CuAlSe_2光伏吸收层薄膜的制备

用同族元素Al和Fe取代CuInGaSe_2薄膜中的In和Ga元素。采用粉末冶金工艺制备CuAlSe_2和CuAlSe_2∶Fe光伏吸收层薄膜。依次对薄膜样品进行了表面形貌、化学成分、薄膜厚度、晶体结构和光学特性测试分析。结果表明,退火温度为450℃、500℃、550℃时薄膜的生长特性较好,薄膜较为致密,结晶度较高。薄膜主要为黄铜矿结构,并沿(112)晶相择优生长。CuAlSe_2薄膜和CuAlSe_2∶Fe薄膜样品的光学吸收系数达到105cm^(-1),且随着掺Fe比例增加而增加。未掺杂的薄膜的光学带隙约为1.6eV,掺Fe薄膜的禁带宽度接近1.8eV。