太阳电池用Cu-In-Se薄膜的电化学沉积

用CuInSe2制造的太阳电池是仅有的三种产业化的化合物薄膜太阳电池之一。电化学沉积CuInSe2的方法具有价格低、低温成膜、可大面积连续成膜、原材料消耗最少、无污染等特点。但是,电化学沉积中CuInSe2的组成难以控制、工艺参数的变化对组成的影响大,且多数条件上得到的是富铜薄膜。采用电化学沉积方法在钼箔上制备Cu-Se、In-Se和Cu-In-Se薄膜,对电沉积的工艺参数进行了测试,发现Cu-In-Se是一种诱导共沉积,虽然沉积膜不具备化学计量比,但具有一定的光电性能。

Cu-In-Se组分的相图研究综述

CuInSe2是目前报道的光吸收性能最好的材料之一,其在光伏行业的应用前景十分光明.探讨了Cu-In、In-Se、Cu-Se相图以及Cu-In-Se三元相图的研究成果,归纳了Cu、In、Se各组分之间形成的相及其相平衡关系,同时分析了各相的组成和晶体结构.通过对Cu-In-Se的相图研究,可为CuInSe2材料制备的生产工艺提供有价值的参考.

Cu-In-S纳米线促进电催化二氧化碳还原制备一氧化碳

电催化二氧化碳还原能够有效地存储和利用可再生能源并缓解温室效应。发展高效的二氧化碳还原催化剂是抑制析氢提升二氧化碳还原活性的有效方法。铜是目前报道的非常有潜力的二氧化碳还原催化剂。但是,铜往往表现出比较低的二氧化碳还原至一氧化碳的活性。对Cu纳米线引入S和In制备Cu-In-S用于二氧化碳还原,结果表明,Cu-In-S表现出高效的二氧化碳还原活性,其催化电流密度和还原至一氧化碳的法拉第效率有了明显的提升。S的引入有效地提升了电催化剂的粗糙度,提升其电化学活性面积;In的引入有效地抑制了析氢,提高了二氧化碳还原至一氧化碳的活性。

Thermodynamic description of the ternary compounds in the Cu-In-Se system

A set of thermodynamic descriptions of the temary compounds （mainly α-CulnSe2, δ-CulnSe2, Culn3Se5 and CulnsSe8） in the Cu-In-Se system was established by adopting sub-lattice model. The model parameters are carefully evaluated by integrating the experimental data of thermodynamic properties, phase equilibrium and theoretical calculation of formation energies of different point defects. The evaluated Gibbs energies of the compounds reasonably agree with that estimated from EMF experiment and ab initio calculation. The calculated phase relationships in the Cu-In-Se system are in accord with the experimental phase diagrams. The obtained standard enthalpy of formation of CulnSe2 is close to that reported in the literatures.

CI(G)S薄膜太阳电池金属预置层的研究

CI(G)S薄膜太阳电池是目前国际光伏界研究开发的热点.本文研究了采用直流磁控顺序溅射制备的Cu-In-(Ga)预制层的材料特性.制备时的工作压强、溅射顺序以及预制层的组分等因素都直接影响着预制层的结构特性,从而影响到硒化成膜后的薄膜质量.为了改善预制层的特性,对预制层样片进行了预热处理.实验表明合适工作压强条件下采用多层结构制备并经过热处理以后所得的预制层样片,表面形貌和合金状况都比较好.

磁控溅射再硒化法制备Cu（In，Al）Se2薄膜

本文采用磁控溅射的方法制备Cu-In-Al薄膜，然后固态源硒化制成Cu（In，Al）Se2薄膜。采用EDX分析薄膜的成分，SEM观察薄膜的表面形貌，XRD表征薄膜的组织结构。结果表明，由CuIn相为主相的预制膜制成的Cu（In，Al）Se2薄膜具有单一的黄铜矿结构，且随着Al含量的增加，晶面间距减小。