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溶剂热法制备CuIn(S_xSe_(1-x))_2纳米粉体的微观结构与光学特性
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作者 段文杰 段学臣 +2 位作者 李历历 夏慧 朱奕漪 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 北大核心 2015年第1期86-92,共7页
以乙醇胺为溶剂,以氯化铟、氯化铜、硫化钠、硒粉为原料,采用溶剂热法制备CuIn(SxSe1-x)2(x=0-1)纳米粉末,采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、紫外–可见分光光度计等对该粉末的物相结构、形貌及光吸收性能进行分... 以乙醇胺为溶剂,以氯化铟、氯化铜、硫化钠、硒粉为原料,采用溶剂热法制备CuIn(SxSe1-x)2(x=0-1)纳米粉末,采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、紫外–可见分光光度计等对该粉末的物相结构、形貌及光吸收性能进行分析与表征。结果表明:CuIn(SxSe1-x)2粉末主要为黄铜矿相结构,当S元素掺杂量x〉0.5时,粉末中出现纤锌矿相CuIn(SxSe1-x)2。随x从0增加到1,CuIn(SxSe1-x)2粉末的形貌从片簇状逐渐转变为颗粒状,其吸收边出现"蓝移",禁带宽度从1.16eV增大到1.48eV。 展开更多
关键词 溶剂热 cuin(SxSe1-x)2 乙醇胺 太阳能电池 光吸收性能
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铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征 被引量:2
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作者 方小红 赵彦民 +2 位作者 杨立 冯金晖 李巍 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期406-408,共3页
以厚度为25~70mm的钛箔为衬底,直流磁控溅射法制备0.8~1.2mm的底电极Mo薄膜,而后以CuIn和CuGa靶交替溅射制得Cu-In-Ga金属预制膜,再以真空硒化法制得CuIn1-xGaxSe2薄膜。以化学浴沉积法制备缓冲层CdS,射频磁控溅射法制备ZnO和ZAO,直... 以厚度为25~70mm的钛箔为衬底,直流磁控溅射法制备0.8~1.2mm的底电极Mo薄膜,而后以CuIn和CuGa靶交替溅射制得Cu-In-Ga金属预制膜,再以真空硒化法制得CuIn1-xGaxSe2薄膜。以化学浴沉积法制备缓冲层CdS,射频磁控溅射法制备ZnO和ZAO,直流磁控溅射法制备上电极,制得结构为衬底Ti/Mo/CIGS/CdS/ZnO/ZAO/Al,其光电转换效率达到7.3%(25℃,AM0)。 展开更多
关键词 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 柔性
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铜铟镓硒纳米颗粒制备技术的研究进展
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作者 曹慧群 张欣鹏 +3 位作者 樊先平 胡居广 罗仲宽 刘剑洪 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2012年第3期247-251,共5页
介绍铜铟镓硒(CuIn1-xGaxSe2,CIGS)薄膜太阳能电池结构及其吸收层制备技术的最新研究成果.指出非真空印刷法制备具有速度快、成本低且能实现连续大规模生产的优点,粒子尺寸小且均匀的CIGS纳米晶体的合成技术是非真空印刷法制备CIGS薄膜... 介绍铜铟镓硒(CuIn1-xGaxSe2,CIGS)薄膜太阳能电池结构及其吸收层制备技术的最新研究成果.指出非真空印刷法制备具有速度快、成本低且能实现连续大规模生产的优点,粒子尺寸小且均匀的CIGS纳米晶体的合成技术是非真空印刷法制备CIGS薄膜的关键.评述CIGS纳米颗粒的合成技术中常用的低温凝胶法、微波法、溶剂热法、热注入法、气体还原法和化学沉积法的研究进展,分析各种方法的优缺点,对深入研究CIGS纳米颗粒的合成提出了建议. 展开更多
关键词 纳米材料 铜铟镓硒 太阳能电池 低温凝胶法 微波法 溶剂热法 热注入法
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在PI衬底上制备CdS薄膜及其性能表征 被引量:1
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作者 李巍 方小红 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第A01期17-19,共3页
介绍用化学水浴法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积铜铟镓硒薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜.研究制备CdS薄膜过程中的一些化学反应过程和反应机理,着重研究在沉积过程中,氨水浓度和水浴温度温度对CdS薄膜品质的影响.经过实验比较得到沉积CdS薄膜... 介绍用化学水浴法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积铜铟镓硒薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜.研究制备CdS薄膜过程中的一些化学反应过程和反应机理,着重研究在沉积过程中,氨水浓度和水浴温度温度对CdS薄膜品质的影响.经过实验比较得到沉积CdS薄膜的较佳氨水浓度和水浴温度条件为:1.3×10-3mol/L NH3.H2O,75℃水浴温度. 展开更多
关键词 化学水浴法 硫化镉 铜铟镓硒 太阳电池
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CIGS双梯度带隙吸收层的制备及特性
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作者 李强 康振锋 +6 位作者 刘文德 郑平平 肖玲玲 范悦 薄青瑞 齐彬彬 丁铁柱 《真空》 CAS 2014年第1期48-52,共5页
采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在钠钙玻璃上沉积不同Ga含量的CuIn(1-x)Gax Se2薄膜,研究不同Ga含量对CIGS薄膜结构及光学特性的影响。研究表明:随着Ga含量增加,CIGS薄膜的光学带隙增大。优选特性较好的CIGS沉积在同一个钠钙玻璃衬底上,使G... 采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在钠钙玻璃上沉积不同Ga含量的CuIn(1-x)Gax Se2薄膜,研究不同Ga含量对CIGS薄膜结构及光学特性的影响。研究表明:随着Ga含量增加,CIGS薄膜的光学带隙增大。优选特性较好的CIGS沉积在同一个钠钙玻璃衬底上,使Ga/(In+Ga)比在薄膜内纵深方向呈先减小后增加的变化。采用XPS逐层刻蚀分析薄膜的元素组成,利用带隙近似公式得到能带随深度变化情况,最终得到结构、光学特性和电学特性较好的双梯度带隙结构薄膜。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 cuin(1-x)Ga^Se2 XPS逐层刻蚀 双梯度带隙
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激光溅射沉积后硒化制备CIGS薄膜 被引量:1
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作者 李丽丽 丁铁柱 +1 位作者 何杰 韩磊 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期500-504,共5页
采用脉冲激光溅射沉积法(PLD)制备了Cu-In-Ga双层预制膜,通过固态源硒化后热处理的方法获得了CuIn1-xGaxSe2(CIGS)薄膜,研究制备预制膜的工艺参数以及热处理温度对CIGS薄膜特性的影响。采用台阶仪、SEM、EDS、XRD和紫外分光光度计研究... 采用脉冲激光溅射沉积法(PLD)制备了Cu-In-Ga双层预制膜,通过固态源硒化后热处理的方法获得了CuIn1-xGaxSe2(CIGS)薄膜,研究制备预制膜的工艺参数以及热处理温度对CIGS薄膜特性的影响。采用台阶仪、SEM、EDS、XRD和紫外分光光度计研究了薄膜的厚度、表面形貌、成分、物相结构以及光学带隙。得到了制备具有较好光学性能CIGS薄膜的优化条件为:Cu、In、Ga的原子含量比为nCu/(nIn+nGa)=0.98,nGa/(nIn+nGa)=0.28,硒化温度250℃,硒化时间60min,热处理温度为550℃,在此优化条件下得到的薄膜光学带隙为1.43eV,XRD表明CIGS薄膜是单一黄铜矿薄膜。 展开更多
关键词 PLD cuin1-x GaxSe2 热处理温度
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