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调制周期数对Mo/AZO成分调制多层膜透光、反光特性以及电性能的影响
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作者 张邵奇 吴隽 +3 位作者 王凯丰 宋坤峰 卢志红 祝柏林 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2024年第2期107-113,共7页
采用射频(RF)和单极中频脉冲直流(UMFPDC)磁控溅射技术,在300℃下制备了Mo/AZO成分调制多层膜。测试结果表明,Mo/AZO成分调制多层膜以(002)为取向的六方纤锌矿型ZnO结构为主;薄膜中Mo的化学态随薄膜厚度而变化,当薄膜厚度为1.67 nm时,M... 采用射频(RF)和单极中频脉冲直流(UMFPDC)磁控溅射技术,在300℃下制备了Mo/AZO成分调制多层膜。测试结果表明,Mo/AZO成分调制多层膜以(002)为取向的六方纤锌矿型ZnO结构为主;薄膜中Mo的化学态随薄膜厚度而变化,当薄膜厚度为1.67 nm时,Mo除单质态外,还存在部分+4和+5的离子价态,当薄膜厚度降至0.83 nm时,已无单质态Mo;调制周期数对成分调制多层膜的透光、反光特性以及电性能影响显著,当调制周期数为3时,Mo/AZO成分调制多层膜的综合性能达到最佳,电阻率、霍尔迁移率和载流子浓度分别为8.64×10^(-4)Ω·cm、8.78 cm^2)/(V·s)和8.23×10^(20)cm^(-3)。在保持金属层、半导体层总厚度不变的情况下,通过改变调制周期数可以增加薄膜的光学透过率并可在较宽范围内调节多层膜的综合性能,这为制备综合性能优异的金属/半导体型透光导电薄膜提供了一条切实可行的途径。 展开更多
关键词 磁控溅射 mo/AZO多层膜 调制周期 光性能 电性能
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Structure characteristic and its evolution of Cu-W films prepared by dual-target magnetron sputtering deposition
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作者 周灵平 汪明朴 +3 位作者 彭坤 朱家俊 傅臻 李周 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第11期2700-2706,共7页
Immiscible Cu-W alloy thin films were prepared using dual-target magnetron sputtering deposition process. The structure evolution of Cu-W thin films during preparation was investigated by X-ray diffraction, transmissi... Immiscible Cu-W alloy thin films were prepared using dual-target magnetron sputtering deposition process. The structure evolution of Cu-W thin films during preparation was investigated by X-ray diffraction, transmission electron microscopy and high resolution transmission electron microscopy. In the initial stage of dual-target magnetron sputtering deposition process, an amorphous phase formed; then it crystallized and the analogy spinodal structure formed due to the bombardment of the sputtered particles during sputtering deposition process, the surface structure of the film without the bombardment of the sputtered particles was the amorphous one, the distribution of the crystalline and amorphous phase showed layer structure. The solid solubility with the analogy spinodal structure was calculated using the Vegard law. For Cu-13.7%W (mole fraction) film, its structure was composed of Cu-ll%W solution, Cu-37%W solution and pure Cu; for Cu 14.3%W film, it was composed of Cu-15%W solution, Cu-38%W solution, and pure Cu; for Cu-18.1%W film, it was composed of Cu-19%W solution, Cu-36% W solution and pure Cu. 展开更多
关键词 cu-w thin film sputtering deposition amorphous phase layer structure solid solubiiity Vegard law
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Cu-W、Cu-Mo薄膜的微观结构及显微硬度分析 被引量:2
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作者 王丽 郭诗玫 +3 位作者 周应强 朱志军 周铖 刘国涛 《云南冶金》 2013年第4期46-49,63,共5页
采用磁控共溅射方法分别制备了含有W和Mo两种不同成分的铜系薄膜,用EDX、XRD、SEM和纳米压痕仪对薄膜成份、结构、形貌和显微硬度进行了分析。结果表明,制备出的Cu-W和Cu-Mo薄膜均呈晶态结构,Cu-W和Cu-Mo形成了均匀的固溶体;经650℃热处... 采用磁控共溅射方法分别制备了含有W和Mo两种不同成分的铜系薄膜,用EDX、XRD、SEM和纳米压痕仪对薄膜成份、结构、形貌和显微硬度进行了分析。结果表明,制备出的Cu-W和Cu-Mo薄膜均呈晶态结构,Cu-W和Cu-Mo形成了均匀的固溶体;经650℃热处理1 h后,Cu-W和Cu-Mo薄膜中晶粒长大,有富W和富Mo相从基体Cu相中弥散析出;Cu-W薄膜的显微硬度随W成分的增加先增加后降低;Cu-Mo薄膜的显微硬度随Mo成分的增加而持续升高,薄膜退火态的显微硬度低于沉积态。分析认为,以上结果的产生均因添加W、Mo所引起的晶粒细化效应和薄膜的热稳定性较差所致。 展开更多
关键词 Cu—W薄膜 Cu—mo薄膜 微观结构 硬度
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Enhanced Photoelectric Property of Mo-C Codoped TiO2 Films Deposited by RF Magnetron Cosputtering 被引量:2
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作者 罗胜耘 YAN Bingxi 沈杰 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2017年第2期223-228,共6页
Mo-C codoped TiO2 films were prepared by RF magnetron cosputtering. Ultraviolet-visible spectroscopy, atomic force microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, energy dispersive X-ray Analysis and X-Ray Diffraction w... Mo-C codoped TiO2 films were prepared by RF magnetron cosputtering. Ultraviolet-visible spectroscopy, atomic force microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, energy dispersive X-ray Analysis and X-Ray Diffraction were used to study the influences of codoping on energy gap, surface morphology, valence states of elements, ions content and crystal structure, respectively. The concentration of photogenerated carriers was measured by studying photocurrent density, while catalytic property was evaluated by observing degradation rate of methylene blue under visible light. A Mo-doped TiO2 film, whose content of Mo had been optimized in advance, was prepared and later used for subsequent comparisons with codoped samples. The result indicates that Mo-C codoping could curtail the energy gap and shift the absorption edge toward visible range. Under the illumination of visible light, codoped TiO2 films give rise to stronger photocurrent due to smaller band gaps. It is also found that Mo, C codoping results in a porous surface, whose area declines gradually with increasing carbon content. Carbon and Molybdenum doses were delicately optimized. Under the illumination of visible light, sample doped with 9.78at% carbon and 0.36at% Mo presents the strongest photocurrent which is about 8 times larger than undoped TiO2 films, and about 6 times larger than samples doped with Mo only. 展开更多
关键词 mo-C codoping TiO2 film magnetron sputtering photoelectric photocatalytic property
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Influence of bath composition on the electrodeposition of cobalt-molybdenum amorphous alloy thin films
5
作者 Qiaoying Zhou Hongliang Ge Guoying Wei Qiong Wu 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2008年第5期611-617,共7页
Cobalt-molybdenum (Co-Mo) amorphous alloy thin films were deposited on copper substrates by the electrochemical method at pH 4.0. Among the experimental electrodeposition parameters,only the concentration ratio of m... Cobalt-molybdenum (Co-Mo) amorphous alloy thin films were deposited on copper substrates by the electrochemical method at pH 4.0. Among the experimental electrodeposition parameters,only the concentration ratio of molybdate to cobalt ions ([MoO4^2-]/[Co^2+]) was varied to analyze its influence on the mechanism of induced cobalt-molybdenum codeposition. Voltammetry was one of the main techniques,which was used to examine the voltammetric response,revealing that cobalt-molybdenum codeposition depended on the nature of the species in solution. To correlate the type of the film to the electrochemical response,various cobalt-molybdenum alloy thin films obtained from different [MoO4^2-]/[Co^2+] solutions were tested. Crack-free homogeneous films could be easily obtained from the low molybdate concentrations ([MoO4^2-]/[Co^2+]≈0.05) applying low deposition potentials. Moreover,the content of molybdenum up to 30wt% could be obtained from high molybdate concentration; in this case,the films showed cracks. The formation of these cracked films could be predicted from the observed distortions in the curves of electric current-time (j-t) deposition transients. The films with amorphous structure were obtained. The hysteresis loops suggested that the easily magnetized axis was parallel to the surface of the films. A saturation magnetization of 137 emu·g^-1 and a coercivity of 87 Oe of the film were obtained when the deposition potential was -1025mV,and [ MoO4^2-]/[Co^2+] was 0.05 in solution,which exhibited a nicer soft-magnetic response. 展开更多
关键词 Co-mo alloy thin films AmoRPHOUS ELECTRODEPOSITION soft magnetism
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Ti-Mo合金薄膜的储氢特性和抗氢脆能力 被引量:24
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作者 施立群 周筑颖 赵国庆 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期530-534,共5页
用前向反冲方法和高能非Rutherford背散射方法研究了磁控溅射制备的Ti-Mo合金薄膜的氢化性能和碳、氧污染的影响。掺Mo的Ti合金薄膜不仅能大大减低碳的污染,而且较纯钛有较高的吸氢性能.合金氢化后由δ相氢化物和... 用前向反冲方法和高能非Rutherford背散射方法研究了磁控溅射制备的Ti-Mo合金薄膜的氢化性能和碳、氧污染的影响。掺Mo的Ti合金薄膜不仅能大大减低碳的污染,而且较纯钛有较高的吸氢性能.合金氢化后由δ相氢化物和β相固溶体组成.随着Mo成分增加,合金中的β-(Ti,Mo)含量上升.当Mo含量(原子分数,%)约20时可形成单一的β相固溶体,此时氢含量(原子分数,%)仍可在45以上.Ti-Mo合金薄膜同时也具有良好的附着力和抗粉化性能。 展开更多
关键词 TI-mo合金 薄膜 氢化 氢脆 储氢特性
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不同金属基体上MoS_2纳米微粒LB膜摩擦学行为研究 被引量:17
7
作者 张平余 薛群基 +2 位作者 刘维民 张治军 杜祖亮 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期112-116,共5页
研究了Cu、Ag及Au等金属基体上二烷基二硫代磷酸修饰MoS2纳米微粒LB膜的摩擦学性能,用红外显微镜分析LB膜在摩擦过程中的结构变化,用电子探针分析考察不同金属基体上LB膜的磨痕形貌.结果表明:DDP修饰MoS2纳... 研究了Cu、Ag及Au等金属基体上二烷基二硫代磷酸修饰MoS2纳米微粒LB膜的摩擦学性能,用红外显微镜分析LB膜在摩擦过程中的结构变化,用电子探针分析考察不同金属基体上LB膜的磨痕形貌.结果表明:DDP修饰MoS2纳米微粒LB膜可有效降低Ag和Cu与GCr15钢对摩时的摩擦系数;该LB膜极易向对偶转移并在摩擦过程中发生摩擦化学变化,主要包括无序化转变及修饰剂的部分分解;无机纳米核起主要承载和抗磨作用.Cu基体上的LB膜耐磨寿命较Ag基体上LB膜的耐磨寿命高100倍,这主要因LB膜与Ag基体的结合较弱. 展开更多
关键词 LB膜 纳米微粒 摩擦学行为 摩擦化学 二硅化钼
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Mo的掺杂方式对TiO_2光催化活性的影响 被引量:11
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作者 杨莹 李新军 +2 位作者 陈俊涛 王良焱 何明兴 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期509-514,共6页
通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验表明,钼的最佳掺杂方式为在薄膜底层掺杂,在... 通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验表明,钼的最佳掺杂方式为在薄膜底层掺杂,在表层及体相掺杂的效果均比未掺杂的TiO2差;其中以Mo的摩尔分数为1.0%、在薄膜底层掺杂时TiO2薄膜的光催化活性最佳。并从载流子分离效率方面讨论了掺杂方式及掺杂浓度对光催化活性的影响。 展开更多
关键词 TIO2 光催化活性 溶胶-凝胶 掺杂
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CIGS薄膜太阳能电池用Mo背电极的制备与结构性能研究 被引量:6
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作者 赵志明 丁宇 +4 位作者 曹智睿 田亚萍 屈直 张国君 蒋百灵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期74-77,共4页
利用磁控溅射技术在Soda-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响。结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo... 利用磁控溅射技术在Soda-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响。结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo靶溅射功率可以促进薄膜晶粒长大、提高薄膜的致密性、降低电阻率;合适的基片脉冲电压脉宽促进了晶核的形成、长大并有助于沉积过程中Mo晶粒长大,进而降低薄膜电阻率;通过延长预清洗时间可获得致密性好、电阻率低的Mo薄膜,所获得的Mo薄膜最低电阻率为3.5×10-5Ω.cm。 展开更多
关键词 mo薄膜 磁控溅射 XRD SEM
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钢表面彩色Mo-S-Fe簇合物膜 被引量:8
10
作者 李道华 叶向荣 +1 位作者 周益明 忻新泉 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第2期173-178,共6页
研究MoS42-在钢表面发生配位化学反应所形成的具有装饰效果的多种彩色簇合物膜。FT-IR、F-IR、FT-Raman、XPS和AES分析表明簇合物膜由Fe、Mo、S、O元素组成,在膜表面铁以Fe(Ⅲ)、钼以Mo(Ⅵ... 研究MoS42-在钢表面发生配位化学反应所形成的具有装饰效果的多种彩色簇合物膜。FT-IR、F-IR、FT-Raman、XPS和AES分析表明簇合物膜由Fe、Mo、S、O元素组成,在膜表面铁以Fe(Ⅲ)、钼以Mo(Ⅵ)状态存在,而在膜内层以Fe(Ⅱ)、Mo(Ⅳ)和Mo(Ⅵ)共存,S和O都呈-2价。从AES深度分布曲线的组成恒定区求得了各元素的相对原子百分浓度和膜层厚度,反应时间越长,膜越厚,膜为多分子层结构。 展开更多
关键词 表面 簇合物膜 硫铁 彩色 防腐处理
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MoS_2 基共溅射薄膜摩擦学性能的研究 被引量:11
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作者 孙晓军 汪晓萍 +3 位作者 孙嘉奕 李陇旭 翁立军 于德洋 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期20-24,共5页
在球-盘滑动摩擦试验机上考察了法向载荷、盘转速、基体材料和环境气压及潮湿贮存时间对MoS2基共溅射薄膜的摩擦因数和耐磨寿命的影响.结果表明:在给定的试验条件下,法向载荷增大时薄膜的稳态摩擦因数有所减小,而耐磨寿命明显... 在球-盘滑动摩擦试验机上考察了法向载荷、盘转速、基体材料和环境气压及潮湿贮存时间对MoS2基共溅射薄膜的摩擦因数和耐磨寿命的影响.结果表明:在给定的试验条件下,法向载荷增大时薄膜的稳态摩擦因数有所减小,而耐磨寿命明显缩短;几种不同金属基体对其表面薄膜摩擦因数的影响基本一致,但对耐磨寿命的影响差别较大;盘转速加快使摩擦因数和摩擦因数波动幅值都减小;环境气压降低(特别在真空中)时薄膜的摩擦因数降低,摩擦稳定性提高,耐磨寿命延长;在潮湿大气中贮存后,薄膜的摩擦因数和耐磨寿命均无明显变化. 展开更多
关键词 共溅射薄膜 摩擦学性能 潮湿贮存 二硫化钼
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Ag、Ta元素对MoS_2抗氧化性影响的研究 被引量:3
12
作者 刘仲阳 王培录 +2 位作者 廖小东 郑思孝 孙官清 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第9期10-12,共3页
用离子束辅助沉积方法 (IBAD)制备MoS2 Ag和MoS2 Ta复合膜以及MoS2 膜。用XPS分别检测在相对湿度 10 0 %室温环境下存放 4 5天和室温去离子水浸泡 15 8h以及在 4 30℃加热 1h后的三种膜中Mo、S元素的电子结构。数据表明 :掺有Ag、Ta... 用离子束辅助沉积方法 (IBAD)制备MoS2 Ag和MoS2 Ta复合膜以及MoS2 膜。用XPS分别检测在相对湿度 10 0 %室温环境下存放 4 5天和室温去离子水浸泡 15 8h以及在 4 30℃加热 1h后的三种膜中Mo、S元素的电子结构。数据表明 :掺有Ag、Ta元素的MoS2 复合膜抗氧化特性远优于同种工艺条件下制备的纯MoS2 膜。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 复合膜 氧化 二硫化钼 固体润滑剂
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直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响 被引量:5
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作者 黄涛 闫勇 +6 位作者 黄稳 张艳霞 晏传鹏 刘连 张勇 赵勇 余洲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期499-503,共5页
采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随... 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层(背接触层)。 展开更多
关键词 mo薄膜 直流磁控溅射 电阻率
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溅射功率对Mo薄膜微结构和性能的影响 被引量:10
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作者 廖国 何智兵 +4 位作者 陈太红 许华 李俊 谌加军 唐永建 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2386-2390,共5页
实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐... 实验采用直流磁控溅射沉积技术在不同溅射功率下制备Mo膜,研究了不同溅射功率下Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构,并对其晶粒尺寸和应力进行了研究。利用原子力显微镜观察样品的表面形貌发现随着溅射功率的增加,薄膜表面粗糙度逐渐增大。X射线衍射分析表明薄膜呈立方多晶结构,晶粒尺寸为14.1~17.9nm;应力先随溅射功率的增大而增大,在40W时达到最大值(2.383GPa),后随溅射功率的增大有所减小。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 mo薄膜 溅射功率 表面形貌 X射线衍射
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ITO:Mo透明导电薄膜的制备 被引量:4
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作者 张春伟 王书昶 +2 位作者 刘振华 刘拥军 何军辉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期111-114,共4页
利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及... 利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及迁移率进行测量和分析。最后,用分光光度计对薄膜的透光率进行测量和分析,并计算了薄膜的禁带宽度。结果表明,在500℃下沉积的薄膜综合性能最好,电阻率可达2.611×10-4Ω.cm,透光率在90%以上,禁带宽度为4.29eV。 展开更多
关键词 ITO∶mo 透明导电薄膜 PLD TCO
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NiAl-Cr(Mo)-Ho-Hf共晶合金的高温磨损特性 被引量:18
16
作者 王振生 郭建亭 +2 位作者 周兰章 盛立远 胡壮麒 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期297-301,共5页
采用滑动磨损实验测试了NiAl-28Cr-5.6Mo-0.25Ho-0.15Hf(原子分数.%)共晶合金与SiC陶瓷配副在600—1000℃下的摩擦磨损特性.结果表明,在700-900℃下合金表现出优异的自润滑耐磨性能,这种特性源于共晶合金摩擦表面生成了1—3μm厚的玻璃... 采用滑动磨损实验测试了NiAl-28Cr-5.6Mo-0.25Ho-0.15Hf(原子分数.%)共晶合金与SiC陶瓷配副在600—1000℃下的摩擦磨损特性.结果表明,在700-900℃下合金表现出优异的自润滑耐磨性能,这种特性源于共晶合金摩擦表面生成了1—3μm厚的玻璃陶瓷润滑膜,该润滑膜可向SiC面转移,形成玻璃陶瓷/玻璃陶瓷的摩擦状态.随着温度的升高,共晶合金与润滑膜的强度降低,SiC微粒压入润滑膜,导致润滑膜的剥落加剧、共晶合金磨损率升高.共晶合金在600℃下由于未形成润滑膜而发生较严重的磨粒磨损,摩擦系数和磨损率很高. 展开更多
关键词 NiAl-Cr(mo)-Ho-Hf共晶合金 SiC陶瓷 摩擦磨损性能 自润滑 玻璃陶瓷膜
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溅射沉积Cu-Mo薄膜的结构和性能 被引量:6
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作者 郭中正 孙勇 +2 位作者 周铖 沈黎 殷国祥 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1422-1428,共7页
用磁控溅射法制备含钼2.19%-35.15%(摩尔分数)的Cu-Mo合金薄膜,运用能谱仪(EDX)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、显微硬度仪和电阻计对薄膜成分、结构和性能进行研究。结果表明:Mo添加使Cu-Mo薄膜晶粒显... 用磁控溅射法制备含钼2.19%-35.15%(摩尔分数)的Cu-Mo合金薄膜,运用能谱仪(EDX)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、显微硬度仪和电阻计对薄膜成分、结构和性能进行研究。结果表明:Mo添加使Cu-Mo薄膜晶粒显著细化,Cu-Mo膜呈纳米晶结构,存在Mo在Cu中的FCC Cu(Mo)非平衡亚稳过饱和固溶体;随Mo含量的增加,Mo固溶度逐渐增加,而薄膜微晶体尺寸则逐渐减小,Mo的最大固溶度为30.6%。与纯Cu膜对比表明,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率随Mo含量的上升而持续增加。经200、400和650℃热处理1 h后,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率均降低,降幅与热处理温度呈正相关;经650℃退火后,Cu-Mo膜基体相晶粒长大,并出现亚微米-微米级富Cu第二相。在Cu-Mo膜的XRD谱中观察到Mo(110)特征峰,Cu-Mo薄膜结构和性能形成及演变的主要原因是添加Mo引起的晶粒细化效应以及热处理中基体相晶粒的生长。 展开更多
关键词 Cu-mo合金薄膜 纳米晶结构 热处理 显微硬度 电阻率
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XPS研究Ti32Mo在浓盐酸溶液中钝化膜结构 被引量:2
18
作者 屈定荣 武显亮 王光耀 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期130-133,共4页
用XPS研究了Ti32Mo在 70℃、4mol/L盐酸溶液阳极电位为 0 2V和 0 9V时的钝化膜结构和组成 .结果表明 ,钝化膜是由表层和过渡层组成的双层结构 .对于阳极电位为 0 2V的试样 ,钝化膜富集因子 f(Mo)随溅射深度增加 ,由最外层的 1 75变化... 用XPS研究了Ti32Mo在 70℃、4mol/L盐酸溶液阳极电位为 0 2V和 0 9V时的钝化膜结构和组成 .结果表明 ,钝化膜是由表层和过渡层组成的双层结构 .对于阳极电位为 0 2V的试样 ,钝化膜富集因子 f(Mo)随溅射深度增加 ,由最外层的 1 75变化到 8nm时的 1 4 0 ;而对于阳极电位为 0 9V的试样 ,钝化膜富集因子 f(Mo)在 1 32~ 1 4 2之间变化 .钝化膜的表层可成Ⅰ和Ⅱ两个亚层 ,其组成主要是Ti和Mo不同价态的氧化物。 展开更多
关键词 浓盐酸溶液 钝化膜 结构 Ti32mo合金 XPS X射线光电子能谱
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W-Mo复合离子掺杂VO_2薄膜热滞回线的热调制现象 被引量:5
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作者 张阳 黄婉霞 +2 位作者 施奇武 宋林伟 徐元杰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期497-501,共5页
以单晶Si(100)为基底,采用无机溶胶–凝胶法在其表面制备W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜。采用SEM、XRD等手段分析了薄膜的表面形貌和晶体结构。在热驱动下,利用原位FTIR分析了W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜半导体–金属相变性能。结果显示:单晶Si(... 以单晶Si(100)为基底,采用无机溶胶–凝胶法在其表面制备W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜。采用SEM、XRD等手段分析了薄膜的表面形貌和晶体结构。在热驱动下,利用原位FTIR分析了W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜半导体–金属相变性能。结果显示:单晶Si(100)表面VO2薄膜具有(011)择优生长取向,W6+、Mo6+取代了V4+在晶格中的位置,实现置换掺杂。热滞回线分析表明,与未掺杂VO2薄膜相比,V1-x-yMoxWyO2薄膜相变温度降低,滞后温宽减小,同时相变陡然性变差,相变温宽增大;在相变温度区间内,温度路径对红外透过率具有调制效果,其调制作用受原始热滞回线的制约。 展开更多
关键词 二氧化钒薄膜 红外光学性能 W-mo复合掺杂 热调制
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0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制 被引量:7
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作者 张兴 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期156-160,共5页
利用自己开发的二维数值深亚微米SOI器件模拟软件,较为详细地分析了沟道长度小于0.2μm 的SOI器件的阈值电压特性、穿通和击穿特性、亚阈值特性以及直流稳态特性等.通过这些模拟和分析计算,给出了沟道长度为0.18、0... 利用自己开发的二维数值深亚微米SOI器件模拟软件,较为详细地分析了沟道长度小于0.2μm 的SOI器件的阈值电压特性、穿通和击穿特性、亚阈值特性以及直流稳态特性等.通过这些模拟和分析计算,给出了沟道长度为0.18、0.15和0.1μm 的薄膜全耗尽SOI/MOS器件的设计方案,并根据该设计方案成功地研制出了性能良好的沟道长度为0.15μm 的凹陷沟道SOI器件.沟道长度为0.15μm 薄膜全耗尽凹陷沟道SOI器件的亚阈值斜率为87m V/dec,击穿电压为1.6V,阈值电压为0.42V,电源电压为1.5V 时的驱动电流为1.85m A,泄漏电流为0. 展开更多
关键词 moS/SOI器件 薄膜 设计
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