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扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响
1
作者
宋忠孝
鞠新华
徐可为
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期723-726,共4页
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型...
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN;ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ·cm,退火后降至正常的数个μΩ·cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149MPa.
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关键词
扩散阻挡层
cu-zr合金膜
电阻率
残余应力
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职称材料
题名
扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响
1
作者
宋忠孝
鞠新华
徐可为
机构
西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
出处
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期723-726,共4页
基金
国家自然科学基金重点资助 59931010项目
文摘
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN;ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ·cm,退火后降至正常的数个μΩ·cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149MPa.
关键词
扩散阻挡层
cu-zr合金膜
电阻率
残余应力
Keywords
diffusion barrier
cu-zr
alloy film
resistivity
residual stress
分类号
TG111.6 [金属学及工艺—物理冶金]
TG146.1 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响
宋忠孝
鞠新华
徐可为
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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职称材料
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