喷涂法制备缓冲层CuI薄膜的生长(英文)

采用乙腈为溶剂的喷涂工艺制备晶粒尺寸约为35nm的CuI薄膜。研究乙腈溶液中碘掺杂浓度对CuI薄膜结构、形貌和光学性能的影响。XRD衍射结果表明:碘掺杂的CuI薄膜具有γ态立方闪锌矿结构,沿(111)晶面择优取向生长。SEM结果显示CuI薄膜的微结构与乙腈溶液中碘掺杂量有关;当乙腈溶液中掺杂碘为0.025g时,所制备的CuI薄膜均匀、致密,在可见光区域光学透过率可达75.4%,禁带宽度接近2.96eV。

衬底温度对CuI薄膜微结构与性能的影响

采用喷射沉积技术，探讨不同的衬底温度对CuI薄膜的微结构与性能的影响。通过x射线衍射谱，场发射扫描电子显微镜，霍尔测试仪和紫外．可见光分光光度计等测试了CuI薄膜的微结构、表面形貌和光电性能。研究结果表明，衬底温度为120℃时CuI薄膜的结晶性较好，薄膜表面相对均匀致密。可见光透过率随着衬底温度升高先增大后减小，在衬底温度为120℃时最高，近76％，适合作Al：ZnO／p-CuI／n-CIS薄膜太阳能电池的缓冲层。

单轴取向p型半导体CuI薄膜的制备与表征

在室温下用反应沉淀制取了CuI粉体,用溶液生长法在玻璃载体上制备了单轴取向p型半导体CuI薄膜。用XRD、SEM对样品进行了分析,结果表明,CuI粉体为片状结构;晶体薄膜是(111)晶面沿玻璃平行生长的单轴取向马赛克CuI薄膜。阐明了单轴取向CuI薄膜形成的机理。

电沉积温度对碘化亚铜薄膜光学性质的影响(英文)

以ITO导电玻璃衬底,CuSO4、KI为反应溶液,EDTA为络合剂,通过简单的电化学方法分别在40,60,80℃的电沉积温度下成功制备出高定向的γ-CuI薄膜。讨论了不同沉积温度下碘化亚铜薄膜各项性质的差异,作为比较还利用化学沉积方法在室温下合成了碘化亚铜粉末。利用X射线衍射图(XRD)进行结构分析,场发射扫描电子显微镜(SEM)进行形貌观察。实验结果表明:碘化亚铜薄膜由三角形纳米片构成,沿(111)晶相择优生长。随着电沉积温度的升高,颗粒的尺寸从2μm减小到500 nm。不同电沉积温度制备出的碘化亚铜薄膜均在拉曼光谱上呈现出一个强的LO峰和一个微弱的TO峰,峰的强度均随着电沉积温度的升高而增大。同时,光致发光(PL)光谱的分析显示出强的近带边发射峰。CuI粉末在结构及形貌等性质上与CuI薄膜有一定的差异。