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Precisely tuning Ge substitution for efficient solution-processed Cu_2ZnSn(S,Se)_4 solar cells 被引量:1
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作者 王新收 寇东星 +4 位作者 周文辉 周正基 田庆文 孟月娜 武四新 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第1期116-120,共5页
The kesterite Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) solar cells have yielded a prospective conversion efficiency among all thin- film photovoltaic technology. However, its further development is still hindered by the lower open... The kesterite Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) solar cells have yielded a prospective conversion efficiency among all thin- film photovoltaic technology. However, its further development is still hindered by the lower open-circuit voltage (Voc), and the non-ideal bandgap of the absorber is an important factor affecting this issue. The substitution of Sn with Ge provides a unique ability to engineer the bandgap of the absorber film. Herein, a simple precursor solution approach was successfully developed to fabricate Cu2Zn(SnyGel_y)(SxSe~ x)4 (CZTGSSe) solar cells. By precisely adjusting the Ge content in a small range, the Voc and Jsc are enhanced simultaneously. Benefitting from the optimized bandgap and the maintained spike structure and light absorption, the 10% Ge/(Ge+Sn) content device with a bandgap of approximately 1.1 eV yields the highest efficiency of 9.36%. This further indicates that a precisely controlled Ge content could further improve the cell performance for efficient CZTGSSe solar cells. 展开更多
关键词 cu2znsn(S Se)4 solar cells Ge substitution bandgap
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溶剂热法制备球状Cu_2ZnSnS_4纳米晶及其表征 被引量:11
2
作者 蔡倩 梁晓娟 +4 位作者 钟家松 邵明国 王芸 赵肖为 向卫东 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2920-2926,共7页
通过简单的溶剂热法合成了锌黄锡矿结构的Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米晶,使用L-半胱氨酸作硫源和络合剂,以金属氯化物作前驱体,在180°C下反应16h成功获得了CZTS微球.使用X射线衍射(XRD)仪,场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能量色散谱(EDS)... 通过简单的溶剂热法合成了锌黄锡矿结构的Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米晶,使用L-半胱氨酸作硫源和络合剂,以金属氯化物作前驱体,在180°C下反应16h成功获得了CZTS微球.使用X射线衍射(XRD)仪,场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能量色散谱(EDS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、多功能X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计对产物的物相、结构、形貌及光学性能进行表征.结果表明:所得的产物为纯相锌黄锡矿结构的CZTS纳米颗粒,CZTS微球直径为400-800nm,并可观察到微球是由大量厚度约20nm的纳米片构成;将CZTS颗粒均匀分散在异丙醇中,测试后估算其禁带宽度约1.58eV,与薄膜太阳能电池所需的最佳禁带宽度相近.并对其形成机理进行了初步探讨. 展开更多
关键词 cu2znsnS4纳米晶 溶剂热法 L-半胱氨酸 太阳能电池
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Cu_2ZnSnS_4薄膜的研究进展 被引量:5
3
作者 蔡倩 梁晓娟 +3 位作者 向卫东 钟家松 邵明国 赵肖为 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期138-143,共6页
Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳能电池具有低成本、高效率、安全无毒等优点,是最具发展前景的太阳能电池之一,近几年来开始受到广泛关注。简要介绍了国内外几种制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法,包括蒸发法、溅射法、脉冲激光沉积法、电化学沉积法、... Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳能电池具有低成本、高效率、安全无毒等优点,是最具发展前景的太阳能电池之一,近几年来开始受到广泛关注。简要介绍了国内外几种制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法,包括蒸发法、溅射法、脉冲激光沉积法、电化学沉积法、喷涂热解法、Sol-gel法、丝网印刷法,并阐述了这几种方法的优点及存在的问题,展望了今后CZTS薄膜的研究方向,认为通过溶剂热或热注入法制备出CZTS纳米晶体后,再通过丝网印刷法或旋涂等法制成CZTS薄膜能降低生产成本,在电池的工业化生产中具有很广阔的应用前景。 展开更多
关键词 cu2znsnS4 太阳能电池 薄膜
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Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒及其薄膜的制备与表征 被引量:8
4
作者 罗鹏 赵丽霞 徐键 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期79-82,共4页
采用热注入法,在油胺(OLA)中合成出Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒,并在玻璃衬底上制备了薄膜,研究了不同合成温度对纳米颗粒生成的影响.通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计对所得纳米晶材料... 采用热注入法,在油胺(OLA)中合成出Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒,并在玻璃衬底上制备了薄膜,研究了不同合成温度对纳米颗粒生成的影响.通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计对所得纳米晶材料的结构与成分、颗粒大小与形貌、光吸收谱进行了测试分析.研究结果表明:采用热注入法的最佳合成温度在260℃左右,该温度下生成的多晶CZTS纳米颗粒尺寸约10 nm,分散性良好,光学禁带宽度约1.5 eV. 展开更多
关键词 热注入 cu2znsnS4 纳米颗粒 薄膜 太阳能电池
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Cu_2ZnSnS_4纳米晶体的研究现状 被引量:6
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作者 蔡倩 向卫东 +2 位作者 梁晓娟 王芸 赵秀丽 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1333-1337,1342,共6页
锌黄锡矿结构的Cu2ZnSnS4(CZTS)晶体属于四元金属硫化物纳米材料,由于其高吸收系数,适宜的禁带宽度(约1.50 eV),原料丰富等优点成为太阳能电池领域重要的光吸收层材料。本文主要综述了金属硫化物纳米材料的常用制备方法,并重点介绍CZTS... 锌黄锡矿结构的Cu2ZnSnS4(CZTS)晶体属于四元金属硫化物纳米材料,由于其高吸收系数,适宜的禁带宽度(约1.50 eV),原料丰富等优点成为太阳能电池领域重要的光吸收层材料。本文主要综述了金属硫化物纳米材料的常用制备方法,并重点介绍CZTS纳米晶体的制备方法及研究现状。 展开更多
关键词 cu2znsnS4 纳米材料 制备方法 研究现状
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磁控溅射制备Cu_2ZnSnS_4薄膜的研究进展 被引量:2
6
作者 沈韬 陈怡琦 +2 位作者 朱艳 甘国友 易建宏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第21期14-20,共7页
Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜由于其合适的禁带宽度、高的光吸收系数以及组分无毒、储量丰富等特性,被视为薄膜太阳能电池最佳的吸收层材料之一。磁控溅射是制备CZTS薄膜的主要方法之一,因为其制备过程相对简单且可以产业化,一直是太阳能电池... Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜由于其合适的禁带宽度、高的光吸收系数以及组分无毒、储量丰富等特性,被视为薄膜太阳能电池最佳的吸收层材料之一。磁控溅射是制备CZTS薄膜的主要方法之一,因为其制备过程相对简单且可以产业化,一直是太阳能电池领域的研究热点。从磁控溅射制备CZTS薄膜的3种路径出发,综述了近年来各种路径在制备CZTS薄膜方面的研究进展,比较了3种路径的优缺点,同时对磁控溅射制备CZTS薄膜的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 磁控溅射 cu2 znsnS4 薄膜
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射频磁控溅射法制备Cu2ZnSnS4薄膜 被引量:3
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作者 文亚南 李琳 +2 位作者 陈士荣 史成武 梁齐 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期47-50,共4页
利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样... 利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。 展开更多
关键词 cu2znsnS4 射频磁控溅射 快速退火 多晶薄膜 择优取向
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具有可见光增强芬顿活性的Ⅱ型2D/2D Cu2ZnSnS4/Bi2WO6异质结(英文) 被引量:3
8
作者 郭莉 张开来 +5 位作者 韩宣宣 赵强 张媛媛 戚勉 王丹军 付峰 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期503-513,共11页
高级氧化工艺(AOPs)是一种处理有机污染物的极具吸引力的技术.大量的前期研究工作集中在通过芬顿反应(Fenton)降解有机污染物.然而,芬顿反应需要在酸性条件下进行,必须在其过程中进行预处理.同时,反应后产生的含铁污泥需要进一步处理以... 高级氧化工艺(AOPs)是一种处理有机污染物的极具吸引力的技术.大量的前期研究工作集中在通过芬顿反应(Fenton)降解有机污染物.然而,芬顿反应需要在酸性条件下进行,必须在其过程中进行预处理.同时,反应后产生的含铁污泥需要进一步处理以满足排放要求,从而限制了芬顿反应的发展.作为另一种AOPs,光催化技术因反应条件温和、操作简单和选择性好等优点受到广泛关注.研究表明,各种铁基和铜半导体光催化材料形成光-芬顿(Photo-Fenton)系统,可有效解决芬顿反应中高价金属离子/低价金属离子的循环问题.为了充分利用芬顿氧化技术和光催化氧化技术在降解有机污染物方面的各自优势,构建具有宽太阳光谱响应的新型光芬顿催化剂具有重要意义.由于其独特的层状结构和优越的有机物光催化性能,Bi2WO6作为结构最为简单的钙钛矿型层状氧化物,其禁带宽度为2.6-2.8 eV,可响应可见光,已成研究最多的光催化材料之一.研究表明,将Bi2WO6与合适的助催化剂耦合以构建异质结是提高光生载流子分离效率、拓宽Bi2WO6可见光响应范围的一种有效策略.在众多的窄带隙半导体助催化材料中,Cu2ZnSnS4作为一种p-型窄带隙半导体,可以响应可见光甚至近红外光.近年来,已经广泛报道了Cu2ZnSnS4可以作为与其他半导体光催化剂进行结合以提高光催化活性的有效助催化剂.在本文中,新型Cu2ZnSnS4/Bi2WO6(CZTS/BWO)异质结构通过简单的二次溶剂热法构建.异质结的成功形成得到了一系列表征方法的证实,比如XPS和HR-TEM.光催化活性结果表明,制备的CZTS/BWO异质结对有机污染物的降解具有优异的光催化性能,特别是当CZTS相对于异质结中BWO的质量分数为2%时.此外,加入过氧化氢(H2O2)可进一步提高染料和抗生素的降解效率.增强的光催化和光芬顿降解性能主要是由于BWO的引入,其提供了更多的活性位点,扩展了太阳光谱响应范围并加速了Cu(Ⅱ)/Cu(Ⅰ)的循环.催化剂的催化活性在经过四次循环实验后并没有显著降低.最终我们合理假设了光催化和光-芬顿催化机理.本项研究可为设计新型光-芬顿催化剂提供新的视角,即共同利用光催化活性和芬顿活性进行废水中残留有机物的净化. 展开更多
关键词 cu2znsnS4 Bi2WO6 2D/2D异质结 光芬顿 光催化
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Cu_2ZnSnS_4薄膜太阳能电池材料的研究现状 被引量:2
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作者 向卫东 王京 +5 位作者 杨海龙 赵寅生 钟家松 赵斌宇 骆乐 谢翠萍 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期129-133,共5页
综述了CZTS(Cu2ZnSnS4)材料的研究现状,介绍了CZTS材料的结构性质、光学性质、电学性质、薄膜的制备方法以及Na扩散对其性能的影响,最后探讨了目前存在的问题及其今后的研究发展方向。
关键词 cu2znsnS4 薄膜太阳能电池 光电性能
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Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备及其表征 被引量:2
10
作者 张坤 赵联波 +6 位作者 陈志伟 秦勤 蒋良兴 刘芳洋 赖延清 李劼 刘业翔 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期3740-3745,共6页
采用Cu-Zn-Sn三元合金靶,以直流反应磁控溅射原位生长的技术制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜材料。采用X线能量色散谱仪、扫描电镜、X线衍射仪、拉曼光谱、紫外可见分光光度计和霍尔效应测试系统对薄膜进行表征。研究结果表明:原位生长的CZTS... 采用Cu-Zn-Sn三元合金靶,以直流反应磁控溅射原位生长的技术制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜材料。采用X线能量色散谱仪、扫描电镜、X线衍射仪、拉曼光谱、紫外可见分光光度计和霍尔效应测试系统对薄膜进行表征。研究结果表明:原位生长的CZTS薄膜的成分呈富铜贫锌,具有均质、致密和平整的形貌,且由贯穿整个薄膜厚度的柱状颗粒组成;薄膜在(112)面呈现出明显的择优取向,均为P型材料且具有器件级载流子浓度;随着溅射功率的升高,薄膜的形貌、结晶性能、电学性质均得到一定程度改善。 展开更多
关键词 cu2znsnS4 反应磁控溅射 合金靶 光吸收层 太阳电池
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阳离子部分取代Cu_2ZnSnS_4的研究进展 被引量:2
11
作者 甘国友 邹屏翰 +2 位作者 沈韬 孙淑红 朱艳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第15期10-17,共8页
P型半导体Cu_2ZnSnS_4(CZTS)由于具有最佳的直接带隙(1.0~1.5eV)、高的光吸收系数(超过104 cm^(-1))以及丰富、无毒的元素组成,使其成为商业化低成本太阳能电池最有希望的候选材料之一。然而,材料本身的一些缺陷制约了CZTS薄膜太阳能电... P型半导体Cu_2ZnSnS_4(CZTS)由于具有最佳的直接带隙(1.0~1.5eV)、高的光吸收系数(超过104 cm^(-1))以及丰富、无毒的元素组成,使其成为商业化低成本太阳能电池最有希望的候选材料之一。然而,材料本身的一些缺陷制约了CZTS薄膜太阳能电池效率的提高。为了提高CZTS薄膜太阳能电池的效率,研究者们使用其他阳离子部分取代Cu、Zn或Sn来改善CZTS的缺陷。从CZTS的3种不同取代位置出发,综述了近年来各种阳离子部分取代CZTS的研究进展,同时对阳离子部分取代CZTS材料的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 阳离子取代 cu2znsnS4 铜锌锡硫太阳能电池
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Cu_2ZnSnS_4(CZTS)纳米微球的制备及表征 被引量:2
12
作者 周超 王丹 高延敏 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2382-2386,共5页
为研究PVP含量对CZTS颗粒形貌以及分散性的影响,本文采用溶剂热法,以CuCl2·2H2O、Zn(Ac)2·2H2O、SnCl4·5H2O作金属源,硫脲作硫源,乙二醇为溶剂,在体系中加入不同含量的PVP,成功制备了CZTS微球。通过XRD、Raman、SEM、TEM... 为研究PVP含量对CZTS颗粒形貌以及分散性的影响,本文采用溶剂热法,以CuCl2·2H2O、Zn(Ac)2·2H2O、SnCl4·5H2O作金属源,硫脲作硫源,乙二醇为溶剂,在体系中加入不同含量的PVP,成功制备了CZTS微球。通过XRD、Raman、SEM、TEM、UVVis等方法检测分析CZTS纳米微球的物相、结构、形貌以及光学性能。结果表明:所得CZTS纳米颗粒具有锌黄锡矿结构;当体系中PVP含量为0.2 g时,颗粒分散性较好,制备的颗粒形貌为表面嵌有纳米薄片的微球,纳米片较在体系中加入0.1 g PVP更致密;光学带隙约为1.47 eV,与太阳能电池所需的最佳带隙接近。最后,对表面嵌有纳米薄片的CZTS微球可能的形成机理进行了推测。 展开更多
关键词 cu2znsnS4 溶剂热法 PVP
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用于太阳电池吸收层的Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电特性 被引量:1
13
作者 邵乐喜 付玉军 +1 位作者 张军 贺德衍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期337-340,共4页
采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄... 采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104cm-1、光学禁带宽度约为1.51eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载流子浓度分别为1.46Ω·cm,4.2cm2/(V·s)和2.37×1018cm-3,适合作为薄膜太阳电池的吸收层. 展开更多
关键词 cu2znsnS4 真空蒸镀 硫化 太阳电池刎
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微波液相合成法制备Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒及其薄膜的研究 被引量:1
14
作者 王威 沈鸿烈 +1 位作者 焦静 金佳乐 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期3028-3032,共5页
采用乙二醇作为溶剂,硫代乙酰胺作为硫源,通过微波液相合成法制备出颗粒大小均一的Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒。采用XRD、Raman、EDS、TEM以及UV-Vis-Nir等表征手段对所制备的纳米颗粒的物相、元素比例、形貌以及光学性能进行了分析。测... 采用乙二醇作为溶剂,硫代乙酰胺作为硫源,通过微波液相合成法制备出颗粒大小均一的Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米颗粒。采用XRD、Raman、EDS、TEM以及UV-Vis-Nir等表征手段对所制备的纳米颗粒的物相、元素比例、形貌以及光学性能进行了分析。测试结果表明,所制备的CZTS纳米颗粒为(112)择优取向的锌黄锡矿结构,纳米颗粒的平均尺寸约为3.4nm,其光学带隙为1.85eV,呈现出明显的量子尺寸效应导致的光学带隙蓝移现象。将CZTS纳米颗粒制成CZTS墨水并滴涂烘干形成了CZTS薄膜,其XRD和SEM结果表明,所制备的CZTS薄膜具有良好的结晶性,且表面较为致密。光照与暗态的I-V曲线测试表明,所制备薄膜具有明显的光电导效应。 展开更多
关键词 cu2znsnS4 光电导效应 微波液相合成法 薄膜
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合成Cu_2ZnSnS_4薄膜四元共电沉积机理与退火相转变 被引量:1
15
作者 贺显聪 郝菀 +2 位作者 皮锦红 张传香 沈鸿烈 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期66-72,共7页
采用循环伏安法研究了制备CZTS薄膜四元预制层的电化学沉积机理。结合XRD,SEM,EDS和Raman技术分析预制层退火的相转变机制。结果表明:溶液中Cu2+和Sn2+浓度不仅影响其本身的沉积速率,还影响溶液中其他金属元素的沉积速率,而Zn2+浓度仅... 采用循环伏安法研究了制备CZTS薄膜四元预制层的电化学沉积机理。结合XRD,SEM,EDS和Raman技术分析预制层退火的相转变机制。结果表明:溶液中Cu2+和Sn2+浓度不仅影响其本身的沉积速率,还影响溶液中其他金属元素的沉积速率,而Zn2+浓度仅影响其本身沉积速率。四元预制层的沉积以原子层外延为机理,在负电位作用下,Cu2+先转变为Cu原子沉积在衬底表面,且与衬底附近析出的S原子发生化学反应,在衬底上生成CuS,同样,SnS和ZnS也以这种方式交替沉积在衬底上。预制层二元硫化物随着退火温度的升高逐渐转变为Cu2(3)SnS3(4)和Cu2ZnSnS4。利用四元共电沉积预制层550℃退火1h合成的Cu2ZnSnS4薄膜原子比为Cu∶Zn∶Sn∶S=23.72∶12.22∶13.07∶50.99。无偏压下合成的CZTS薄膜光电流达到约6nA。 展开更多
关键词 cu2znsnS4 四元共电沉积 退火
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溶剂热法制备Cu_2ZnSnS_4粉末及其表征 被引量:1
16
作者 周超 冯清 高延敏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期487-492,共6页
采用溶剂热法,以CuCl2·2H2O、Zn(Ac)2·2H2O、SnCl4·5H2O作金属源,硫脲作硫源,乙二醇作溶剂,PVP作表面活性剂,制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)粉末。利用XRD、SEM、Raman、TEM、EDS、UV-Vis吸收光谱探讨了反应温度和反应时间对制备... 采用溶剂热法,以CuCl2·2H2O、Zn(Ac)2·2H2O、SnCl4·5H2O作金属源,硫脲作硫源,乙二醇作溶剂,PVP作表面活性剂,制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)粉末。利用XRD、SEM、Raman、TEM、EDS、UV-Vis吸收光谱探讨了反应温度和反应时间对制备CZTS粉末的相结构、成分、形貌以及光学性能的影响。结果表明:反应温度和反应时间对CZTS粉末的颗粒形貌和光学性能影响较大,最佳合成温度为230℃,反应时间24 h。该条件下生成的CZTS粉末相较为纯净、结晶完全,形貌为表面嵌有薄片的微球,各元素原子比接近化学计量比,光学带隙为1.52 eV,与太阳能电池所需的最佳带隙接近。并对其形成机理进行了初步探讨。 展开更多
关键词 cu2znsnS4 溶剂热法 反应时间 反应温度
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替代元素对光催化半导体Cu_2ZnSnS_4能带结构优化的第一性原理研究 被引量:2
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作者 黄丹 戴豪 +1 位作者 谢政专 郭进 《广西科学》 CAS 2014年第3期220-225,共6页
【目的】为了增加Cu2ZnSnS4价带顶和导带底与水的氧化还原势之间的能量差,使催化反应具有更多的驱动力。【方法】利用第一性原理计算,对Cu2ZnSnS4电子结构进行分析。【结果】Ag掺入Cu位能够降低其价带顶而不改变导带底位置,而Ge掺入Sn... 【目的】为了增加Cu2ZnSnS4价带顶和导带底与水的氧化还原势之间的能量差,使催化反应具有更多的驱动力。【方法】利用第一性原理计算,对Cu2ZnSnS4电子结构进行分析。【结果】Ag掺入Cu位能够降低其价带顶而不改变导带底位置,而Ge掺入Sn位能够提升其导带底而不改变价带顶位置。【结论】通过优化(Cu1-xAgx)2Zn(Sn1-yGey)S4合金的配比,可使其达到光催化半导体最理想的能带结构。 展开更多
关键词 光催化半导体 cu2znsnS4 掺杂 第一性原理计算
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Cu_2ZnSnS_4/Si异质结器件的制备及特性研究 被引量:1
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作者 李琳 文亚南 +2 位作者 董燕 汪壮兵 梁齐 《真空》 CAS 2012年第5期45-48,共4页
利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si(100)基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜,制备p-Cu2ZnSnS4/n-Si异质结。利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDS)和原子力显微镜(AFM)对Cu2ZnSnS4薄膜的结构、组分和形貌进行表征,并对器件进行Ⅰ-Ⅴ测试,讨论... 利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si(100)基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜,制备p-Cu2ZnSnS4/n-Si异质结。利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDS)和原子力显微镜(AFM)对Cu2ZnSnS4薄膜的结构、组分和形貌进行表征,并对器件进行Ⅰ-Ⅴ测试,讨论不同电阻率的Si对异质结器件光电特性的影响。结果表明,器件有良好的整流特性,Si电阻率大的器件光电响应比较好,而Si电阻率小的器件光伏效应比较明显。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 cu2znsnS4/Si异质结 Ⅰ-Ⅴ特性
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磁控溅射Sn/Cu/ZnS预置层后硫化法制备Cu2ZnSnS4薄膜及其性能研究
19
作者 孙亚明 于万秋 +1 位作者 张勇 华中 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1600-1604,共5页
采用磁控溅射法制备Sn/Cu/ZnS金属预置层,结合硫化热处理制备Cu2ZnSnS4薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)和霍尔测试系统等一系列测试方法对样品结构、各组分... 采用磁控溅射法制备Sn/Cu/ZnS金属预置层,结合硫化热处理制备Cu2ZnSnS4薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)和霍尔测试系统等一系列测试方法对样品结构、各组分含量、表面形貌、光学带隙及电学性能进行表征及计算。研究结果表明Sn/Cu/ZnS金属预置层经490和540℃硫化热处理后的薄膜均为单一Cu2ZnSnS4相,其中,540℃硫化热处理后的薄膜结晶度较高,且薄膜表面平整致密,禁带宽度约为1.58 eV,呈现P型导电。 展开更多
关键词 cu2znsnS4 薄膜 磁控溅射 硫化
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衬底温度对共溅射法制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长的影响
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作者 李金泽 沈鸿烈 +3 位作者 姚函妤 杨楠楠 李玉芳 吴斯泰 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期42-47,共6页
研究了衬底温度对采用Cu_2ZnSnS_4靶和Cu靶共溅射制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长的影响。采用拉曼光谱、X射线能量色散谱仪、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对在不同衬底温度条件下制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜的元素比例、形貌... 研究了衬底温度对采用Cu_2ZnSnS_4靶和Cu靶共溅射制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长的影响。采用拉曼光谱、X射线能量色散谱仪、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对在不同衬底温度条件下制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜的元素比例、形貌以及光学带隙进行了表征与分析。结果表明制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长遵循不同规律。室温衬底条件下制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长遵循两步法,导致颗粒尺寸和元素分布不均;而在120~200℃衬底温度条件下制备的Cu-Zn-Sn-S预置层在溅射过程中已有Cu_2ZnSnS_4晶粒形成,这些晶粒在后续硫化生长过程中起到形核点的作用,促进了Cu_2ZnSnS_4晶粒的长大与元素的均匀分布。随着衬底温度的升高,Cu-Zn-Sn-S预置层及由此制备出的Cu_2ZnSnS_4薄膜的结晶性变好,Cu_2ZnSnS_4薄膜的带隙先升高后减小至1.55eV。 展开更多
关键词 cu2znsnS4薄膜 共溅射 衬底温度 晶粒生长
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