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p-CuCr_(0.91)Mg_(0.09)O_2/n-Si p-n结的制备与电学特性
被引量:
1
1
作者
董国波
张铭
+5 位作者
李杨超
王玫
李英姿
李朝荣
黄安平
严辉
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期128-132,共5页
利用射频磁控溅射制备p-CuCr0.91Mg0.09O2/n-Si异质结。XRD结果表明所制备的纯相CuCr0.91Mg0.09O2薄膜具有(012)取向生长特点,正的霍尔系数确定薄膜的P型特性;电流-电压特性测试结果显示p-CuCr0.91.Mg0.09O2/n—Si异质结具有明...
利用射频磁控溅射制备p-CuCr0.91Mg0.09O2/n-Si异质结。XRD结果表明所制备的纯相CuCr0.91Mg0.09O2薄膜具有(012)取向生长特点,正的霍尔系数确定薄膜的P型特性;电流-电压特性测试结果显示p-CuCr0.91.Mg0.09O2/n—Si异质结具有明显的整流特性,结的开启电压约为1.0V,在-5.0~5.0V的电压范围内正向电压与反向方向电压比约为8.2。基于p-n+单边突变结理论,对p-CuCr0.91Mg0.09O2/n—Si异质结的电流曲线进行模拟,模拟结果表明界面状态和串联电阻是影响结整流特性性质的重要因素。
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关键词
CuCr0
91Mg0
09O2薄膜
整流特性
串联电阻
合成
电学特征
下载PDF
职称材料
题名
p-CuCr_(0.91)Mg_(0.09)O_2/n-Si p-n结的制备与电学特性
被引量:
1
1
作者
董国波
张铭
李杨超
王玫
李英姿
李朝荣
黄安平
严辉
机构
北京航空航天大学物理科学与核能工程学院
北京工业大学材料科学与工程学院
出处
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期128-132,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(51172009
51172013)
文摘
利用射频磁控溅射制备p-CuCr0.91Mg0.09O2/n-Si异质结。XRD结果表明所制备的纯相CuCr0.91Mg0.09O2薄膜具有(012)取向生长特点,正的霍尔系数确定薄膜的P型特性;电流-电压特性测试结果显示p-CuCr0.91.Mg0.09O2/n—Si异质结具有明显的整流特性,结的开启电压约为1.0V,在-5.0~5.0V的电压范围内正向电压与反向方向电压比约为8.2。基于p-n+单边突变结理论,对p-CuCr0.91Mg0.09O2/n—Si异质结的电流曲线进行模拟,模拟结果表明界面状态和串联电阻是影响结整流特性性质的重要因素。
关键词
CuCr0
91Mg0
09O2薄膜
整流特性
串联电阻
合成
电学特征
Keywords
cucr0.91mg0.09o2 thin film
rectifying characteristic
series resistance
synthesis
electrical properties
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p-CuCr_(0.91)Mg_(0.09)O_2/n-Si p-n结的制备与电学特性
董国波
张铭
李杨超
王玫
李英姿
李朝荣
黄安平
严辉
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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