIGS薄膜的工艺研究

本文主要研究了"预制层硒化法"制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的工艺。采用磁控溅射的方式制备In、Cu-Ga金属预制层,然后进行硒化(450℃)以及退火处理(550℃)。SEM结果表明,在室温下溅射沉积In薄膜,并且采用Mo/Cu-Ga/In/Cu-Ga/In的叠层顺序,可以获得平整致密的CIGS薄膜。XRD和SEM测量显示,以单质硒作为硒源,在450℃的硒化之后生成分离的CIS和CGS相,惰性氛围的高温退火可以使分离的CIS和CGS相互融合,形成均一化的CIGS四元化合物。在此基础上,最终完成的CIGS电池光电转换效率为7.5%。

TPO防水系统在复杂圆弧形结构金属屋面工程中的应用

重庆龙兴足球场馆作为重庆新地标建筑,其屋面围护系统为复杂圆弧形结构,最外层采用铝装饰板内附单层TPO防水卷材做法,采用无穿孔机械固定与防水预制件施工技术,打造现代化高标准、高质量代表工程。本文重点对该项目的圆弧形结构防水、金属装饰板圆管支座处防水等工程重难点作了分析,并介绍了其解决措施。

Cu-In系中Cu_(11)In_9相的生长动力学研究

采用电沉积方法在Cu基底上制备一层In薄膜得到Cu-In扩散偶。将扩散偶在T=453K、503K和553K时分别进行t=20min、40min、60min和90min的热处理。实验结果表明,在Cu-In扩散偶界面形成了不同厚度的金属间化合物层Cu_(11)In_9相;将Cu_(11)In_9相的厚度与热处理时间的关系按经验公式进行拟合,得到比例常数k和生长速率时间指数n;k和n值的大小表明,金属间化合物Cu_(11)In_9相层的生长速率受扩散和固态铜在液态铟中的溶解共同控制。