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电沉积制备CuInGaSe_2薄膜及性能 被引量:1
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作者 李建庄 赵修建 夏冬林 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1-3,共3页
利用电沉积方法制备出CuInGaSe2薄膜,对制备的薄膜硒化退火以提高薄膜的化学计量比。通过X射线能量色散谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及四探针方法对制备的薄膜进行组成成分、微观结构、表面形貌和导电类型进行分析,结果... 利用电沉积方法制备出CuInGaSe2薄膜,对制备的薄膜硒化退火以提高薄膜的化学计量比。通过X射线能量色散谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及四探针方法对制备的薄膜进行组成成分、微观结构、表面形貌和导电类型进行分析,结果表明制备的薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,具有较高的光吸收系数,导电类型均为n型。 展开更多
关键词 cuingase2 薄膜 电沉积 太阳能电池
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CIGS叠层太阳能电池的中间层及稳定性的研究进展 被引量:3
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作者 季鑫 张朝民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第23期3915-3920,共6页
叠层太阳能电池的问世开创了廉价、大面积、高效率太阳能电池制造与应用的新时代,当前研究最深入、应用最广泛的叠层电池主要有非晶硅/微晶硅(α-Si∶H/mc-Si∶H)的硅基叠层电池以及GaInP/GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物叠层电池,但是这两... 叠层太阳能电池的问世开创了廉价、大面积、高效率太阳能电池制造与应用的新时代,当前研究最深入、应用最广泛的叠层电池主要有非晶硅/微晶硅(α-Si∶H/mc-Si∶H)的硅基叠层电池以及GaInP/GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物叠层电池,但是这两类叠层电池在长期光照下性能会发生衰退,影响电池的实际应用。因此人们为制造高稳定性和良好匹配度的叠层电池进行了不懈的努力,包括改进电池制造工艺和开发新材料体系的叠层电池等。铜铟镓硒(CIGS)是一种光吸收系数很高的材料且具有优异的光电性能,但CIGS叠层太阳能电池在光电转换过程中的衰减特别快,稳定性较差,远远达不到其理论效率;另外,CIGS硒化物的黄铜矿结构难以控制,导致其电学性能较差。将CIGS与Si电池叠加起来形成叠层电池,两者性能互补,既可提高CIGS材料的电导率,又可以拓宽Si电池的太阳光吸收波长范围。本文归纳了CIGS叠层太阳能电池器件的研究进展,并总结了各种叠层电池的中间结合层AZO(ZnO∶Al)、FTO(SnO2∶F)、ITO(In2O3∶Sn)等的结构以及光电性能等方面的特点,从中间层、结构以及温度控制等方面论述了影响CIGS叠层太阳能电池稳定性的因素,分析了CIGS叠层太阳能电池面临的问题并展望了其前景,以期为制备稳定和高效率的新型CIGS叠层太阳能电池提供参考。 展开更多
关键词 cuingase2薄膜 叠层太阳能电池 磁控溅射 中间复合层 电池稳定性
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热处理对电沉积制备CuInGaSe_2薄膜的影响
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作者 李建庄 赵修建 夏冬林 《感光科学与光化学》 CSCD 2005年第4期241-246,共6页
CuInGaSe2薄膜太阳能电池因具有稳定、高效、低成本和环保等特点而受到国内外科学家的重视.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,在钼/钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制... CuInGaSe2薄膜太阳能电池因具有稳定、高效、低成本和环保等特点而受到国内外科学家的重视.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,在钼/钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用的CuInGaSe2薄膜.分析了不同热处理温度对电沉积制备的CuInGaSe2薄膜的影响,结果表明:当热处理温度为450℃时,所制备的CuInGaSe2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀和致密性较好. 展开更多
关键词 cuingase2 薄膜 热处理 太阳能电池 电沉积
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两步法制备的CuInGaSe_2薄膜中Ga的富集现象
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作者 李春雷 庄大明 +2 位作者 张弓 刘江 宋军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期641-645,共5页
采用预制膜硒化两步法制备CIGSe薄膜,采用X射线衍射方法分析薄膜的结构,采用荧光光谱分析和俄歇电子能谱分析方法检测分析薄膜的成分。研究结果表明CIGSe薄膜中Ga元素以置换原子的形式存在于CuInSe2相中,并且Ga具有背电极富集现象。富... 采用预制膜硒化两步法制备CIGSe薄膜,采用X射线衍射方法分析薄膜的结构,采用荧光光谱分析和俄歇电子能谱分析方法检测分析薄膜的成分。研究结果表明CIGSe薄膜中Ga元素以置换原子的形式存在于CuInSe2相中,并且Ga具有背电极富集现象。富集现象弱化了Ga元素对禁带宽度的提高作用,并且由于薄膜背电极侧Ga含量过高导致背电极处缺陷浓度增加,从而降低了CIGSe薄膜的质量。结合Zhang等对CuInSe2和CuGaSe2中缺陷对生成能的理论计算,本文认为较高的2VCu-GaCu缺陷对形成能造成了Ga元素的背电极富集现象。 展开更多
关键词 太阳能电池 铜铟镓硒 两步法 预制膜硒化 背电极富集
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某铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池项目职业病危害预评价
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作者 张萍 黄灵 张艳秋 《中国卫生工程学》 CAS 2021年第6期888-893,共6页
目的确定某铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池项目可能存在和产生的职业病危害因素,分析其危害程度,评价该项目职业病危害防护措施及其效果。方法笔者采用工程分析与风险分析相结合的方法对铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池项目进行综合分析和... 目的确定某铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池项目可能存在和产生的职业病危害因素,分析其危害程度,评价该项目职业病危害防护措施及其效果。方法笔者采用工程分析与风险分析相结合的方法对铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池项目进行综合分析和评价。结果该项目存在和产生的职业病危害因素有:钼及其化合物、铟及其化合物、铜烟、镉及其化合物、氨、硒化氢、硫化氢、乙硼烷、噪声、高温、激光辐射、X射线等,其中钼及其化合物、铟及其化合物、铜烟、镉及其化合物、氨、硒化氢、硫化氢的职业接触限值分别为6、0.1、0.2、0.01、20、0.15、10 mg/m^(3)。结论该项目属于职业病危害较重的建设项目,拟采取的职业病防护措施基本可行。 展开更多
关键词 铜铟镓硒(CIGS)薄膜 太阳能电池 预评价 职业病危害
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