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S掺杂2H-CuGaO_(2)结构与性能的第一性原理研究
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作者 毕毓嘉 刘文婷 《全面腐蚀控制》 2023年第11期61-64,共4页
基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法,研究不同浓度S掺杂对2H-CuGaO_(2)能带结构和电子特性的影响规律。结果表明,掺杂后2H-CuGaO_(2)仍是间接带隙半导体,且带隙值随着掺杂浓度增加而增加;掺杂过程形成费米能级,对2H-CuGaO_... 基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法,研究不同浓度S掺杂对2H-CuGaO_(2)能带结构和电子特性的影响规律。结果表明,掺杂后2H-CuGaO_(2)仍是间接带隙半导体,且带隙值随着掺杂浓度增加而增加;掺杂过程形成费米能级,对2H-CuGaO_(2)导电性产生影响。 展开更多
关键词 2H-cugao_(2) 第一性原理 电子特性 掺杂
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水热法制备C_(3)N_(4)/CuGaO_(2)复合物及其气敏性能
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作者 王春水 吴海燕 +3 位作者 焦成 储向峰 梁士明 何丽芳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期1536-1542,共7页
采用简单水热法合成了一系列C_(3)N_(4)/CuGaO_(2)复合材料。采用XRD、SEM、TEM和XPS对制备的样品进行了表征。研究了一系列C_(3)N_(4)/Cu GaO_(2)复合材料的气敏性能。结果表明,基于C_(3)N_(4)/CuGaO_(2)-0.3复合材料(C_(3)N_(4)与Cu G... 采用简单水热法合成了一系列C_(3)N_(4)/CuGaO_(2)复合材料。采用XRD、SEM、TEM和XPS对制备的样品进行了表征。研究了一系列C_(3)N_(4)/Cu GaO_(2)复合材料的气敏性能。结果表明,基于C_(3)N_(4)/CuGaO_(2)-0.3复合材料(C_(3)N_(4)与Cu GaO_(2)的摩尔比为0.3:1)的气体传感器对甲苯的传感性能优于CuGaO_(2)传感器。相比较于CuGaO_(2)传感器的工作温度(140℃),C_(3)N_(4)/CuGaO_(2)-0.3复合材料传感器的最佳工作温度仅为25℃,对100μL/L甲苯气体的响应达到28,检出限低至0.01μL/L。对100μL/L甲苯气体的响应时间和恢复时间分别为114.2和27.4s。此外,用于检测甲苯的C_(3)N_(4)/CuGaO_(2)-0.3复合材料传感器还具有优异的长期稳定性、良好的重复性和优异的抗湿性能。 展开更多
关键词 C_(3)N_(4) cugao_(2) 气体传感器 甲苯
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烧结助剂Co_2O_3对Ce_(0.8)Gd_(0.2)O_(1.9)性能的影响 被引量:1
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作者 赵艳琴 吴印林 +3 位作者 周会珠 戴磊 李跃华 王岭 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1477-1479,1482,共4页
采用传统固相反应法制备陶瓷试样,借助EIS、XRD及SEM等技术手段研究了烧结助剂Co2O3对Ce0.8Gd0.2O1.9(CGO)的体密度、导电性能、相组成及微观结构的影响。结果表明,当CGO中添加2.59,6(质量分数)Co2O3时,可使CGO试样的烧结温... 采用传统固相反应法制备陶瓷试样,借助EIS、XRD及SEM等技术手段研究了烧结助剂Co2O3对Ce0.8Gd0.2O1.9(CGO)的体密度、导电性能、相组成及微观结构的影响。结果表明,当CGO中添加2.59,6(质量分数)Co2O3时,可使CGO试样的烧结温度降低200℃。添加0.75%(质量分数)Co2O3时,试样的晶粒电导率明显增大,晶界电导率下降,添加量为1.0%~2.5%(质量分数)时,晶粒电导率趋于不变,晶界电导率稍微有所增加。XRD图谱表明,试样在1100~1200℃烧结时表现为CGO纯相,在1300~1400℃的较高温度烧结时,为CGO相及少量的Ce24Co11相。 展开更多
关键词 cgo 烧结助剂 Co2O3 电导率
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Pr_(2-x)La_xNiO_(4+δ)基中温SOFC阴极制备与性能研究 被引量:3
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作者 陈松 屠恒勇 +1 位作者 李斯琳 余晴春 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期219-222,共4页
采用Pechini方法制备Pr_(2-x)La_xNiO_(4+δ)(x=0,1.5)和Pr_(2-x)La_xNiO_(4+δ)/Ce_(0.8)Gd_(0.2)O_(2-δ)(CGO)两种阴极粉体,并通过X射线衍射光谱法(XRD)等手段对粉体进行表征,结果表明Pr_(2-x)La_xNiO_(4+δ)阴极前驱体在空气中1 15... 采用Pechini方法制备Pr_(2-x)La_xNiO_(4+δ)(x=0,1.5)和Pr_(2-x)La_xNiO_(4+δ)/Ce_(0.8)Gd_(0.2)O_(2-δ)(CGO)两种阴极粉体,并通过X射线衍射光谱法(XRD)等手段对粉体进行表征,结果表明Pr_(2-x)La_xNiO_(4+δ)阴极前驱体在空气中1 150℃退火12 h后能够完全成相。Pr_(2-x)La_xNiO_(4+δ)/CGO(或Pr_(2-x)La_xNiO_(4+δ))和La_(0.6)S r_(0.4)Co O_(3-δ)(LS C)集电层分别沉积在具有CGO阻挡层的半电池上形成单电池,扫描电子显微镜法(SEM)分析发现功能梯度阴极与CGO阻挡层结合良好。以Pr_(2-x)La_xNiO_(4+δ)/CGO(或者Pr_(2-x)La_xNiO_(4+δ))为阴极的单电池性能测试表明,掺杂不同比例CGO以后,电池输出性能均随之而降低,而以Pr_2NiO_(4+δ)为阴极的电池性能达到相应温度下的最高输出性能。 展开更多
关键词 固体氧化物燃料电池 梯度阴极 Pr2-xLaxNiO4+δ Pr2-LaNiO4+啄/cgo
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孔径双峰分布γ-Al2O3负载NiMoP催化剂的制备及对蜡油加氢催化性能 被引量:8
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作者 张成涛 柴永明 +4 位作者 王晓 李国良 张孔远 赵瑞玉 刘晨光 《石油学报(石油加工)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期205-213,共9页
在氢氧化铝干胶挤条成型时,调节纳米炭黑的加入量和水/粉质量比,制备了孔径呈双峰分布、具有较大孔容和比表面积的γ-Al2O3载体。当炭黑加入质量分数为13%、水/粉质量比1.15时,制备的孔径呈双峰分布的γ-Al2O3载体的孔容为0.80mL/g、比... 在氢氧化铝干胶挤条成型时,调节纳米炭黑的加入量和水/粉质量比,制备了孔径呈双峰分布、具有较大孔容和比表面积的γ-Al2O3载体。当炭黑加入质量分数为13%、水/粉质量比1.15时,制备的孔径呈双峰分布的γ-Al2O3载体的孔容为0.80mL/g、比表面积为309m2/g,4~10nm和10~15nm孔径分别占总孔容50.8%和35.1%(体积分数),采用该载体制备的NiMoP/γ-Al2O3催化剂的孔径呈明显的双峰分布。在反应温度370℃、氢分压10MPa、氢/油体积比700、体积空速1.5h-1的条件下,制备的NiMoP/γ-Al2O3催化剂可使减压和焦化混合蜡油的硫质量分数由25600μg/g降至2070μg/g,脱硫率为91.9%,而参比催化剂仅可使减压和焦化混合蜡油硫质量分数降至3450μg/g,脱硫率为86.5%。 展开更多
关键词 孔径双峰分布 NiMoP γ- Al2O3 加氢脱硫 减压蜡油(VGO) 焦化蜡油(cgo)
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以SnO_2纳米颗粒为敏感电极的阻抗型氢气传感器的研究
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作者 赵兵建 王岭 +1 位作者 何承 戴磊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B11期938-941,共4页
采用浸渍法在Ce0.9Gd0.1O1.95(CGO)固体电解质骨架中制备敏感材料SnO2,并组装成氢气传感器。利用XRD、SEM对氢气传感器的相组成及微观形貌进行表征,采用IM6e型电化学工作站对传感器气敏性能进行测试。结果表明浸渍法制备的敏感材料SnO... 采用浸渍法在Ce0.9Gd0.1O1.95(CGO)固体电解质骨架中制备敏感材料SnO2,并组装成氢气传感器。利用XRD、SEM对氢气传感器的相组成及微观形貌进行表征,采用IM6e型电化学工作站对传感器气敏性能进行测试。结果表明浸渍法制备的敏感材料SnO2颗粒细小,约为400nm左右;在400-550℃时,传感器阻抗值随氢浓度的增加而减小,且传感器信号与氢气浓度表现出非常良好的线性关系。随着温度升高,传感器的信号响应速度逐渐增加,在550℃、氢浓度为1.0×10-3时,其90%的响应时间为170s。 展开更多
关键词 SNO2 cgo 氢气传感器 阻抗值
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湿H_2气氛下CGO硅钢初次再结晶织构演变行为 被引量:3
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作者 李志超 党宁 +2 位作者 唐荻 米振莉 范东亮 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1-5,共5页
通过对湿H2气氛下,相同退火温度、不同退火时间的CGO硅钢初次再结晶样品进行金相组织观察,并进行了EBSD微观织构分析,研究了CGO硅钢初次再结晶过程中的组织及再结晶织构演变行为。结果表明,在湿H2气氛下,820℃保温,CGO硅钢初次再结晶过... 通过对湿H2气氛下,相同退火温度、不同退火时间的CGO硅钢初次再结晶样品进行金相组织观察,并进行了EBSD微观织构分析,研究了CGO硅钢初次再结晶过程中的组织及再结晶织构演变行为。结果表明,在湿H2气氛下,820℃保温,CGO硅钢初次再结晶过程约在120 s时完成。随着退火时间的延长,γ面上{111}<112>织构含量逐渐减少,{111}<110>织构先减少后增多,随着再结晶的完成,部分{111}<112>取向晶粒向高斯{110}<001>取向转化的同时,也向{111}<110>取向转化,高斯{110}<001>织构含量逐渐增多。高斯取向晶粒较多是由{111}<112>取向晶粒转化而来,同时也证明了CGO硅钢高斯取向晶粒的二次再结晶异常长大生长机制为择优形核。 展开更多
关键词 cgo硅钢 湿H2气氛 初次再结晶 织构演变 择优形核
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Hydrothermal synthesized delafossite CuGaO_(2) as an electrocatalyst for water oxidation
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作者 Han Gao Miao Yang +3 位作者 Xing Liu Xianglong Dai Xiao-Qing Bao Dehua Xiong 《Frontiers of Optoelectronics》 EI CSCD 2022年第1期80-91,共12页
Hydrogen production from water splitting provides an effective method to alleviate the ever-growing global energy crisis.In this work,delafossite CuGaO_(2)(CGO)crystal was synthesized through hydrothermal routes with ... Hydrogen production from water splitting provides an effective method to alleviate the ever-growing global energy crisis.In this work,delafossite CuGaO_(2)(CGO)crystal was synthesized through hydrothermal routes with Cu(NO_(3))_(2)·3H_(2)O and Ga(NO_(3))_(3)·xH_(2)O used as reactants.The addition of cetyltrimethylammonium bromide(CTAB)was found to play an important role in modifying the morphology of CuGaO_(2)(CGO-CTAB).With the addition of CTAB,the morphology of CGO-CTAB samples changed from irregular flake to typical hexagonal sheet microstructure,with an average size of 1-2μm and a thick-ness of around 100 nm.Furthermore,the electrocatalytic activity of CGO-CTAB crystals for oxygen evolution reaction(OER)was also studied and compared with that of CGO crystals.CGO-CTAB samples exhibited better activity than CGO.An overpotential of 391.5 mV was shown to be able to generate a current density of 10 mA/cm^(2).The as-prepared samples also demonstrate good stability for water oxidation and relatively fast OER kinetics with a Tafel slope of 56.4 mV/dec.This work highlights the significant role of modification of CTAB surfactants in preparing CGO related crystals,and the introduc-tion of CTAB was found to help to improve their electrocatalytic activity for OER. 展开更多
关键词 HYDROTHERMAL Water splitting DELAFOSSITE cugao_(2)(cgo) ELECTROCATALYST
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