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射频磁控溅射法制备Cu2ZnSnS4薄膜 被引量:3
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作者 文亚南 李琳 +2 位作者 陈士荣 史成武 梁齐 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期47-50,共4页
利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样... 利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。 展开更多
关键词 cu2znsns4 射频磁控溅射 快速退火 多晶薄膜 择优取向
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用于太阳电池吸收层的Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电特性 被引量:1
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作者 邵乐喜 付玉军 +1 位作者 张军 贺德衍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期337-340,共4页
采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄... 采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104cm-1、光学禁带宽度约为1.51eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载流子浓度分别为1.46Ω·cm,4.2cm2/(V·s)和2.37×1018cm-3,适合作为薄膜太阳电池的吸收层. 展开更多
关键词 cu2znsns4 真空蒸镀 硫化 太阳电池刎
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Cu2ZnSnS4纳米片的两步法制备及其光学性能
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作者 毛永强 胡美娜 +2 位作者 李娜 李博君 毛晶 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1791-1795,共5页
先后利用化学气相沉积法和液相离子交换法,在FTO导电玻璃基底上两步法制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)纳米片,并通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线能谱(EDS)和紫外-可见吸收光谱仪(UV-vis)等表征手... 先后利用化学气相沉积法和液相离子交换法,在FTO导电玻璃基底上两步法制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)纳米片,并通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线能谱(EDS)和紫外-可见吸收光谱仪(UV-vis)等表征手段对所得样品的物相结构、微观形貌、化学组分及光学性能进行测试分析。研究结果表明,所得样品为四方晶型CZTS纳米片,对可见光具有良好的全波段吸收,经计算其禁带宽度约1.51 eV。此外,对CZTS纳米片的形成机理进行初步探讨。 展开更多
关键词 cu2znsns4 纳米片 光学性能 禁带宽度 形成机理
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磁控溅射Sn/Cu/ZnS预置层后硫化法制备Cu2ZnSnS4薄膜及其性能研究
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作者 孙亚明 于万秋 +1 位作者 张勇 华中 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1600-1604,共5页
采用磁控溅射法制备Sn/Cu/ZnS金属预置层,结合硫化热处理制备Cu2ZnSnS4薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)和霍尔测试系统等一系列测试方法对样品结构、各组分... 采用磁控溅射法制备Sn/Cu/ZnS金属预置层,结合硫化热处理制备Cu2ZnSnS4薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)和霍尔测试系统等一系列测试方法对样品结构、各组分含量、表面形貌、光学带隙及电学性能进行表征及计算。研究结果表明Sn/Cu/ZnS金属预置层经490和540℃硫化热处理后的薄膜均为单一Cu2ZnSnS4相,其中,540℃硫化热处理后的薄膜结晶度较高,且薄膜表面平整致密,禁带宽度约为1.58 eV,呈现P型导电。 展开更多
关键词 cu2znsns4 薄膜 磁控溅射 硫化
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循环沉积次数对Cu2ZnSnS4薄膜结构和性能的影响
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作者 孙亚明 华中 +1 位作者 姜雨虹 王志群 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期175-180,共6页
采用磁控溅射法沉积Cu/Sn/ZnS和Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS两种沉积次数不同的预置层薄膜材料,结合后硫化热处理制备铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)薄膜,研究了不同循环沉积次数对CZTS薄膜结构和性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光... 采用磁控溅射法沉积Cu/Sn/ZnS和Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS两种沉积次数不同的预置层薄膜材料,结合后硫化热处理制备铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)薄膜,研究了不同循环沉积次数对CZTS薄膜结构和性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见分光光度计(UV-VIS)等研究了薄膜的结构、表面形貌以及薄膜各组分含量和禁带宽度。结果表明:沉积单个周期的Cu/Sn/ZnS预置层薄膜经550℃硫化后的薄膜为单相CZTS薄膜,化学组分接近理想化学计量比,表面颗粒致密且均匀,禁带宽度约为1.47 eV;沉积3个周期的Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS预置层薄膜550℃硫化后的化学组分与理想化学计量比相差较远,表面颗粒不均匀。对于沉积时间较长的CZTS薄膜,单个周期沉积的薄膜相对3个周期沉积的薄膜更适合作为CZTS太阳能电池吸收层。 展开更多
关键词 cu2znsns4薄膜 磁控溅射 硫化 循环沉积次数
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周期性前驱体的预硫化处理对Cu2ZnSnS4薄膜的影响 被引量:2
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作者 黄晓梦 许佳雄 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期155-162,共8页
Cu2ZnSnS4薄膜具有组成元素来源丰富、吸收系数高等优点,是理想的薄膜太阳能电池吸收层材料。采用磁控溅射法沉积周期性金属叠层前驱体,再进行两步硫化处理制备出Cu2ZnSnS4薄膜,分析第一步硫化(即预硫化)对Cu2ZnSnS4薄膜特性的影响。结... Cu2ZnSnS4薄膜具有组成元素来源丰富、吸收系数高等优点,是理想的薄膜太阳能电池吸收层材料。采用磁控溅射法沉积周期性金属叠层前驱体,再进行两步硫化处理制备出Cu2ZnSnS4薄膜,分析第一步硫化(即预硫化)对Cu2ZnSnS4薄膜特性的影响。结果表明,预硫化处理可促进前驱体的硫化反应。经过预硫化处理的Cu2ZnSnS4薄膜的结晶度优于未进行预硫化处理的Cu2ZnSnS4薄膜。当预硫化温度为350℃时,增加预硫化时间有利于硫化反应的进行,并抑制Sn元素损失,但过长的预硫化时间导致Cu2ZnSnS4薄膜中易出现二次相,影响薄膜的特性。预硫化温度350℃、预硫化时间10 min的Cu2ZnSnS4薄膜结晶度最优,薄膜组分具有贫Cu、富Zn特性,且薄膜表面无孔隙。 展开更多
关键词 cu2znsns4 预硫化 结晶度 周期性 磁控溅射
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化合物半导体Cu2ZnSnS4太阳电池与人工光合作用制氢 被引量:2
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作者 江丰 李林涛 +2 位作者 冯旷 王康 黄定旺 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第6期1-9,共9页
太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的清洁能源,将成为未来新能源的重要组成部分.目前人们除了利用太阳能光伏发电以外,还有利用仿生光合作用将太阳能转化为化学能、利用半导体光电极分解水制氢等方式.而在半导体材料中,低成本环保型的... 太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的清洁能源,将成为未来新能源的重要组成部分.目前人们除了利用太阳能光伏发电以外,还有利用仿生光合作用将太阳能转化为化学能、利用半导体光电极分解水制氢等方式.而在半导体材料中,低成本环保型的化合物半导体光伏材料(如Cu2ZnSnS4等)具有优良的光伏发电性能,同时也非常适合作为太阳光分解水制氢的材料.文章综述了近年来在Cu2ZnSnS4光伏电池及其太阳光分解水制氢领域的研究进展. 展开更多
关键词 化合物半导体光伏材料 光伏电池结构 太阳光分解水制氢 cu2znsns4
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一种具有减反射性能的Cu2ZnSnS4太阳能电池透明导电氧化物薄膜
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作者 敬婧 李致朋 +8 位作者 卢伟胜 王宏宇 杨祖安 杨毅 尹祺圣 杨馥菱 沈晓明 曾建民 詹锋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第23期237-242,共6页
通过研究一种新型透明导电氧化物薄膜(transparent conductive oxide,TCO)的减反射作用,探索增加入射光进入Cu2ZnSnS4(CZTS)太阳能电池从而提高太阳能电池效率的新途径.在AM1.5光照条件下,设计了一种在宽波长范围内具有更好的减反射性能... 通过研究一种新型透明导电氧化物薄膜(transparent conductive oxide,TCO)的减反射作用,探索增加入射光进入Cu2ZnSnS4(CZTS)太阳能电池从而提高太阳能电池效率的新途径.在AM1.5光照条件下,设计了一种在宽波长范围内具有更好的减反射性能的TCO薄膜,即SiO2/ZnO减反射TCO薄膜(antireflective transparent conductive oxide,ATCO).为了衡量300-800 nm波长范围内的减反射效果,引入了有效平均反射率方法(effective average reflectance,EAR)进行测算.为充分考虑折射率色散的影响以及TCO,ATCO薄膜与有源层的耦合,本文采用多维光学传输矩阵对各关键材料层的耦合及膜厚进行了优化,以准确衡量最优的减反射效果.最后,通过比较常规CZTSSC和ATCO-CZTSSC的减反射性能,得到了新型ATCO膜,可以有效地减少光损耗并提高光电转换效率的结论. 展开更多
关键词 减反射膜 透明导电氧化物 cu2znsns4 太阳能电池 有效平均反射率
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六方相Cu2ZnSnS4量子点在钙钛矿太阳能电池中作为空穴传输层性能研究
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作者 张锐 刘曰利 +2 位作者 陈克强 陈巧 陈文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1232-1236,1247,共6页
采用热注入方法成功合成了六方纤锌矿结构Cu_2ZnSn S_4(CZTS)量子点,并使用XRD和TEM对其晶体结构表征,采用UV-vis光谱测量不同尺寸CZTS量子点的光学禁带宽度。发现基于具有1.81 e V带隙的6.7 nm CZTS量子点组装钙钛矿太阳能电池光电转... 采用热注入方法成功合成了六方纤锌矿结构Cu_2ZnSn S_4(CZTS)量子点,并使用XRD和TEM对其晶体结构表征,采用UV-vis光谱测量不同尺寸CZTS量子点的光学禁带宽度。发现基于具有1.81 e V带隙的6.7 nm CZTS量子点组装钙钛矿太阳能电池光电转换效率达到6.5%,与基于spiro-Me OTAD的器件相当(8.0%)。量子转换效率图谱显示在波长680 nm处量子转换效应有明显提升,提高了器件的短路电流和光电转换效率。本研究结果为组装简单廉价的钙钛矿太阳能电池提供新方向。 展开更多
关键词 六方相cu2znsns4量子点 空穴传输材料 钙钛矿太阳能电池 光电转换效率
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2D/2D type-Ⅱ Cu2ZnSnS4/Bi2WO6 heterojunctions to promote visible-light-driven photo-Fenton catalytic activity 被引量:3
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作者 Li Guo Kailai Zhang +5 位作者 Xuanxuan Han Qiang Zhao Yuanyuan Zhang Mian Qi Danjun Wang Feng Fu 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期503-513,共11页
In this work,a set of novel Cu2ZnSnS4/Bi2WO6(CZTS/BWO)two-dimensional(2 D)/two-dimensional(2 D)type-Ⅱheterojunctions with different CZTS weight ratios(1%,2%,and 5%)were successfully synthesized via a brief secondary ... In this work,a set of novel Cu2ZnSnS4/Bi2WO6(CZTS/BWO)two-dimensional(2 D)/two-dimensional(2 D)type-Ⅱheterojunctions with different CZTS weight ratios(1%,2%,and 5%)were successfully synthesized via a brief secondary solvothermal process.The successful formation of the heterojunctions was affirmed by characterization methods such as X-ray photoelectron spectroscopy and high-resolution transmission electron microscopy.The photocatalytic activity results showed that the prepared CZTS/BWO heterojunctions had excellent photocatalytic behaviors for organic degradation,especially when the mass fraction of CZTS with respect to BWO in the composite was 2%.Moreover,the addition of hydrogen peroxide(H2O2)could further improve the dye and antibiotic degradation efficiencies.The reinforced photocatalytic and photo-Fenton degradation performance were primarily attributable to the introduction of BWO,which afforded increased active sites,expanded the solar spectral response range,and accelerated the cycle of Cu(Ⅱ)/Cu(Ⅰ);after four cycling times,its catalytic activity did not decrease significantly.In addition,reasonable hypotheses of the photocatalytic and photo-Fenton catalytic mechanisms were formulated.This study is expected to provide a visual approach for designing a novel photo-Fenton catalyst to jointly utilize the photocatalytic and Fenton activities,which can be better applied to the purification of residual organics in wastewater. 展开更多
关键词 cu2znsns4 Bi2WO6 2D/2D type-Ⅱheterojunction PHOTO-FENTON Photocatalysis
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退火工艺对滴涂法制备的Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响
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作者 张昕曜 薛剑鸣 +3 位作者 王威 郝凌云 支国伟 赵婷婷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期669-674,696,共7页
采用滴涂法将Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米墨水制成薄膜,研究了退火工艺对薄膜性能的影响。首先,采用乙醇作为溶剂、三乙醇胺作为分散剂,将微波液相合成的水性CZTS纳米颗粒配成纳米墨水,并采用滴涂法将纳米墨水制成CZTS薄膜。其次,为了提高薄... 采用滴涂法将Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米墨水制成薄膜,研究了退火工艺对薄膜性能的影响。首先,采用乙醇作为溶剂、三乙醇胺作为分散剂,将微波液相合成的水性CZTS纳米颗粒配成纳米墨水,并采用滴涂法将纳米墨水制成CZTS薄膜。其次,为了提高薄膜的结晶性,将制备的CZTS薄膜在氮气气氛下进行退火处理,研究了退火温度与退火时间对薄膜形貌、成分及物相结构的影响。研究结果表明,随着退火时间的延长,薄膜中的Cu2-xS杂相逐渐消失,薄膜的结晶性和致密性逐渐提高;随着退火温度的增加,薄膜的结晶性与致密性也有所提高。在500℃下退火30 min,所制备的CZTS薄膜不存在杂质相,且表面较为均匀致密。 展开更多
关键词 cu2znsns4 退火工艺 滴涂法 薄膜 纳米墨水
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H,Cl和F原子钝化Cu2ZnSnS4(112)表面态的第一性原理计算
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作者 王小卡 汤富领 +3 位作者 薛红涛 司凤娟 祁荣斐 刘静波 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第16期271-282,共12页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究了Cu_2ZnSnS_4体相的晶格结构、能带、态密度及表面重构与H,Cl和F原子在Cu_2ZnSnS_4(112)表面上的吸附和钝化机理.计算结果表明:表面重构出现在以金属原子Cu-Zn-Sn终止的Cu_2ZnSnS_4(1... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究了Cu_2ZnSnS_4体相的晶格结构、能带、态密度及表面重构与H,Cl和F原子在Cu_2ZnSnS_4(112)表面上的吸附和钝化机理.计算结果表明:表面重构出现在以金属原子Cu-Zn-Sn终止的Cu_2ZnSnS_4(112)表面上,并且表面重构使表面发生自钝化;当单个H,Cl或F原子吸附在S原子终止的Cu_2ZnSnS_4(112)表面上时,相比于桥位(bridge)、六方密排(hcp)位和面心立方(fcc)位点,三种原子均在特定的顶位(top)吸附位点表现出最佳稳定性.当覆盖度为0.5 ML时,无论H,Cl还是F原子占据Cu_2ZnSnS_4(112)表面的2个顶位均具有最低的吸附能.以S原子终止的Cu_2ZnSnS_4(112)表面在费米能级附近的电子态主要由价带顶部Cu-3d轨道和S-3p轨道电子贡献,此即表面态.当H,Cl或F原子在表面的覆盖度达0.5 ML时,费米能级附近的表面态降低,其中H原子钝化表面态的效果最佳,Cl原子的效果次之,F原子的效果最差.表面态降低的主要原因在于吸附原子从S原子获得电子致使表面Cu原子和S原子在费米能级处的态密度峰几乎完全消失. 展开更多
关键词 第一性原理 cu2znsns4(112)表面态 吸附 钝化
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Zn(1-x)MgxO/Cu2ZnSnS4异质结薄膜太阳能电池的仿真研究
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作者 包乌吉斯古楞 萨初荣贵 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第5期337-342,共6页
铜锌锡硫(CZTS)薄膜太阳能电池通常采用的缓冲层材料为有毒的半导体CdS,本文以禁带宽度可调且无环境污染的Zn(1-x)MgxO代替CdS。采用SCAPS-1D仿真软件,分析了Zn(1-x)MgxO/CZTS异质界面能带带阶、Zn1-xMgxO缓冲层材料载流子浓度和厚度对... 铜锌锡硫(CZTS)薄膜太阳能电池通常采用的缓冲层材料为有毒的半导体CdS,本文以禁带宽度可调且无环境污染的Zn(1-x)MgxO代替CdS。采用SCAPS-1D仿真软件,分析了Zn(1-x)MgxO/CZTS异质界面能带带阶、Zn1-xMgxO缓冲层材料载流子浓度和厚度对电池输出性能的影响。研究结果表明:当Zn(1-x)MgxO/CZTS异质界面导带带阶为0.1 eV、Zn(1-x)MgxO缓冲层材料载流子浓度为10^(18)cm^(-3)、厚度约50 nm时,能够获得最高效率的Zn(1-x)MgxO/CZTS薄膜太阳能电池。 展开更多
关键词 Zn(1-x)MgxO cu2znsns4 太阳能电池 SCAPS-1D 禁带宽度
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Cu元素比例对Cu2ZnSnS4薄膜光电性能的影响
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作者 曾友鹏 姚恺丽 杨秀凡 《河南科技》 2019年第14期124-127,共4页
采用溶胶-凝胶法,以金属醇盐和硫脲为原料,并将乙二醇甲醚为溶剂在玻璃衬底上制备不同Cu组分比例的Cu2ZnSnS4薄膜材料,通过金相显微镜进行观察。结果表明:Cu元素摩尔比为1.8、1、9时,薄膜表面颗粒分布较为均匀,最强吸光度为0.23A、透射... 采用溶胶-凝胶法,以金属醇盐和硫脲为原料,并将乙二醇甲醚为溶剂在玻璃衬底上制备不同Cu组分比例的Cu2ZnSnS4薄膜材料,通过金相显微镜进行观察。结果表明:Cu元素摩尔比为1.8、1、9时,薄膜表面颗粒分布较为均匀,最强吸光度为0.23A、透射比为80.86%。随着Cu比例的增大,载流子浓度逐渐升高,迁移率和霍尔电压降低,最大载流子浓度和迁移率分别为3.87×10^17/cm^3和3.58×10^2cm^2/V.S,霍尔电压最大值为12mV,Cu元素比例增加后,CZTS薄膜结晶质量变差,电阻率减小。 展开更多
关键词 cu2znsns4薄膜 Cu组分 光电性能
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粉末法制备太阳能电池Cu2ZSnS4薄膜吸收层 被引量:11
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作者 杨永刚 王世成 +1 位作者 倪沛然 果世驹 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2008年第1期24-29,共6页
使用感应熔炼法制备Cu-Zn-Sn合金,并利用单辊甩带制备连续均匀的Cu-Zn-Sn合金薄带。球磨Cu-Zn-Sn合金薄带后和硫粉混合制成粉末前驱体,再将粉末前驱体涂敷在钠钙玻璃基体上在H2+S(g)和N2+S(g)气氛中退火,得到太阳能电池薄膜吸收层用材Cu... 使用感应熔炼法制备Cu-Zn-Sn合金,并利用单辊甩带制备连续均匀的Cu-Zn-Sn合金薄带。球磨Cu-Zn-Sn合金薄带后和硫粉混合制成粉末前驱体,再将粉末前驱体涂敷在钠钙玻璃基体上在H2+S(g)和N2+S(g)气氛中退火,得到太阳能电池薄膜吸收层用材Cu2ZnSnS4。利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)对Cu-Zn-Sn合金薄带及Cu2ZnSnS4薄膜进行分析和表征,并利用可见光-紫外分光光度计测量Cu2ZnSnS4薄膜的吸收率和透光率。结果表明:使用单辊甩带法可以制备出成分均匀的脆性合金薄带,薄带厚度为6~10μm。在N2+S(g)气氛下400℃退火后可制成比较纯净的具有锌黄锡矿结构的Cu2ZnSnS4薄膜,其禁带宽度为1.61eV。 展开更多
关键词 感应熔炼 单辊甩带法 cu2znsns4薄膜:禁带宽度
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硒化对Cu2ZnSn(S,Se)4太阳电池光伏性能影响机制研究
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作者 姚斌 肖振宇 《白城师范学院学报》 2020年第5期1-11,36,共12页
文章利用溶液法和硒化技术在镀Mo钠钙玻璃(Mo/SLG)衬底上制备出具有锌黄锡矿结构的Cu 2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜,研究了硒化温度(500~600℃)和硒化时间(5~30 min)对CZTSSe薄膜质量和生长在CZTSSe/Mo界面的Mo(S,Se)2(MSSe)过渡层厚度的影... 文章利用溶液法和硒化技术在镀Mo钠钙玻璃(Mo/SLG)衬底上制备出具有锌黄锡矿结构的Cu 2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜,研究了硒化温度(500~600℃)和硒化时间(5~30 min)对CZTSSe薄膜质量和生长在CZTSSe/Mo界面的Mo(S,Se)2(MSSe)过渡层厚度的影响.发现在500~550℃,15~30 min硒化可制备出晶粒质量好、尺寸大、堆积致密的CZTSSe薄膜和厚度合适的MSSe过渡层;以经530℃,5~30 min硒化获得的CZTSSe薄膜为吸收层,制备了结构为Al/ITO/i-ZnO/CdS/CZTSSe/Mo/SLG的太阳电池.发现对应5~15 min硒化的太阳电池的转换效率(PCE)随硒化时间的增加从1.9%增加到7.48%,对应15~30 min硒化的太阳电池的PCE却随硒化时间的增加从7.48%减小到4.23%.PCE的增加归因于开路电压(V oc)、短路电流密度(J sc)和填充因子(FF)的增加,PCE的减小归因于V oc和FF减少;通过研究CZTSSe薄膜质量和MSSe厚度对太阳电池光损失、内建电场和电学参数的影响,阐述了硒化温度和时间对V oc,J sc和FF的影响机制. 展开更多
关键词 Cu 2ZnSn(S Se)4薄膜 太阳电池 硒化温度 硒化时间 光伏性能
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Lithium-assisted synergistic engineering of charge transport both in GBs and GI for Ag-substituted Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells 被引量:2
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作者 Xiangyun Zhao Xiaohuan Chang +6 位作者 Dongxing Kou Wenhui Zhou Zhengji Zhou Qingwen Tian Shengjie Yuan Yafang Qi Sixin Wu 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第11期9-15,共7页
Although silver(Ag) substitution offers several benefits in eliminating bulk defects and facilitating interface type inversion for Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe) photovoltaic(PV) technology, its further development is still h... Although silver(Ag) substitution offers several benefits in eliminating bulk defects and facilitating interface type inversion for Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe) photovoltaic(PV) technology, its further development is still hindered by the fairly low electrical conductivity due to the significant decrease of acceptors amount.In this work, a versatile Li–Ag co-doping strategy is demonstrated to mitigate the poor electrical conductivity arising from Ag through direct incorporating Li via postdeposition treatment(PDT) on top of the Ag-substituted CZTSSe absorber. Depth characterizations demonstrate that Li incorporation increases ptype carrier concentration, improves the carrier collection within the bulk, reduces the defects energy level as well as inverts the electric field polarity at grain boundaries(GBs) for Ag-substituted CZTSSe system. Benefiting from this lithium-assisted complex engineering of electrical performance both in grain interior(GI) and GBs, the power conversion efficiency(PCE) is finally increased from 9.21% to 10.29%. This systematic study represents an effective way to overcome the challenges encountered in Ag substitution,and these findings support a new aspect that the synergistic effects of double cation dopant will further pave the way for the development of high efficiency kesterite PV technology. 展开更多
关键词 cu2ZnSn(S Se)4 Thin film solar cell Ag substitution Alkali doping POST-TREATMENT
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溶剂热法制备球状Cu_2ZnSnS_4纳米晶及其表征 被引量:11
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作者 蔡倩 梁晓娟 +4 位作者 钟家松 邵明国 王芸 赵肖为 向卫东 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2920-2926,共7页
通过简单的溶剂热法合成了锌黄锡矿结构的Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米晶,使用L-半胱氨酸作硫源和络合剂,以金属氯化物作前驱体,在180°C下反应16h成功获得了CZTS微球.使用X射线衍射(XRD)仪,场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能量色散谱(EDS)... 通过简单的溶剂热法合成了锌黄锡矿结构的Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米晶,使用L-半胱氨酸作硫源和络合剂,以金属氯化物作前驱体,在180°C下反应16h成功获得了CZTS微球.使用X射线衍射(XRD)仪,场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能量色散谱(EDS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、多功能X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计对产物的物相、结构、形貌及光学性能进行表征.结果表明:所得的产物为纯相锌黄锡矿结构的CZTS纳米颗粒,CZTS微球直径为400-800nm,并可观察到微球是由大量厚度约20nm的纳米片构成;将CZTS颗粒均匀分散在异丙醇中,测试后估算其禁带宽度约1.58eV,与薄膜太阳能电池所需的最佳禁带宽度相近.并对其形成机理进行了初步探讨. 展开更多
关键词 cu2znsns4纳米晶 溶剂热法 L-半胱氨酸 太阳能电池
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高质量Cu_2ZnSnS_4纳米晶的合成及其自组装行为的研究 被引量:5
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作者 汪啸 刘大鹏 +2 位作者 宋术岩 刘永鑫 张洪杰 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期259-263,共5页
本文以简单的无机盐,包括醋酸铜、醋酸锌、四氯化锡为原料,以硬脂酸和硬脂胺作为保护剂,以二苯醚作为溶剂,采用高温热注射的方法,合成出了高质量的具有自组装行为的Cu2ZnSnS4纳米晶,并详细研究了酸和胺对于纳米晶形貌的影响。研究结果表... 本文以简单的无机盐,包括醋酸铜、醋酸锌、四氯化锡为原料,以硬脂酸和硬脂胺作为保护剂,以二苯醚作为溶剂,采用高温热注射的方法,合成出了高质量的具有自组装行为的Cu2ZnSnS4纳米晶,并详细研究了酸和胺对于纳米晶形貌的影响。研究结果表明,随着硬脂酸用量的增加,Cu2ZnSnS4纳米晶的尺寸逐渐变大,并且呈现出具有多个棱角的复杂结构。此方法制备的Cu2ZnSnS4纳米晶对于紫外和可见光区均有很强的吸收,是构筑高效、低耗的薄膜太阳能电池的理想材料。 展开更多
关键词 cu2znsns4 纳米晶 高温热注射 自组装
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Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒及其薄膜的制备与表征 被引量:8
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作者 罗鹏 赵丽霞 徐键 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期79-82,共4页
采用热注入法,在油胺(OLA)中合成出Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒,并在玻璃衬底上制备了薄膜,研究了不同合成温度对纳米颗粒生成的影响.通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计对所得纳米晶材料... 采用热注入法,在油胺(OLA)中合成出Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒,并在玻璃衬底上制备了薄膜,研究了不同合成温度对纳米颗粒生成的影响.通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计对所得纳米晶材料的结构与成分、颗粒大小与形貌、光吸收谱进行了测试分析.研究结果表明:采用热注入法的最佳合成温度在260℃左右,该温度下生成的多晶CZTS纳米颗粒尺寸约10 nm,分散性良好,光学禁带宽度约1.5 eV. 展开更多
关键词 热注入 cu2znsns4 纳米颗粒 薄膜 太阳能电池
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