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p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的研究进展
被引量:
7
1
作者
李军
兰伟
+2 位作者
张铭
董国波
严辉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期115-118,共4页
透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制...
透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望。
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关键词
透明导电氧化物(TCO)
P型TCO
cualo2
薄膜
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职称材料
衬底温度对CuAlO_2薄膜的结构与光学性能的影响
被引量:
2
2
作者
徐继承
谢致薇
杨元政
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2016年第7期42-45,共4页
通过磁控溅射的方法,在不同温度的石英衬底上制备了CuAlO_2薄膜,研究经过退火处理后,CuAlO_2薄膜的表面形貌、物相结构以及光学性能。实验结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜的晶粒逐渐形成和长大,表面组织越来越均匀致密,透光性也随之...
通过磁控溅射的方法,在不同温度的石英衬底上制备了CuAlO_2薄膜,研究经过退火处理后,CuAlO_2薄膜的表面形貌、物相结构以及光学性能。实验结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜的晶粒逐渐形成和长大,表面组织越来越均匀致密,透光性也随之增强。通过综合比较,可发现:当衬底温度为400℃时,薄膜的整体性能达到最优,XRD谱中的(101)衍射峰最强,晶粒大小均匀,可见光透射率为76.6%,光学带隙宽度为3.69 eV。
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关键词
cualo2
薄膜
磁控溅射
衬底温度
透光性
禁带宽度
表面形貌
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职称材料
题名
p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的研究进展
被引量:
7
1
作者
李军
兰伟
张铭
董国波
严辉
机构
北京工业大学材料学院薄膜实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期115-118,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60576012)
北京市拔尖创新人才计划(No.20041D0501513)资助项目
文摘
透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望。
关键词
透明导电氧化物(TCO)
P型TCO
cualo2
薄膜
Keywords
transparent conducting oxides(TCO), p-type TCO,
cualo2 thin film
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
衬底温度对CuAlO_2薄膜的结构与光学性能的影响
被引量:
2
2
作者
徐继承
谢致薇
杨元政
机构
广东工业大学材料与能源学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2016年第7期42-45,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.61504029)
文摘
通过磁控溅射的方法,在不同温度的石英衬底上制备了CuAlO_2薄膜,研究经过退火处理后,CuAlO_2薄膜的表面形貌、物相结构以及光学性能。实验结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜的晶粒逐渐形成和长大,表面组织越来越均匀致密,透光性也随之增强。通过综合比较,可发现:当衬底温度为400℃时,薄膜的整体性能达到最优,XRD谱中的(101)衍射峰最强,晶粒大小均匀,可见光透射率为76.6%,光学带隙宽度为3.69 eV。
关键词
cualo2
薄膜
磁控溅射
衬底温度
透光性
禁带宽度
表面形貌
Keywords
cualo2 thin film
magnetron sputtering
substrate temperature
light transmittance
band gap
surface morphology
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的研究进展
李军
兰伟
张铭
董国波
严辉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
7
下载PDF
职称材料
2
衬底温度对CuAlO_2薄膜的结构与光学性能的影响
徐继承
谢致薇
杨元政
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2016
2
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职称材料
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