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衬底温度对CuCrO2薄膜光电性能影响
1
作者
李杨超
张铭
+2 位作者
赵学平
董国波
严辉
《纳米科技》
2010年第1期29-33,共5页
采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征了薄膜样品的结构与性能,结果表明,衬底温度对CuCrO2薄膜形貌结构、光学、电学性能影响较大。当衬底温度为750℃时,...
采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征了薄膜样品的结构与性能,结果表明,衬底温度对CuCrO2薄膜形貌结构、光学、电学性能影响较大。当衬底温度为750℃时,薄膜为结晶态。薄膜的可见光透过率随衬底温度提高有所增加。750℃时,CuCrO2薄膜直接带隙降低到3.02eV。电导率随衬底温度提高先增加后降低,500℃时,薄膜的电导率最高,达到27.1S·cm^-1,电导率对数随温度倒数变化关系表明,CuCrO2薄膜在300K-220K温度区间内均符合半导体热激活导电规律。
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关键词
cucro2薄膜
不同沉积温度
直接带隙
激活能
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职称材料
衬底温度对CuCrO_2薄膜结构及光电性能的影响
被引量:
1
2
作者
赵学平
张铭
+3 位作者
白朴存
侯小虎
刘飞
严辉
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期255-261,共7页
采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备CuCrO_2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外吸收光谱以及电导率的测定,表征不同衬底温度沉积薄膜样品的结构与光电性能。结果表明:薄膜的结晶度、可见光透过率与室温电导率均...
采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备CuCrO_2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外吸收光谱以及电导率的测定,表征不同衬底温度沉积薄膜样品的结构与光电性能。结果表明:薄膜的结晶度、可见光透过率与室温电导率均随衬底温度的升高而增大。衬底温度升高至923 K后,薄膜由非晶转变为具有铜铁矿结构的单相CuCrO_2。1023 K沉积的薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为50%,室温电导率为0.33 S/cm。在近室温区(150~300 K),1023 K沉积薄膜导电规律符合半导体热激活模式,激活能为0.04 eV。
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关键词
cucro2薄膜
衬底温度
结构
光电性能
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职称材料
CuCr_(1-x)Mg_xO_2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能
被引量:
6
3
作者
李杨超
张铭
+2 位作者
董国波
赵学平
严辉
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期898-902,共5页
采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备Mg掺杂的CuCrO2薄膜。通过XRD、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征该系列薄膜样品的结构与光电性能。结果表明:退火处理后所有薄膜样品的结晶性良好,均为3R型铜铁矿结构;薄膜的电导率随掺杂量的...
采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备Mg掺杂的CuCrO2薄膜。通过XRD、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征该系列薄膜样品的结构与光电性能。结果表明:退火处理后所有薄膜样品的结晶性良好,均为3R型铜铁矿结构;薄膜的电导率随掺杂量的增加而增大。当x=0.09时,样品的室温电导率可达6.16×10-2S/cm,比未掺杂的CuCrO2提高近400倍,且霍耳测试表明所制备的薄膜为p型导电体。电导率随温度变化关系表明:薄膜样品在200~300K的温度范围内均很好地符合Arrhenius热激活规律;当x=0.09时,最低激活能仅为0.034eV。薄膜的可见光透过率与光学带隙宽度均随掺杂量的增加而减小。
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关键词
cucro2薄膜
CuCr1-xMgxO
2
薄膜
光学性能
光学带隙
室温电导率
激活能
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职称材料
题名
衬底温度对CuCrO2薄膜光电性能影响
1
作者
李杨超
张铭
赵学平
董国波
严辉
机构
北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料实验室
出处
《纳米科技》
2010年第1期29-33,共5页
基金
北京市教育委员会科技计划面上项目(No.KM200910005023)
文摘
采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征了薄膜样品的结构与性能,结果表明,衬底温度对CuCrO2薄膜形貌结构、光学、电学性能影响较大。当衬底温度为750℃时,薄膜为结晶态。薄膜的可见光透过率随衬底温度提高有所增加。750℃时,CuCrO2薄膜直接带隙降低到3.02eV。电导率随衬底温度提高先增加后降低,500℃时,薄膜的电导率最高,达到27.1S·cm^-1,电导率对数随温度倒数变化关系表明,CuCrO2薄膜在300K-220K温度区间内均符合半导体热激活导电规律。
关键词
cucro2薄膜
不同沉积温度
直接带隙
激活能
Keywords
cucro
2
films
different deposited temperature
direct band gap
activation energy
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
衬底温度对CuCrO_2薄膜结构及光电性能的影响
被引量:
1
2
作者
赵学平
张铭
白朴存
侯小虎
刘飞
严辉
机构
内蒙古工业大学材料科学与工程学院
北京工业大学材料科学与工程学院
出处
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期255-261,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(11762014)
内蒙古工业大学校基金资助项目(ZD201710)~~
文摘
采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备CuCrO_2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外吸收光谱以及电导率的测定,表征不同衬底温度沉积薄膜样品的结构与光电性能。结果表明:薄膜的结晶度、可见光透过率与室温电导率均随衬底温度的升高而增大。衬底温度升高至923 K后,薄膜由非晶转变为具有铜铁矿结构的单相CuCrO_2。1023 K沉积的薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为50%,室温电导率为0.33 S/cm。在近室温区(150~300 K),1023 K沉积薄膜导电规律符合半导体热激活模式,激活能为0.04 eV。
关键词
cucro2薄膜
衬底温度
结构
光电性能
Keywords
cucro
2
thin film
substrate temperature
structure
optoelectronic property
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
TQ131.21 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
CuCr_(1-x)Mg_xO_2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能
被引量:
6
3
作者
李杨超
张铭
董国波
赵学平
严辉
机构
北京工业大学材料科学与工程学院
出处
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期898-902,共5页
基金
北京市教育委员会科技计划资助项目(KM200910005023)
文摘
采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备Mg掺杂的CuCrO2薄膜。通过XRD、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征该系列薄膜样品的结构与光电性能。结果表明:退火处理后所有薄膜样品的结晶性良好,均为3R型铜铁矿结构;薄膜的电导率随掺杂量的增加而增大。当x=0.09时,样品的室温电导率可达6.16×10-2S/cm,比未掺杂的CuCrO2提高近400倍,且霍耳测试表明所制备的薄膜为p型导电体。电导率随温度变化关系表明:薄膜样品在200~300K的温度范围内均很好地符合Arrhenius热激活规律;当x=0.09时,最低激活能仅为0.034eV。薄膜的可见光透过率与光学带隙宽度均随掺杂量的增加而减小。
关键词
cucro2薄膜
CuCr1-xMgxO
2
薄膜
光学性能
光学带隙
室温电导率
激活能
Keywords
cucro
2
film
CuCr1-xMgxO
2
films
optical property
optical band gap
room temperature conductivity
activation energy
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
衬底温度对CuCrO2薄膜光电性能影响
李杨超
张铭
赵学平
董国波
严辉
《纳米科技》
2010
0
下载PDF
职称材料
2
衬底温度对CuCrO_2薄膜结构及光电性能的影响
赵学平
张铭
白朴存
侯小虎
刘飞
严辉
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
3
CuCr_(1-x)Mg_xO_2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能
李杨超
张铭
董国波
赵学平
严辉
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
6
下载PDF
职称材料
已选择
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