Cu_7In_3前驱膜制备(112)择优取向CuInS_2薄膜

为考察具有Cu_7In_3相结构的Cu-In前驱膜对CuInS_2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu-In薄膜,并对制备态Cu-In薄膜在380℃进行真空退火处理制备Cu_7In_3前驱膜。采用硫化法对制备态Cu-In薄膜和Cu_7In_3薄膜进行硫化处理制备了CIS薄膜。结果表明,两种前驱膜经硫化处理均在表面生成Cu_xS偏析相,经KCN刻蚀处理发现以Cu_7In_3为前驱膜制备的CuInS_2薄膜高质量结晶,具有(112)择优取向,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。