期刊文献+
共找到44篇文章
< 1 2 3 >
每页显示 20 50 100
Cu_2SnS_3薄膜的制备及性能研究 被引量:2
1
作者 杜金会 于振瑞 +2 位作者 张加友 王妍妍 李正群 《光电子技术》 CAS 2004年第3期151-155,158,共6页
采用 LBL(layer- by- layer)法制备了 Cu2 Sn S3 薄膜。即首先采用电化学方法在 Sn O2 衬底上制备 Sn S薄膜 ,然后又在其上用化学沉积法制备 Cu S薄膜 ,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的 Cu2 Sn S3 薄膜。探讨了薄膜的制备机理、... 采用 LBL(layer- by- layer)法制备了 Cu2 Sn S3 薄膜。即首先采用电化学方法在 Sn O2 衬底上制备 Sn S薄膜 ,然后又在其上用化学沉积法制备 Cu S薄膜 ,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的 Cu2 Sn S3 薄膜。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性。制备的薄膜为多晶(Cu2 Sn S3 ) 72 z(三斜或假单斜晶系 )结构 ,其直接光学带隙约为 1 .0 5 e V。 展开更多
关键词 cu2sns3薄膜 LBL(1ayer-by-layer)法 结构特性 光学特性
下载PDF
Cu/Sn比率对Cu_2SnSe_3薄膜若干物理性质的影响 被引量:1
2
作者 张伟 陈顺礼 汪渊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期630-634,共5页
利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87~2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果... 利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87~2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的Cu2SnSe3薄膜为立方晶体结构,具有(111)择优取向;贫铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而增大;富铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而不变。薄膜电阻率为1.67~4.62mΩ.cm。 展开更多
关键词 cu2snse3薄膜 cu/sn比率 硒化 物理性质
下载PDF
Cu/Sn原子比对溅射法制备的Cu2SnS3薄膜性能的影响 被引量:1
3
作者 贾宏杰 程树英 +5 位作者 马为民 胡晟 崔广州 林真 周健飞 钟胜铨 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期11171-11174,共4页
利用磁控溅射法在玻璃基片上沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S:N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜。制备出Cu/Sn原子比不同的薄膜样品,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手... 利用磁控溅射法在玻璃基片上沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S:N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜。制备出Cu/Sn原子比不同的薄膜样品,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征。研究了Cu/Sn原子比对Cu2SnS3薄膜性能的影响。结果表明,制备的薄膜是(^-131)晶向择优生长的Cu2SnS3多晶薄膜,当Cu2SnS3薄膜的Cu/Sn原子比为1.91时,获得结晶性能优异、半导体性能满足太阳电池对吸收层要求的P型Cu2SnS3半导体薄膜,此薄膜在其光学吸收边具有较高的光吸收系数2.07×10^4 cm^-1、合适的载流子浓度6.6×10^18 cm^-3、较高的载流子迁移率5.1 cm^2 v^-1s^-1及较窄的禁带宽度0.97 eV。 展开更多
关键词 cu2sns3薄膜 磁控溅射 cu/sn原子比 太阳电池吸收层
下载PDF
利用Cu_2SnS_3纳米晶和Zn离子混合溶液制备Cu_2ZnSnS_4薄膜(英文)
4
作者 童正夫 杨佳 +6 位作者 颜畅 郝萌萌 刘芳洋 蒋良兴 赖延清 李劼 刘业翔 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第8期2102-2108,共7页
在非真空条件下,选用无毒原材料,采用溶液法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜。利用透射电镜、X射线衍射、扫描电镜、能谱以及拉曼等研究手段,对Cu_2ZnSnS_4薄膜的形成机理进行分析。通过循环伏安及光电测试,探讨Cu_2ZnSnS_4薄膜作为染料敏化太阳能... 在非真空条件下,选用无毒原材料,采用溶液法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜。利用透射电镜、X射线衍射、扫描电镜、能谱以及拉曼等研究手段,对Cu_2ZnSnS_4薄膜的形成机理进行分析。通过循环伏安及光电测试,探讨Cu_2ZnSnS_4薄膜作为染料敏化太阳能电池对电极的催化性能。结果表明:采用溶液法制备的Cu_2ZnSnS_4混合前驱体溶液主要由Cu2SnS 3纳米晶和Zn离子组成,将其滴涂成膜后,经过550°C退火,最终可以得到Cu_2ZnSnS_4薄膜;制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜对氧化还原对I-3/I-具有一定的催化作用,将其应用于染料敏化太阳能电池的对电极取得了1.09%的光电转化效率。 展开更多
关键词 cu2Znsns4薄膜 cu2sns3纳米晶 Zn离子 电催化 染料敏化太阳能电池
下载PDF
射频磁控溅射法制备Cu_2SnS_3薄膜结构和光学特性的研究
5
作者 李学留 刘丹丹 +1 位作者 史成武 梁齐 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第4期400-408,共9页
利用射频磁控溅射法并经快速退火处理制备Cu_2SnS_3薄膜,研究了使用SnS_2、Cu_2S混合靶(摩尔比分别为1∶1、1∶1.5、1∶2)及在不同溅射功率(40和80W)条件下所制备Cu_2SnS_3薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌和光学特性。结... 利用射频磁控溅射法并经快速退火处理制备Cu_2SnS_3薄膜,研究了使用SnS_2、Cu_2S混合靶(摩尔比分别为1∶1、1∶1.5、1∶2)及在不同溅射功率(40和80W)条件下所制备Cu_2SnS_3薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌和光学特性。结果表明:混合靶的SnS_2、Cu_2S最佳摩尔比为1∶1.5,利用该靶所制备薄膜均结晶;在溅射功率为80 W条件下,所制备薄膜结晶质量和择优取向度高,应变最小,Cu∶Sn∶S摩尔比为1.89∶1∶2.77,平均颗粒直径和平均粗糙度分别为332和0.742 nm,吸收系数达到10~4cm^(-1),禁带宽度为1.32 eV。制备了n-Si/p-CTS异质结器件,器件具有良好的整流特性和光电流响应特性。 展开更多
关键词 cu2sns3薄膜 射频磁控溅射 快速退火 晶体结构 光学特性
下载PDF
In掺杂对Cu_2SnS_3结构和电输运性能的影响
6
作者 沈亚伟 潘林 王一峰 《南京工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2017年第3期21-25,共5页
通过固相合成法制备In掺杂p型Cu_2SnS_3的致密块体Cu_2Sn_(1-x)In_xS_3,考察其晶体结构和电输运特性。结果表明:In置换Sn引入空穴极大地提高电导率,且增加价带顶的简并度(三重),进而得到合适的赛贝克系数。x=0.20时Cu_2Sn_(0.8)In_(0.2_... 通过固相合成法制备In掺杂p型Cu_2SnS_3的致密块体Cu_2Sn_(1-x)In_xS_3,考察其晶体结构和电输运特性。结果表明:In置换Sn引入空穴极大地提高电导率,且增加价带顶的简并度(三重),进而得到合适的赛贝克系数。x=0.20时Cu_2Sn_(0.8)In_(0.2_S_3的功率因子在673 K时达到0.75 mW/(m·K^2)。随着In掺杂量的增大,Cu_2SnS_3的晶体结构从有序的单斜相向无序的立方相和四方相结构转变,有效地抑制声子传播。利用理论最低晶格热导和Wiedemann-Franz定律计算的电子热导估算量纲为1的热电优值(ZT),在673 K时Cu_2Sn_(0.8)Zn_(0.2)S_3的ZT高达0.8,显示Cu_2SnS_3作为新型环保型热电材料的巨大潜力。 展开更多
关键词 cu2sns3 In掺杂 结构转变 功率因子
下载PDF
溅射叠层金属前驱体−硫化法制备Cu2SnS3薄膜综合实验设计
7
作者 贾宏杰 程树英 +2 位作者 马为民 胡晟 崔广州 《实验科学与技术》 2020年第6期29-33,共5页
利用磁控溅射法在玻璃基片上依次沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S∶N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜。分利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外−可见−近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征。研究... 利用磁控溅射法在玻璃基片上依次沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S∶N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜。分利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外−可见−近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征。研究了硫化温度对Cu2SnS3薄膜性能的影响,结果表明,硫化温度为460℃时,制备出结晶性能好的P型Cu2SnS3半导体薄膜,此薄膜具有合适的载流子浓度~1017/cm^3、较高的载流子迁移率4.40 cm^2/(v·s)、较低的电阻率4.34Ω·cm。通过此综合实验的设计、Cu2SnS3薄膜的制备、性能表征和分析,有利于提高学生的实践能力和创新能力。 展开更多
关键词 太阳电池吸收层 cu2sns3薄膜 硫化温度 综合实验
下载PDF
Enhancing superconductivity of ultrathin YBa2Cu3O7-δ films by capping non-superconducting oxides 被引量:1
8
作者 薄海 任天爽 +2 位作者 陈峥 张蒙 谢燕武 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第6期403-407,共5页
In this study, we have explored the ways to fabricate and optimize high-quality ultrathin YBa2 Cu3 O7-δ(YBCO) films grown on single-crystal(001) SrTiO3 substrates. Nearly atomic-flat YBCO films are obtained by pulsed... In this study, we have explored the ways to fabricate and optimize high-quality ultrathin YBa2 Cu3 O7-δ(YBCO) films grown on single-crystal(001) SrTiO3 substrates. Nearly atomic-flat YBCO films are obtained by pulsed laser deposition.Our result shows that the termination of SrTiO3 has only a negligible effect on the properties of YBCO. In contrast, we found that capping a non-superconducting oxide layer can generally enhance the superconductivity of YBCO. PrBa2 Cu3 O7,La2 CuO4, LaMnO3, SrTiO3, and LaAlO3 have been examined as capping layers, and the minimum thickness of superconducting YBCO with capping is ~ 2 unit cells–3 unit cells. This result might be useful in constructing good-performance YBCO-based field effect devices. 展开更多
关键词 YBa2cu3O7-δ(YBCO) SUPERCONDUctIVITY OXIDES film
下载PDF
Cu2SnS3薄膜的溶液法制备及表征
9
作者 孙爱民 徐斌 +2 位作者 赵雲 董延 张猛 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第5期41-44,共4页
采用溶液法在玻璃基底上制备了Cu_2SnS_3薄膜,研究了不同退火温度对Cu_2SnS_3薄膜性能的影响,采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计分别表征了薄膜的物相结构、形貌和光学性能.结果表明,退火温度对C... 采用溶液法在玻璃基底上制备了Cu_2SnS_3薄膜,研究了不同退火温度对Cu_2SnS_3薄膜性能的影响,采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计分别表征了薄膜的物相结构、形貌和光学性能.结果表明,退火温度对Cu_2SnS_3薄膜的相结构、形貌及光学性能有显著影响,随着退火温度的升高,薄膜中的晶粒尺寸明显增大,结晶性也有所增加;退火温度为500℃时,可以生成单相的Cu_2SnS_3薄膜;在不同退火温度下所制备薄膜的禁带宽度均接近1.05eV. 展开更多
关键词 cu2sns3薄膜 溶液法 退火温度
下载PDF
High Jc Epitaxial Superconducting YBa_2Cu_3O_(7-x) Thin Films
10
作者 Chen Lanfeng Zhou Li Wang Chaoqun General Research Institute of Non-ferrous Metals.Beijing,China Li Lin Zhao Bairu Zhang Yinzi Qiu Xianggang Institute of Physics,Academia Sinica,Beijing.China Pang Shijing Beijing Laboratory of Vacuum Physics,China Kou Yuanheng Department of Physics.Peking University,Beijing,China 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1990年第1期66-67,共2页
Excellent epitaxial growth of supercon-ducting YBaCuOthin films have beenrealized on(100)SrTiOand(100)ZrOsubstrates by a planar rf or DC-magnetronsputtering apparatus with UHV system.Thequality of growth and the epita... Excellent epitaxial growth of supercon-ducting YBaCuOthin films have beenrealized on(100)SrTiOand(100)ZrOsubstrates by a planar rf or DC-magnetronsputtering apparatus with UHV system.Thequality of growth and the epitaxial orientationof the film strongly depended on substratetemperature,the substrate orientation and ox-ygen partial pressure.The films exhibitedsuperconducting onset at 92K and zero resist-ance at 90K with critical current density of 展开更多
关键词 YBCO HIGH Thin films High Jc Epitaxial Superconducting YBa2cu3O cu
下载PDF
Interfacial Electronic Structure of Thin Cu Films Grown on Ar^+-ion Sputter-cleaned α-Al_2O_3 Substrates
11
作者 Christina Scheu, Min Gao and Manfred RuhleMax-Planck-Institut fur Metallforschung, Seestr. 92, 70174 Stuttgart, Germany 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第2期117-120,共4页
The bonding and electronic structure of Cu/(0001)Al2O3 and Cu/(1120)Al2O3 interfaces has been studied experimentally using spatially-resolved transmission electron energy loss spectroscopy. The specimen were prepared ... The bonding and electronic structure of Cu/(0001)Al2O3 and Cu/(1120)Al2O3 interfaces has been studied experimentally using spatially-resolved transmission electron energy loss spectroscopy. The specimen were prepared by depositing Cu on single-crystal α-AI2O3 substrates, which have been Ar+-ion sputter-cleaned prior to the growth of Cu. For both orientations of the α-Al2O3 substrate, atomically abrupt interfaces formed as determined by high-resolution transmission electron microscopy. The investigations of the interfacial Cu-L2,3, Al-L2,3 and 0-K energy loss near-edge structures, which are proportional to the site- and angular-momentum-projected unoccupied density of states above the Fermi level, indicate the existence of metallic Cu-AI bonds at the Cu/AI2O3 interface independent of the substrate orientation. 展开更多
关键词 Electronic structure cu film Ion sputtering Α-AL2O3
下载PDF
Effects of thickness on superconducting properties and structures of Y_2O_3/BZO-doped MOD-YBCO films
12
作者 丁发柱 古宏伟 +5 位作者 王洪艳 张慧亮 张腾 屈飞 董泽斌 周微微 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第5期541-545,共5页
We report the thickness dependence of critical current density (Jc) in YBa2Cu3O7-x (YBCO) films with BaZrO3 (BZO) and Y2O3 additions grown on single crystal LaAlO3 substrates by metalorganic deposition using tri... We report the thickness dependence of critical current density (Jc) in YBa2Cu3O7-x (YBCO) films with BaZrO3 (BZO) and Y2O3 additions grown on single crystal LaAlO3 substrates by metalorganic deposition using trifluoroacetates (TFA-MOD). Comparing with pttre YBCO films, the Jc of BZO/Y2O3-doped YBCO films was significantly enhanced. It was also found that with the increase of the thickness of YBCO film from 0.25 μm to 1.5 μm, the Ic of BZO/Y2O3-doped YBCO film increased from 130 A/cm to 250 A/cm and yet Jc of YBCO film decreased from 6.5 MA/cm2 to 2.5 M A/cm2. The thick BZO/Y2O3-doped MOD-YBCO film showed lower Jc, which is mainly attributed to the formation of a-axis grains and pores. 展开更多
关键词 YBa2cu3O7-x films thickness BZO/Y2O3 doping TEXTURE
下载PDF
A Modified Lattice Model of the Reversible Effect of Axial Strain on the Critical Current of Polycrystalline REBa2Cu3O7-δ Films
13
作者 苟晓凡 朱光 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第3期128-132,共5页
The strain effect on the critical current is one of the most important properties for polycrystalline YBa2 Cu3O7-δ (REBCO, RE: rare earth) films, in which the reversible effect is intrinsic in the range of strain ... The strain effect on the critical current is one of the most important properties for polycrystalline YBa2 Cu3O7-δ (REBCO, RE: rare earth) films, in which the reversible effect is intrinsic in the range of strain 0 and the irreversible strain εirr. By introducing the applied strain, a modified grain boundaries (GBs) in the REBCO film is developed. lattice model combining the strain and misorientation of A good agreement of the calculation on the lattice model with the experimental data shows that the lattice model is able to well describe the reversible effect of axial strain on the critical current of the REBCO film, and provides a good understanding of the mechanism of the reversible effect of the strain. Moreover, the effects of the crystallographic texture of the REBCO film and the residual strain εr on the variation of the critical current with the applied strain are extensively investigated. Furthermore by using the developed lattice model, the irreversible strain εirr of the REBCO film can be theoretically determined by comparing the calculation of the critical current-strain curve with the experimental data. 展开更多
关键词 REBCO A Modified Lattice Model of the Reversible Effect of Axial Strain on the Critical current of Polycrystalline REBa2cu3O filmS cu
下载PDF
纳米Al_2O_3添加剂含量对Cu-Sn合金镀层微结构及性能的影响 被引量:3
14
作者 郭燕清 宋仁国 +3 位作者 陈亮 戈云杰 王超 宋若希 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期1-4,6,共4页
当下,焦磷酸盐体系Cu-Sn合金电镀存在许多问题,将纳米Al2O3粉末加入镀液中,可解决镀层的一些结构和性能问题。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、电化学测量技术,研究了纳米Al2O3添加剂对Cu-Sn合金电镀层微结构及性能的... 当下,焦磷酸盐体系Cu-Sn合金电镀存在许多问题,将纳米Al2O3粉末加入镀液中,可解决镀层的一些结构和性能问题。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、电化学测量技术,研究了纳米Al2O3添加剂对Cu-Sn合金电镀层微结构及性能的影响。结果表明:在直流电镀过程中,纳米Al2O3能够进入Cu-Sn合金镀层,镀层微结构、性能与其含量有着较大的关系;随着纳米Al2O3含量的增加,Cu-Sn合金镀层更加致密、均匀,其硬度、耐蚀性与耐磨性不断提高;当Al2O3纳米浓度达到8 g/L时,Cu-Sn合金镀层的显微硬度、耐蚀性能、耐磨性能及与基体的结合强度处于最佳状态。 展开更多
关键词 cusn合金电镀 焦磷酸盐体系 纳米Al2O3添加剂 镀层结构与性能
下载PDF
Al_2O_3颗粒对SnAgCu焊点电迁移行为的影响
15
作者 葛进国 杨莉 +2 位作者 朱路 宋兵兵 刘海祥 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2016年第13期209-211,共3页
研究了在0.6×10~4A/cm^2电流密度下,A1_2O_3颗粒对Cu/SAC-A1_2O_3/Cu焊点基体组织及界面金属间化合物(IMC)层的影响规律。结果表明,SAC焊点组织随通电时间延长,由椭圆状转变为不规则的粗大块状,界面IMC层出现了显著的极化现象。SAC... 研究了在0.6×10~4A/cm^2电流密度下,A1_2O_3颗粒对Cu/SAC-A1_2O_3/Cu焊点基体组织及界面金属间化合物(IMC)层的影响规律。结果表明,SAC焊点组织随通电时间延长,由椭圆状转变为不规则的粗大块状,界面IMC层出现了显著的极化现象。SAC-A1_2O_3组织中共晶相仍呈近椭圆状弥散分布,无明显粗化现象,界面IMC层厚度也出现了极化现象,但相比于SAC焊点而言,极化程度较低。0.5wt%Al_2O_3的添加有助于提高Cu/SAC-Al_2O_3/Cu焊点抗电迁移可靠性。 展开更多
关键词 Al_2O_3颗粒 sn AG cu焊点 电迁移 显微组织
下载PDF
Mg_(3)Bi_(2)/Mg_(2)Sn纳米复合膜的微结构及热电性能
16
作者 杨爽 宋贵宏 +4 位作者 陈雨 冉丽阳 胡方 吴玉胜 尤俊华 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第3期467-475,484,共10页
利用高真空磁控溅射技术,通过高纯Mg靶和自制Mg-Bi-Sn合金靶的顺序溅射沉积,制备了Mg_(3)Bi_(2)/Mg_(2)Sn纳米复合薄膜。沉积薄膜的晶体结构和相组成由X射线衍射(XRD)图谱确定,表面形貌和化学成分用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能谱仪... 利用高真空磁控溅射技术,通过高纯Mg靶和自制Mg-Bi-Sn合金靶的顺序溅射沉积,制备了Mg_(3)Bi_(2)/Mg_(2)Sn纳米复合薄膜。沉积薄膜的晶体结构和相组成由X射线衍射(XRD)图谱确定,表面形貌和化学成分用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能谱仪(EDS)进行观察、测量和分析。沉积薄膜的载流子浓度和迁移率通过霍尔实验获得,电导率和Seebeck系数由Seebeck/电阻测试分析系统进行测量。结果表明,沉积薄膜由Mg_(3)Bi_(2)和Mg_(2)Sn两相组成,随着薄膜中Mg_(2)Sn含量的增加,沉积薄膜的室温载流子浓度增加而迁移率下降。在整个测试温度范围内,随薄膜中Mg_(2)Sn含量的增加,薄膜Seebeck系数不断升高而电导率下降。Mg_(2)Sn相原子含量为28.22%的沉积薄膜在155℃获得最高功率因子为1.2 mW·m^(-1)·K^(-2)。在Mg_(3)Bi_(2)薄膜中加入适量的Mg_(2)Sn第二相,可明显提升Mg_(3)Bi_(2)薄膜材料的功率因子。 展开更多
关键词 热电材料 Mg_(3)Bi_(2)/Mg_(2)sn纳米复合膜 SEEBECK系数 相界面 载流子浓度 迁移率 电导率
下载PDF
Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜的溶液法制备及其光电性能研究
17
作者 陈建彪 常乐 +2 位作者 赵雲 李燕 王成伟 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第2期50-54,共5页
采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N_2保护下硒化获得到Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研... 采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N_2保护下硒化获得到Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研究结果表明,适当的硒化退火温度,如480℃,可得到表面平整、结晶度高、晶粒致密和双层结构(上层大、下层小晶粒)的Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,其带隙为1.28 eV,载流子浓度可低至6.780×10^(17) cm^(-3),迁移率高达18.19 cm^2·V^(-1)·S^(-1),可用于薄膜太阳能电池的光吸收层. 展开更多
关键词 cu2sn(S Se)3薄膜 溶液法 硒化温度
下载PDF
时效处理对Sn0.7Cu-0.5Al_2O_3/Cu焊点界面形态的影响 被引量:5
18
作者 邵浩彬 张宁 +3 位作者 时孝东 朱鸣凡 於敏 殷利斌 《铸造技术》 CAS 北大核心 2016年第9期1838-1841,共4页
研究了纳米Al_2O_3颗粒对Sn0.7Cu钎料润湿性的影响,并分析比较了时效0 h和时效250 h后Sn0.7Cu-0.5Al_2O_3/Cu焊点界面IMC的形貌和厚度变化。结果表明:添加微量的纳米Al_2O_3颗粒可以改善Sn0.7Cu钎料的润湿性,但添加过量将降低润湿铺展面... 研究了纳米Al_2O_3颗粒对Sn0.7Cu钎料润湿性的影响,并分析比较了时效0 h和时效250 h后Sn0.7Cu-0.5Al_2O_3/Cu焊点界面IMC的形貌和厚度变化。结果表明:添加微量的纳米Al_2O_3颗粒可以改善Sn0.7Cu钎料的润湿性,但添加过量将降低润湿铺展面积,纳米Al_2O_3颗粒的最佳添加量为0.5%,比Sn0.7Cu钎料的铺展面积提高了30.2%。焊后未时效的焊点钎料晶粒细小,界面处Cu_6Sn_5IMC层较薄,经过150℃时效,钎料晶粒粗化,IMC界面层的厚度明显增加,形貌由扇贝状变为明显的块状,界面的不平度逐步减小。界面层由单一的Cu_6Sn_5IMC层转变为Cu_6Sn_5IMC和Cn_3SnIMC两层,厚度增大了96.5%。 展开更多
关键词 sn0.7cu AL2O3 高温时效 钎焊
下载PDF
Sn位Ge等电子替换对Cu_2Sn_(0.8)Zn_(0.2)S_3热电性能的影响
19
作者 杨军 潘林 +1 位作者 王一峰 陈长春 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第4期7-12,34,共7页
通过固相法结合放电等离子烧结法(SPS)制备Cu_2Sn_(0.8-x)Ge_xZn_(0.2)S_3(x=0,0.2,0.4,0.6)陶瓷块体,着重研究Ge在Sn位等电子替换对材料的晶相组成及热电性能的影响。结果表明:除生成少量的Cu2GeS3相外,大部分Ge可替代基体相中的Sn。G... 通过固相法结合放电等离子烧结法(SPS)制备Cu_2Sn_(0.8-x)Ge_xZn_(0.2)S_3(x=0,0.2,0.4,0.6)陶瓷块体,着重研究Ge在Sn位等电子替换对材料的晶相组成及热电性能的影响。结果表明:除生成少量的Cu2GeS3相外,大部分Ge可替代基体相中的Sn。Ge元素的增加导致了晶胞收缩,Zn元素在Sn位的掺杂量相应降低,导致载流子浓度和电导率下降,而赛贝克系数基本保持不变。相比于未替换样品,Ge替换后热导率的进一步下降主要归结于Ge替换引起结构变化(质量波动、晶格畸变与微应力)从而导致声子平均自由程的缩小。在723 K时,x=0.4的样品获得最大热电优值(0.55),相对于x=0的样品提高了约25%。 展开更多
关键词 cu2sns3 等电子替换 热电性能
下载PDF
Sn−0.5Ag−0.7Cu−0.1Al_(2)O_(3)/Cu焊点的热可靠性
20
作者 吴洁 黄国强 +2 位作者 薛松柏 薛鹏 徐勇 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第10期3312-3320,共9页
研究添加微量Al_(2)O_(3)纳米颗粒对Sn−0.5Ag−0.7Cu/Cu焊点热可靠性的影响。实验结果表明:添加微量Al_(2)O_(3)纳米颗粒可以将Sn−0.5Ag−0.7Cu/Cu接头的热时效特征寿命从662 h提高至787 h,将接头的热循环特征寿命从1597次提高至1824次。... 研究添加微量Al_(2)O_(3)纳米颗粒对Sn−0.5Ag−0.7Cu/Cu焊点热可靠性的影响。实验结果表明:添加微量Al_(2)O_(3)纳米颗粒可以将Sn−0.5Ag−0.7Cu/Cu接头的热时效特征寿命从662 h提高至787 h,将接头的热循环特征寿命从1597次提高至1824次。此外,添加Al_(2)O_(3)纳米颗粒可以减缓热服役期间剪切力的降低,这得益于Al_(2)O_(3)纳米颗粒的钉扎效应可以阻碍晶粒和金属间化合(IMCs)物的生长。理论上,等温时效过程中界面IMCs的平均生长系数由1.61×10^(−10) cm^(2)/h降至0.79×10^(−10) cm^(2)/h;热循环过程中界面IMCs的平均生长系数由0.92×10^(−10) cm^(2)/h降至0.53×10^(−10) cm^(2)/h。这表明,添加微量Al_(2)O_(3)纳米颗粒可以提高Sn−0.5Ag−0.7Cu/Cu接头的热时效和热循环可靠性,且热时效可靠性的提升效果较为明显。 展开更多
关键词 sn−0.5Ag−0.7cu钎料 Al_(2)O_(3)纳米颗粒 等温时效 热循环 热可靠性
下载PDF
上一页 1 2 3 下一页 到第
使用帮助 返回顶部