p-CuCr_(0.91)Mg_(0.09)O_2/n-Si p-n结的制备与电学特性

利用射频磁控溅射制备p-CuCr0.91Mg0.09O2／n-Si异质结。XRD结果表明所制备的纯相CuCr0.91Mg0.09O2薄膜具有（012）取向生长特点，正的霍尔系数确定薄膜的P型特性；电流-电压特性测试结果显示p-CuCr0.91．Mg0.09O2／n—Si异质结具有明显的整流特性，结的开启电压约为1．0V，在-5．0～5．0V的电压范围内正向电压与反向方向电压比约为8．2。基于p-n＋单边突变结理论，对p-CuCr0.91Mg0.09O2／n—Si异质结的电流曲线进行模拟，模拟结果表明界面状态和串联电阻是影响结整流特性性质的重要因素。