期刊文献+
共找到110篇文章
< 1 2 6 >
每页显示 20 50 100
Structure of Cu-Phthalocyanine Vacuum Deposited on Inclined Glass Substrates
1
作者 Masato Ohmukai Yasutaka Kato 《World Journal of Engineering and Technology》 2023年第4期770-774,共5页
Cu-phthalocyanine is widely studied as a hole-transport layer in organic electronic devices. Since Cu-phthalocyanine is a molecular solid, the crystal structure depends on a circumstance to a great extent. Vacuum depo... Cu-phthalocyanine is widely studied as a hole-transport layer in organic electronic devices. Since Cu-phthalocyanine is a molecular solid, the crystal structure depends on a circumstance to a great extent. Vacuum deposited layers were known to consist of two consecutive layers. In this article, Cu-phthalocyanine was deposited on the glass substrate inclined at several angles. The thickness of the first layer was found to be dependent on the substrate angle. 展开更多
关键词 cu-phthalocyanine Vacuum Deposition Crystal Structure Inclined Substrate
下载PDF
Efficient Carbon-Based CsPbBr_3 Inorganic Perovskite Solar Cells by Using Cu-Phthalocyanine as Hole Transport Material 被引量:7
2
作者 Zhiyong Liu Bo Sun +5 位作者 Xingyue Liu Jinghui Han Haibo Ye Tielin Shi Zirong Tang Guanglan Liao 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2018年第2期185-197,共13页
Metal halide perovskite solar cells(PSCs) have attracted extensive research interest for next-generation solution-processed photovoltaic devices because of their high solar-to-electric power conversion efficiency(PCE)... Metal halide perovskite solar cells(PSCs) have attracted extensive research interest for next-generation solution-processed photovoltaic devices because of their high solar-to-electric power conversion efficiency(PCE)and low fabrication cost. Although the world's best PSC successfully achieves a considerable PCE of over 20% within a very limited timeframe after intensive efforts, the stability, high cost, and up-scaling of PSCs still remain issues. Recently, inorganic perovskite material, CsPbBr_3, is emerging as a promising photo-sensitizer with excellent durability and thermal stability, but the efficiency is still embarrassing. In this work, we intend to address these issues by exploiting CsPbBr_3 as light absorber, accompanied by using Cu-phthalocyanine(CuPc) as hole transport material(HTM) and carbon as counter electrode. The optimal device acquires a decent PCE of 6.21%, over 60% higher than those of the HTM-free devices. The systematic characterization and analysis reveal a more effective charge transfer process and a suppressed charge recombination in PSCs after introducing CuPc as hole transfer layer. More importantly, our devices exhibit an outstanding durability and a promising thermal stability, making it rather meaningful in future fabrication and application of PSCs. 展开更多
关键词 Perovskite solar cells(PSCs) Metal halide CsPbBr3 cu-phthalocyanine(cupc) Carbon electrode
下载PDF
Optical and Electrical Properties of Polyimide Thin Films Doped-Cu-phthalocyanine Polymerized by Vapor Phase Deposition
3
作者 ZHENGJian-bang WANGYuan 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2005年第2期94-98,共5页
Using Cu-phthalocyanine(CuPc),4,4’-diaminodiphenyl ether and pyromellitic dianhydride as monomer materials, polyimide(PI) thin films doped-CuPc have been prepared onto glass substrate by vapor phase co-deposition... Using Cu-phthalocyanine(CuPc),4,4’-diaminodiphenyl ether and pyromellitic dianhydride as monomer materials, polyimide(PI) thin films doped-CuPc have been prepared onto glass substrate by vapor phase co-deposition polymerization under a vacuum of 2×10-3Pa and thermal curing of polyamic acid film in at temperature of 150-200℃ for 60min. In this process, the polymerization can be carried out through controlling the stoichiometric ratio, heating time and deposition rates of the three monomers. IR spectrum identifies the designed chemical structure of the polymer. The absorption of polyimide doped-CuPc is very intense in vis-range and near-infrared by UV-Vis spectrum. And, the PI films doped-CuPc polymerized by vapor phase deposition have uniformity, fine thermal stability and good nonlinear optical properties, and the third-order optical nonlinear susceptibility χ(3) with degenerate four-wave mixing can be 1.984×10-9ESU. 展开更多
关键词 Nonlinear optical materials cu-phthalocyanine POLYIMIDE Vapor phase deposition polymerization Degenerate four-wave mixing
下载PDF
F_(16)CuPc作为阳极缓冲层对有机太阳能电池性能的显著改善 被引量:8
4
作者 刘亚东 苏子生 +2 位作者 庄陶钧 初蓓 李文连 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1176-1180,共5页
采用F16CuPc作为有机太阳能电池的阳极缓冲层可使器件的性能得到显著提高。F16CuPc的引入,一方面可以实现CuPc分子的定向生长,从而改善CuPc薄膜的结晶度,提高其空穴迁移率;另一方面在F16 CuPc/CuPc界面处可形成偶极层,改善空穴的输出效... 采用F16CuPc作为有机太阳能电池的阳极缓冲层可使器件的性能得到显著提高。F16CuPc的引入,一方面可以实现CuPc分子的定向生长,从而改善CuPc薄膜的结晶度,提高其空穴迁移率;另一方面在F16 CuPc/CuPc界面处可形成偶极层,改善空穴的输出效率。以上两个作用有效提高了器件的载流子收集效率,降低了器件的串联电阻和光生载流子复合几率,从而提高了器件的短路电流和填充因子。同时,F16CuPc的引入使器件的内建电场增大,提高了器件的开路电压。 展开更多
关键词 阳极缓冲层 cupc F16cupc 结晶度
下载PDF
真空热蒸发酞菁铜(CuPc)薄膜的结构及光学、电学性能研究 被引量:12
5
作者 何智兵 韩高荣 +1 位作者 吴卫东 唐永建 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期278-282,共5页
为研究衬底温度对酞菁铜(CuPc)薄膜的结构、光学及光电导性能的影响,文中采用真空热蒸发方法制备了不同衬底温度的CuPc薄膜。X射线衍射和Raman光谱分析显示CuPc薄膜呈现很好的定向生长特性,随衬底温度的升高,CuPc薄膜的结晶性变好,其中... 为研究衬底温度对酞菁铜(CuPc)薄膜的结构、光学及光电导性能的影响,文中采用真空热蒸发方法制备了不同衬底温度的CuPc薄膜。X射线衍射和Raman光谱分析显示CuPc薄膜呈现很好的定向生长特性,随衬底温度的升高,CuPc薄膜的结晶性变好,其中α-CuPc的相对含量逐渐增加,而-βCuPc相应减少;场发射扫描电镜观察了不同衬底温度下薄膜的表面形貌和晶粒分布情况;用紫外可见光谱表征了CuPc薄膜的光学性能;CuPc薄膜的光敏性随衬底温度的升高表现出先增大后减小的变化规律。 展开更多
关键词 酞菁铜(cupc) 薄膜 结构 性能 真空蒸发
下载PDF
CuPc/ITO结构的表面和界面电子态的XPS研究 被引量:6
6
作者 郜朝阳 张旭 +2 位作者 郑代顺 何锡源 张福甲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期502-506,共5页
覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的... 覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的注入效率。对CuPc ITO样品的XPS表面分析表明 ,在CuPc分子中 ,铜原子显 +2价 ,通过配位键和氮原子相互作用。CuPc分子中有两类碳原子 :8个C原子与 2个N原子成键 ;其余 2 4个C原子具有芳香烃性质。N原子也处在两种化学环境中 :有 4个N原子只与 2个C原子形成CNC键 ;另外 4个N原子不仅与 2个C原子成键 ,还通过配位键与Cu原子成键。用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀 ,当溅射时间分别为 2 ,5 ,10min时进行XPS采谱分析 ,结果表明 ,随着氩离子束溅射时间增长 ,C 1s,N 1s峰变弱 ,Cu 2p ,O 1s,In 3d,Sn 3d峰增强 ,C 1s,N 1s,O 1s,In 3d和Sn 3d峰都向高束缚能或低束缚能方向移动 ,但它们的情况却不相同。 展开更多
关键词 界面电子态 XPS cupc/ITO 界面分析 导电玻璃 有机发光器件 空穴 电极
下载PDF
空穴缓冲层CuPc对有机电致发光器件特性的影响 被引量:10
7
作者 郑代顺 张旭 钱可元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期78-83,共6页
采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK :TPD/Alq3 /Al和ITO/PVK :TPD/LiBq4/Alq3 /Al的绿色和蓝色有机电致发光器件 (OLED) ,并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响 .结果发现 :对于绿色OLED ,CuPc的加入提高了器件的... 采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK :TPD/Alq3 /Al和ITO/PVK :TPD/LiBq4/Alq3 /Al的绿色和蓝色有机电致发光器件 (OLED) ,并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响 .结果发现 :对于绿色OLED ,CuPc的加入提高了器件的电流和亮度 ,改善了器件的性能 ;而对于蓝色OLED ,CuPc的加入则加剧了载流子的不平衡注入 ,导致器件性能恶化 .这表明空穴缓冲层CuPc对不同结构OLED的特性具有不同的影响 。 展开更多
关键词 空穴缓冲层 cupc 绿色和蓝色OLED 注入势垒 空间电荷
下载PDF
LiBq_4/ITO和LiBq_4/CuPc/ITO表面的AFM与XPS分析 被引量:2
8
作者 欧谷平 宋珍 +2 位作者 桂文明 徐勇 张福甲 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第B12期124-126,共3页
用 AFM 对蓝色 OLED 的空穴传输层 LiBq4/ITO 和 LiBq4/CuPc/ITO 表面扫描。结果均呈岛状结构。LiBq4沉积在 ITO 上成膜较差,在 CuPc 上成膜较好。说明加入 CuPc 能有效改善 LiBq4的成膜质量。XPS 对样品表面 In3d 和 Sn3d 的电子状态... 用 AFM 对蓝色 OLED 的空穴传输层 LiBq4/ITO 和 LiBq4/CuPc/ITO 表面扫描。结果均呈岛状结构。LiBq4沉积在 ITO 上成膜较差,在 CuPc 上成膜较好。说明加入 CuPc 能有效改善 LiBq4的成膜质量。XPS 对样品表面 In3d 和 Sn3d 的电子状态分析也证实 ITO 表面沉积 LiBq4膜存在裂缝,加入 CuPc 可抑制裂缝出现。分析指出,CuPc 由于 Cu(II)离子半满的 dx2-y2轨道在卟啉环平面内和氮强烈作用形成离域大π键,使 LiBq4的沉积状态改善。 展开更多
关键词 发光材料 蓝色OLED 缓冲层cupc
下载PDF
基于MEMS纳米孔Al2O3基板的CuCl2/CuPc传感器及机理研究 被引量:2
9
作者 施云波 郭建英 +2 位作者 张洪泉 时强 安宏亮 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期54-58,共5页
用MEMS微加工方法,以具有90~100nm孔柱的Al2O3膜为基板,设计并制作了具有φ0.2mm微孔通道的气体传感器芯片,并通过真空镀膜方法把CuCl2杂化修饰的CuPc蒸镀成气敏膜,以微壳封装方法制成微结构传感器,实现了主动吸气的检测模式,... 用MEMS微加工方法,以具有90~100nm孔柱的Al2O3膜为基板,设计并制作了具有φ0.2mm微孔通道的气体传感器芯片,并通过真空镀膜方法把CuCl2杂化修饰的CuPc蒸镀成气敏膜,以微壳封装方法制成微结构传感器,实现了主动吸气的检测模式,提高了响应时间和气敏性。通过SEM观察,可见良好的膜表面形貌和尺寸:Al2O3膜基板厚度为0.25mm,侧面为柱状紧密体,表面呈现90~100nm纳米孔活性态;用做电极和加热器的Pt膜的厚度为500nm,柱状密排;敏感膜厚为150nm,连续规整;微壳深度为150~200μm。测试结果表明,传感器对液氯蒸气具有较好的气敏性,其灵敏度为0.01% Cl2浓度下的5倍以上,响应时间小于30s,并呈现N型半导体的变化规律。分析了改变通气状态和加热电压等条件时对传感器气敏性的影响,探讨了CuPc有机半导体的气敏机理。 展开更多
关键词 MEMS Al2O3纳米孔柱 微壳封装 cupc传感器 气敏机理
下载PDF
CuPc/Y分子筛制备与性能的研究 被引量:4
10
作者 范彬彬 李瑞丰 +2 位作者 樊卫斌 曹景慧 钟炳 《石油学报(石油加工)》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期12-16,共5页
用固体凝胶法制备了 Cu Pc/Y分子筛 ,考察了合成条件对制备的影响。用 ICP,TG-DTA,SEM,FT-IR,UV-VIS及催化反应等对其性能作了表征。结果表明 ,在无定形硅铝凝胶 ( GEL)中 ,铜酞菁 ( Cu Pc)经过水热晶化后 ,85 %的金属配合物被封装在 Y... 用固体凝胶法制备了 Cu Pc/Y分子筛 ,考察了合成条件对制备的影响。用 ICP,TG-DTA,SEM,FT-IR,UV-VIS及催化反应等对其性能作了表征。结果表明 ,在无定形硅铝凝胶 ( GEL)中 ,铜酞菁 ( Cu Pc)经过水热晶化后 ,85 %的金属配合物被封装在 Y型分子筛的超笼中 ,高于文献所报道的数值。封装于 Y型分子筛超笼中的Cu Pc,在环己烷氧化反应中的催化能力明显高于未被封装的 Cu 展开更多
关键词 铜酞菁 分子筛 环己烷 氧化反应 固体凝胶法
下载PDF
Al/CuPc/Cu肖特基气敏二极管制备与特性 被引量:2
11
作者 王东兴 刘晓廉 +1 位作者 焦兵兵 刘跃 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2012年第2期127-130,共4页
实验采用溅射和蒸发镀膜工艺,制备了一种新型的Al/CuPc/Cu三明治结构NO2气敏传感器.这种器件对NO2气体具有较高的敏感性,制备工艺简单,成本较低.通过研究其在NO2气体中电学特性的变化,来表征其敏感特性.研究结果表明,在10 ppm的NO2气体... 实验采用溅射和蒸发镀膜工艺,制备了一种新型的Al/CuPc/Cu三明治结构NO2气敏传感器.这种器件对NO2气体具有较高的敏感性,制备工艺简单,成本较低.通过研究其在NO2气体中电学特性的变化,来表征其敏感特性.研究结果表明,在10 ppm的NO2气体环境中,器件的正向电流明显增大.通过比较器件在空气和NO2气体中器件的肖特基势垒高度的变化,发现通入NO2气体50分钟后,CuPc/Al势垒高度降低了60 meV,正向整流电流增加77倍. 展开更多
关键词 肖特基 酞菁铜 敏感度 势垒高度
下载PDF
空穴注入型CuPc二氧化氮气体传感器研究 被引量:4
12
作者 王涛 蒋亚东 黄春华 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期177-178,共2页
讨论了一种新型的基于空穴注入效应的电导型CuPc薄膜二氧化氮气体传感器,其器件结构为:采用溅射工艺的ITO(InO、ZnO)作下电极,真空蒸发CuPc薄膜作为敏感功能层,上电极为AL叉指电极。这种CuPc传感器与传统的AlO_3/CuPc/Al相比,电阻下降了... 讨论了一种新型的基于空穴注入效应的电导型CuPc薄膜二氧化氮气体传感器,其器件结构为:采用溅射工艺的ITO(InO、ZnO)作下电极,真空蒸发CuPc薄膜作为敏感功能层,上电极为AL叉指电极。这种CuPc传感器与传统的AlO_3/CuPc/Al相比,电阻下降了3~4个数量级。同时讨论了该传感器的敏感特性。 展开更多
关键词 酞菁铜 氧化铟锡 空穴注入 敏感特性
下载PDF
杂化CuPc有机半导体的气敏特性研究 被引量:1
13
作者 李月 施云波 +1 位作者 殷景华 杨培滋 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2006年第2期43-46,共4页
采用“模板法”,在N2气保护下,合成CuPc基体材料.通过共溶技术对其杂化,得到具有较理想电导率的气敏材料.应用微精细加工工艺制备具有平面叉指电极结构的气体传感器的基片,利用真空镀膜方法在平面叉指电极基片上形成敏感膜.通过扫描电... 采用“模板法”,在N2气保护下,合成CuPc基体材料.通过共溶技术对其杂化,得到具有较理想电导率的气敏材料.应用微精细加工工艺制备具有平面叉指电极结构的气体传感器的基片,利用真空镀膜方法在平面叉指电极基片上形成敏感膜.通过扫描电子显微(SEM)形貌分析表明,薄膜颗粒尺寸均匀.静态测试法考核传感器性能表明,传感器具有较好的响应恢复性,灵敏度和热稳定特性,对C l2、NO2、H2S等有毒气体选择性好、响应灵敏. 展开更多
关键词 杂化cupc 又指电极 灵敏度 敏感膜
下载PDF
CuPc/ZnS多层复合薄膜的制备及光电性能的研究 被引量:1
14
作者 何智兵 张溪文 +4 位作者 沈鸽 赵高凌 翁文剑 杜丕一 韩高荣 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第1期15-19,共5页
为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数 ,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外 可见光谱和X射线衍射分... 为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数 ,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外 可见光谱和X射线衍射分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系 ,探讨了改变复合膜层数。 展开更多
关键词 多层复合膜 光电导特性 cupc/ZnS 有机/无机复合薄膜 硫化锌 结构
下载PDF
超细Cu/CuPc复合粒子的制备研究
15
作者 韩爱军 叶明泉 +1 位作者 彭新华 刘永峙 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F11期200-201,205,共3页
以苯酐及尿素为主要原料,固相熔融制备CuPc。在饱和CuPc磷酸溶液中,改变铜粉加入量及蒸馏水或以不同浓度的十二烷基苯磺酸钠溶液代替蒸馏水的稀释速度,使CuPc在液相中析出并沉积在铜粉表面,覆盖金属光泽,制备出蓝色的包覆完全的Cu... 以苯酐及尿素为主要原料,固相熔融制备CuPc。在饱和CuPc磷酸溶液中,改变铜粉加入量及蒸馏水或以不同浓度的十二烷基苯磺酸钠溶液代替蒸馏水的稀释速度,使CuPc在液相中析出并沉积在铜粉表面,覆盖金属光泽,制备出蓝色的包覆完全的Cu/CuPc超细复合粒子。并对Cu/CuPc复合粒子进行SEM及XRD表征。 展开更多
关键词 铜粉 cupc 包覆 复合粒子
下载PDF
CuPc/ZnO杂化材料的气敏性能研究
16
作者 娄向东 温云 +2 位作者 王晓兵 王全坤 苏现阀 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期15-19,共5页
为了改善有机半导体材料CuPc的气敏性能,采用溶液法制备了含有不同量ZnO的CuPc/ZnO杂化材料。利用SEM、XRD等测试手段对所制CuPc/ZnO杂化材料进行了表征,并研究了其气敏性能。结果表明:当质量分数w(ZnO)为10%时,CuPc/ZnO杂化材料对Cl2... 为了改善有机半导体材料CuPc的气敏性能,采用溶液法制备了含有不同量ZnO的CuPc/ZnO杂化材料。利用SEM、XRD等测试手段对所制CuPc/ZnO杂化材料进行了表征,并研究了其气敏性能。结果表明:当质量分数w(ZnO)为10%时,CuPc/ZnO杂化材料对Cl2的灵敏度最佳;与未杂化的CuPc相比,其在175℃的最佳工作温度下对体积分数为10×10–6的Cl2的灵敏度提高了1.79倍;另外,该材料对更低浓度的Cl2也具有良好的响应,在175℃温度下,其对体积分数为1×10–6的Cl2的灵敏度为5.3;CuPc/ZnO杂化材料对Cl2具有良好的选择性和响应特性,但恢复时间较长。 展开更多
关键词 cupc ZNO 杂化材料 气敏性能 灵敏度
下载PDF
CuPc/H_2 PtCl_6有机半导体毒气传感器的制备与性能
17
作者 施云波 季惠明 +2 位作者 张洪泉 李月 郭建英 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第B06期345-348,共4页
针对有毒有害气体的监测问题,采用有机合成工艺制备了CuPc有机半导体材料,并对其进行杂化处理和电极设计,形成了具有较佳性能的毒气传感器.以对甲基苯酚、4-硝基邻苯二晴为原材料,以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,在N\-2保护和碳酸钾的催化... 针对有毒有害气体的监测问题,采用有机合成工艺制备了CuPc有机半导体材料,并对其进行杂化处理和电极设计,形成了具有较佳性能的毒气传感器.以对甲基苯酚、4-硝基邻苯二晴为原材料,以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,在N\-2保护和碳酸钾的催化作用下合成酞菁分子碎片,再以共溶技术合成了4取代对甲苯氧基CuPc.然后,按照一定比例将CuPc和H\-2 PtCl\-6共溶在甲醇溶液中,杂化合成了有机半导体CuPc/H\-2PtCl\-6气敏材料.并采用多孔电极结构结合真空饺技术形成气敏薄膜型传感器.质谱和红外吸收光谱分析验证了合成工艺路线的正确性.电子扫描观察了多孔电极和气敏膜的微观形貌.气敏性能测试表明,CuPe/H\-2PtCl\-6对Cl\-2和H\-2S等有毒气体有较好的敏感性和选择性. 展开更多
关键词 cupc/H2 PtCl6 杂化 有机半导体 毒气传感器
下载PDF
CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究
18
作者 严剑飞 吴志明 +5 位作者 太惠玲 李娴 肖战菲 朱涛 熊丽霞 罗振飞 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期168-171,279,共5页
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中... 以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中时,其载流子的浓度和体电导率逐渐增大,迁移率几乎不受影响;相同栅极电压下器件达到饱和状态所需的源漏电压增大,线性区向饱和区推进;阈值电压减小,在栅极电压为0时,界面处逐渐形成导电沟道,器件从增强型向耗尽型转变。 展开更多
关键词 cupc 有机薄膜晶体管 迁移率 体电导率 阈值电压
下载PDF
AFM and XPS Study on the Surface and Interface States of CuPc and SiO_2 Films
19
作者 陈金伙 王永顺 +2 位作者 朱海华 胡加兴 张福甲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1360-1366,共7页
A CuPc/SiO2 sample is fabricated. Its morphology is characterized by atomic force microscopy, and the electron states are investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. In order to investigate these spectra in deta... A CuPc/SiO2 sample is fabricated. Its morphology is characterized by atomic force microscopy, and the electron states are investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. In order to investigate these spectra in detail, all of these spectra are normalized to the height of the most intense peak,and each component is fitted with a single Gaussian function. Analysis shows that the O element has great bearing on the electron states and that SiO2 layers produced by spurting technology are better than those produced by oxidation technology. 展开更多
关键词 cupc/SiO2 X-ray photoelectron spectroscopy surface and interface analysis
下载PDF
CuPc作蓝色OLED的缓冲层对器件性能影响的研究 被引量:3
20
作者 欧谷平 宋珍 +1 位作者 桂文明 张福甲 《光子技术》 2005年第2期25-28,32,共5页
本文对以LiBq4作为发光层,PVK:TPD作为空穴输运层,结构为:ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的蓝色有机电致发光器件,在相同工艺条件下引入和不引入CuPc缓冲层,进行了实验研究。结果表明:由于CuPc缓冲层的引入,使蓝色OLED的电流随电压的增大较... 本文对以LiBq4作为发光层,PVK:TPD作为空穴输运层,结构为:ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的蓝色有机电致发光器件,在相同工艺条件下引入和不引入CuPc缓冲层,进行了实验研究。结果表明:由于CuPc缓冲层的引入,使蓝色OLED的电流随电压的增大较未加CuPc的OLED相对缓慢;且启亮电压上升,发光亮度和效率下降。这主要是因为CuPc加入后,空穴注入势垒降低,使PVK:TPD/LiBq4界面空穴积累数量增大,产生的反向漂移电场阻碍了空穴多数载流子的注入;并进而致使发光层注入空穴数量减小,内建电场加强,激子形成几率变小,解离几率增大。 展开更多
关键词 cupc缓冲层 空间积累电荷 电流-电压特性 发光效率 OLED
下载PDF
上一页 1 2 6 下一页 到第
使用帮助 返回顶部