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Bio-compatibility and cytotoxicity studies of water-soluble CuInS_2-ZnS-AFP fluorescence probe in liver cancer cells 被引量:5
1
作者 Ming-Ya Yang Jian Hong +5 位作者 Yan Zhang Zhen Gao Tong-Tong Jiang Jiang-Luqi Song Xiao-Liang Xu Li-Xin Zhu 《Hepatobiliary & Pancreatic Diseases International》 SCIE CAS CSCD 2016年第4期406-411,共6页
BACKGROUND: The oncogenesis of hepatocellular carcinoma(HCC) is not clear. The current methods of the pertinent studies are not precise and sensitive. The present study was to use liver cancer cell line to explore ... BACKGROUND: The oncogenesis of hepatocellular carcinoma(HCC) is not clear. The current methods of the pertinent studies are not precise and sensitive. The present study was to use liver cancer cell line to explore the bio-compatibility and cytotoxicity of ternary quantum dots(QDs) probe and to evaluate the possible application of QDs in HCC.METHODS: CuInS_2-ZnS-AFP fluorescence probe was designed and synthesized to label the liver cancer cell HepG 2. The cytotoxicity of CuInS_2-ZnS-AFP probe was evaluated by MTT experiments and flow cytometry. RESULTS: The labeling experiments indicated that CuInS_2-ZnS QDs conjugated with AFP antibody could enter HepG 2 cells effectively and emit intensive yellow fluorescence by ultraviolet excitation without changing cellular morphology. Toxicity tests suggested that the cytotoxicity of CuInS_2-ZnS-AFP probe was significantly lower than that of CdT e-ZnS-AFP probe(t test, F=0.8, T=-69.326, P〈0.001). For CuInS_2-ZnS-AFP probe, timeeffect relationship was presented in intermediate concentration(〉20%) groups(P〈0.05) and dose-effect relationship was presented in almost all of the groups(P〈0.05). CONCLUSION: CuInS_2-ZnS-AFP QDs probe had better biocompatibility and lower cytotoxicity compared with CdT e-ZnS-AFP probe, and could be used for imaging the living cells in vitro. 展开更多
关键词 cuins2-zns quantum dot Hep G2 cells bio-compatibility cytotoxicity
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溶剂热合成CuInS_2纳米粉体及薄膜的制备 被引量:10
2
作者 邹正光 陈壁滔 +2 位作者 龙飞 谢春艳 聂小明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1191-1195,共5页
本文以氯化铜、氯化铟、硫脲为原料,以乙二醇为溶剂,采用溶剂热法在常压下合成了片状的CuInS2(C IS)纳米粉体。研究了合成温度、合成时间、溶液浓度对合成产物C IS物相和形貌的影响。采用涂覆工艺对粉体成膜,研究了热处理对C IS薄膜... 本文以氯化铜、氯化铟、硫脲为原料,以乙二醇为溶剂,采用溶剂热法在常压下合成了片状的CuInS2(C IS)纳米粉体。研究了合成温度、合成时间、溶液浓度对合成产物C IS物相和形貌的影响。采用涂覆工艺对粉体成膜,研究了热处理对C IS薄膜的影响。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)及能谱仪(EDS)对合成产物进行了分析表征。研究结果表明:随着合成温度的升高和合成时间的延长,合成粉体的纯度提高。随着溶液浓度的增大,衍射峰出现宽化现象,合成粉体的粒径变小。在合成温度为195℃,保温时间为12 h,反应溶液浓度为氯化铜0.02 mol/L、氯化铟0.02 mol/L、硫脲0.04 mol/L的条件下,制备得到单一的C IS片状纳米粉体,片状颗粒的大小为200~500 nm,最终经过热处理能获厚度在5~8μm左右的相对致密的C IS薄膜。 展开更多
关键词 溶剂热 cuins2 纳米粉体
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CuInS_2纳米晶的制备和发光性质 被引量:6
3
作者 王秀英 刘学彦 赵家龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期7-11,共5页
以十二硫醇为溶剂,通过选择合适的金属源制备了各种尺寸的CuInS2量子点。观察到随着粒子的尺寸减小,其吸收和发光光谱明显蓝移,存在明显的量子尺寸效应。通过在CuInS2纳米晶表面包覆ZnS壳层,发现随着壳层厚度增加,其发光量子效率明显提... 以十二硫醇为溶剂,通过选择合适的金属源制备了各种尺寸的CuInS2量子点。观察到随着粒子的尺寸减小,其吸收和发光光谱明显蓝移,存在明显的量子尺寸效应。通过在CuInS2纳米晶表面包覆ZnS壳层,发现随着壳层厚度增加,其发光量子效率明显提高,最大达到了48%;继续增加壳层厚度,其发光量子效率反而降低。进一步测量它们的荧光寿命,发现包覆ZnS壳层后的CuInS2纳米晶的荧光寿命明显增加,证实表面包覆明显减少其表面的无辐射复合中心,提高了其发光效率。进一步制备了CuInS2/ZnS核壳量子点发光二极管,并对其电致发光性质进行了研究。 展开更多
关键词 cuins2 量子点 纳米晶 发光二极管
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花状CuInS2微晶的溶剂热合成及表征 被引量:4
4
作者 蔡文 胡杰 +3 位作者 向卫东 赵寅生 王晓明 黄文旵 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期42-45,共4页
以CuCl2.2H2O为铜源,InCl3为铟源,硫脲(Tu)为硫源,分别以N,N二甲基甲酰胺(N,N-dimethylformamide,DMF)、乙二醇、乙醇、聚乙二醇-300为溶剂在200℃下反应12h合成花状CuInS2微晶。用X射线粉末衍射仪、X射线光电子能谱、场发射扫描电... 以CuCl2.2H2O为铜源,InCl3为铟源,硫脲(Tu)为硫源,分别以N,N二甲基甲酰胺(N,N-dimethylformamide,DMF)、乙二醇、乙醇、聚乙二醇-300为溶剂在200℃下反应12h合成花状CuInS2微晶。用X射线粉末衍射仪、X射线光电子能谱、场发射扫描电子显微镜对粉体的结构、形貌、相组分进行表征。研究表明:以DMF、乙二醇、乙醇、聚乙二醇-300为溶剂均能得到由厚度为100-200nm的纳米片组成的花状CuInS2微晶。并对其形成机理进行探讨。 展开更多
关键词 溶剂热法 cuins2太阳电池材料 花状微晶 纳米片 硫脲
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硫分压对光吸收层CuInS_2薄膜性能的影响 被引量:2
5
作者 阎有花 刘迎春 +3 位作者 方玲 卢志超 周少雄 李正邦 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期838-841,共4页
在不同硫分压r(r=Sn/[N2+Sn])下,采用Cu-In预制膜硫化法制备了CuInS2薄膜。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、紫外-可见光分光光度计对薄膜的表面形貌、结构、电学、光学性能进行了表征分析。结果表明:随着r增加,薄膜的结晶... 在不同硫分压r(r=Sn/[N2+Sn])下,采用Cu-In预制膜硫化法制备了CuInS2薄膜。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、紫外-可见光分光光度计对薄膜的表面形貌、结构、电学、光学性能进行了表征分析。结果表明:随着r增加,薄膜的结晶质量提高,当r=1/2时,晶粒大小如一,粒度保持在1μm左右,沿[112]晶向择优生长,载流子浓度为5.6×1016cm-3,光学带隙在1.53eV左右。 展开更多
关键词 cuins2薄膜 硫化法 硫分压 微结构
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热处理对化学水浴沉积法制备的CuInS_2薄膜的影响 被引量:3
6
作者 汤会香 严密 +1 位作者 张辉 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期363-366,共4页
采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高... 采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高温长时间热处理,薄膜容易被氧化,而在低真空下,采取低温-高温两步退火处理后,薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高,因此后一热处理过程适合化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理。 展开更多
关键词 cuins2薄膜 化学水浴沉积法 热处理
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电沉积制备CuInS_2半导体薄膜及其光学性能研究 被引量:4
7
作者 孙倩 关荣锋 张大峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期65-71,83,共8页
利用电化学循环伏安法研究了Cu2+、In3+及S2O23-在不同pH条件下的伏安特性,发现以柠檬酸为络合剂,pH=6时几种离子在-0.8 V电位下的电化学还原行为相近,在此基础上采用恒电位法在ITO导电玻璃基底上制备CIS薄膜太阳能电池用的吸收层材料Cu... 利用电化学循环伏安法研究了Cu2+、In3+及S2O23-在不同pH条件下的伏安特性,发现以柠檬酸为络合剂,pH=6时几种离子在-0.8 V电位下的电化学还原行为相近,在此基础上采用恒电位法在ITO导电玻璃基底上制备CIS薄膜太阳能电池用的吸收层材料CuInS2半导体薄膜。为提高膜层的结晶度,选取空气、Ar、及Ar+S三种气氛对沉积的膜层进行热处理,SEM、XRD及Raman光谱结果表明,经Ar气氛中硫化热处理才可以得到结晶度好且形貌均匀致密的薄膜。Cu2+/In3+比影响薄膜的结晶生长,结果表明,随着Cu/In比的增大,薄膜以典型的黄铜矿结构为主,当沉积电位为-0.8V且Cu2+/In3+=1.8时基底上得到的高质量CuInS2半导体薄膜的光学带隙是1.55 eV。 展开更多
关键词 半导体薄膜 太阳能电池 cuins2 黄铜矿结构 光学带隙
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纤锌矿CuInS_2纳米晶的合成及其机理研究 被引量:2
8
作者 邹正光 高耀 +1 位作者 龙飞 张劲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2164-2170,共7页
采用一步溶剂热法合成纤锌矿结构CuInS2(W-CIS)纳米粉体,并对其生长形成机理进行了研究。利用XRD、FE-SEM及EDS对W-CIS纳米晶的结构和形貌以及元素组成进行分析,研究了溶剂热合成过程中的铜源、硫源、反应温度及反应时间对CuInS2纳米... 采用一步溶剂热法合成纤锌矿结构CuInS2(W-CIS)纳米粉体,并对其生长形成机理进行了研究。利用XRD、FE-SEM及EDS对W-CIS纳米晶的结构和形貌以及元素组成进行分析,研究了溶剂热合成过程中的铜源、硫源、反应温度及反应时间对CuInS2纳米粉体物相及形貌的影响。结果表明:以Cu Cl2·2H2O或Cu(CH3COO)2·H2O、In Cl3·4H2O和硫脲为原料,聚乙二醇-400、乙二胺为溶剂于200℃下反应2 h可以成功合成出结晶性良好的CuInS2纳米片,直径约为300 nm,厚度大约为10~20 nm。通过研究发现,乙二胺对形成纤锌矿结构CuInS2起着关键的作用,并且该粉体对亚甲基蓝的降解率可达75.04%。 展开更多
关键词 溶剂热法 纤锌矿 cuins2纳米晶 亚甲基蓝 降解率
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硫化温度对CuInS_2薄膜微结构和光学性能的影响 被引量:1
9
作者 夏冬林 刘俊 +1 位作者 张兴良 赵修建 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期7-9,19,共4页
采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、... 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见光谱(UV-Vis)等测试手段对薄膜的晶相结构、表面形貌、光学性能进行了表征。结果表明,Cu-In合金预置膜经550℃硫化热处理20min可制备出黄铜矿结构的CuInS2薄膜,并具有(112)面的择优取向,所制备的CuInS2薄膜晶粒粒径约为1μm,光学带隙为1.51eV。 展开更多
关键词 磁控溅射 cuins2薄膜 硫化 微观结构 光学带隙
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硫化时间对CuInS_2薄膜微结构的影响 被引量:1
10
作者 夏冬林 徐俊 +1 位作者 刘俊 雷盼 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期20-23,共4页
采用磁控溅射技术在镀Mo玻璃基片上沉积Cu-In金属预制膜后在N2气氛下硫化制备CuInS2薄膜。研究热处理硫化时间对CuInS2薄膜的表面形貌和晶相结构性能的影响。利用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和Raman光谱等测试手段对薄膜的... 采用磁控溅射技术在镀Mo玻璃基片上沉积Cu-In金属预制膜后在N2气氛下硫化制备CuInS2薄膜。研究热处理硫化时间对CuInS2薄膜的表面形貌和晶相结构性能的影响。利用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和Raman光谱等测试手段对薄膜的表面形貌和晶相结构进行表征。实验结果表明,采用磁控溅射金属预制膜经适当的时间硫化所制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,随着硫化时间的增加,CuInS2薄膜的晶粒的形貌由球形结构向片状结构转化,并且硫化时间越长,所得薄膜的结晶性能越好,但过长的硫化时间会生成Cu-Au相而导致薄膜质量的劣化。 展开更多
关键词 磁控溅射 cuins2薄膜 固态源硫化法 微观结构
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水热及溶剂热制备形貌可控CuInS_2光伏材料的研究进展 被引量:1
11
作者 蔡文 胡杰 +2 位作者 赵寅生 向卫东 黄文旵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期11-16,共6页
纳米CuInS_2材料是一种直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.50eV,吸收系数高达10~5cm^(-1),在太阳电池领域有着广阔的应用前景。水热及溶剂热法是液相制备纳米粉体的常用方法之一,其用于制备形貌可控的CuInS_2光伏材料具有独特的优势。... 纳米CuInS_2材料是一种直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.50eV,吸收系数高达10~5cm^(-1),在太阳电池领域有着广阔的应用前景。水热及溶剂热法是液相制备纳米粉体的常用方法之一,其用于制备形貌可控的CuInS_2光伏材料具有独特的优势。介绍了黄铜矿型CuInS_2晶体的结构和性质以及水热及溶剂热法的原理和特点;综述了近年来国内外水热及溶剂热法制备不同形貌与结构CuIS_2光伏材料的研究现状,研究了其制备特点及制备机理;最后探讨了目前存在的问题及今后研究的方向。 展开更多
关键词 水热及溶剂热 cuins2光伏材料 形貌控制
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CuInS_2薄膜的单源热蒸发制备及其性能研究 被引量:1
12
作者 王震东 莫晓亮 陈国荣 《真空》 CAS 北大核心 2011年第1期29-32,共4页
本文以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜。随着退火温度的升高,薄膜的结晶性能增强,表现出高度的(112)晶面择优取向,SEM观察显示:350℃退火后,薄膜致密,晶粒细小,大小为数十纳米。同时,热探针... 本文以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜。随着退火温度的升高,薄膜的结晶性能增强,表现出高度的(112)晶面择优取向,SEM观察显示:350℃退火后,薄膜致密,晶粒细小,大小为数十纳米。同时,热探针测试发现:薄膜的导电类型为弱N型。光学性能方面,当退火温度高于250℃时,CuInS2薄膜的禁带宽度为1.50 eV,接近吸收太阳光谱所需的理想禁带宽度值。 展开更多
关键词 cuins2粉末 真空烧结 cuins2薄膜 单源热蒸发
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掺杂CuInS_2纳米晶玻璃的三阶非线性光学性质 被引量:1
13
作者 向卫东 赵海军 +5 位作者 杨昕宇 钟家松 罗红艳 郭玉清 梁晓娟 杨欣琪 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期230-235,共6页
采用溶胶-凝胶法结合气氛控制制备了CuInS2纳米晶玻璃.利用X射线粉末衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CuInS2纳米晶在玻璃中的形貌和微结构进行了表征,并利用飞秒Z扫描技术对该玻璃的三阶非线性光学性质进行了研究.结果表明,在钠硼... 采用溶胶-凝胶法结合气氛控制制备了CuInS2纳米晶玻璃.利用X射线粉末衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CuInS2纳米晶在玻璃中的形貌和微结构进行了表征,并利用飞秒Z扫描技术对该玻璃的三阶非线性光学性质进行了研究.结果表明,在钠硼硅玻璃中形成了尺寸分布为10 nm左右的均一的CuInS2四方晶系纳米晶.该玻璃体现出优良的三阶非线性光学性能,其三阶非线性光学折射率γ、吸收系数β和极化率χ(3)分别为8.57×10-16 m2/W,3.74×10-8 m/W和1.95×10-17 m2/V2. 展开更多
关键词 cuins2纳米晶 钠硼硅玻璃 溶胶-凝胶法 飞秒Z扫描技术
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CuInS_2纳米晶的制备及三阶非线性光学性质的研究 被引量:2
14
作者 杨帆 向卫东 +5 位作者 张希艳 杨昕宇 冯丽 王芸 梁晓娟 金怀东 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2011年第3期96-100,共5页
以无水醋酸铜(Cu(AC)2)为铜源,氯化铟(InCl3)为铟源,正十二硫醇(DDT)为硫源,1-十八稀(ODE)为溶剂在240℃条件下反应3h,合成了金字塔形的CuInS2纳米晶。用X射线粉末衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),能量分散光谱(EDS... 以无水醋酸铜(Cu(AC)2)为铜源,氯化铟(InCl3)为铟源,正十二硫醇(DDT)为硫源,1-十八稀(ODE)为溶剂在240℃条件下反应3h,合成了金字塔形的CuInS2纳米晶。用X射线粉末衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),能量分散光谱(EDS),Z-Scan技术对粉体的结构、形貌、相组成、三阶非线性光学特性进行表征。结果表明:通过一锅法可以合成单分散颗粒尺寸为5-7nm的金字塔形CuInS2纳米晶;分散在正己烷中的CuInS2纳米晶的三阶光学非线性折射率γ,三阶光学非线性吸收系数β以及三阶光学非线性极化率χ(3)分别为3.444×10-17m2/W,4.526×10-7m/W和1.390×10-8esu。 展开更多
关键词 一锅法 cuins2纳米晶 太阳电池材料 三阶光学非线性
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CuInS_2微球的溶剂热法制备、表征与光电化学性质 被引量:3
15
作者 梁春杰 庞起 王荣芳 《玉林师范学院学报》 2009年第5期56-59,共4页
以氯化亚铜、氧化铟、盐酸、硫脲和乙二醇为原料采用溶剂热法制备纳米片和纳米颗粒自组装CuInS2微米球,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对产物进行表征.XRD结果表明所制备的产物均为黄铜矿结构CuInS2,且结晶度良好.SEM结果显示得到... 以氯化亚铜、氧化铟、盐酸、硫脲和乙二醇为原料采用溶剂热法制备纳米片和纳米颗粒自组装CuInS2微米球,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对产物进行表征.XRD结果表明所制备的产物均为黄铜矿结构CuInS2,且结晶度良好.SEM结果显示得到两种外形不同的直径约为2~5.5μm的球体结构,一种是表面很光滑的微球体,另一种是由纳米片自组装的微球体.光伏性能测试结果显示,在入射光强Is为2.733w·cm-2CuInS2微球的短路电流Isc=19.907mA,开路电压为185mV,填充因子为0.273,光电转化效率为0.11%. 展开更多
关键词 cuins2微球 溶剂热法 光电化学性能
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CuInS_2量子点的制备及其敏化太阳能电池研究进展
16
作者 王远强 李耀刚 +3 位作者 王宏志 张青红 包一鸣 姬宇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期22-25,共4页
综述了近年来国内外CuInS2量子点的合成方法以及CuInS2敏化太阳能电池的研究进展。采用绿色环保的溶剂油相合成CuInS2量子点是目前常用的制备方法,合成的量子点尺寸可调、尺度均匀。利用量子点溶液"非原位"和前驱体溶液"... 综述了近年来国内外CuInS2量子点的合成方法以及CuInS2敏化太阳能电池的研究进展。采用绿色环保的溶剂油相合成CuInS2量子点是目前常用的制备方法,合成的量子点尺寸可调、尺度均匀。利用量子点溶液"非原位"和前驱体溶液"原位"法非真空条件制备CuInS2敏化光阳极,通过改善量子点与氧化物半导体界面的特性实现电池性能的改善。最后,结合现有问题提出了CuInS2敏化太阳能电池今后的研究方向。 展开更多
关键词 cuins2 量子点 敏化 太阳能电池
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氮气流量对CuInS2薄膜微结构的影响
17
作者 阎有花 刘迎春 +4 位作者 方玲 赵海花 李德仁 卢志超 周少雄 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期412-414,共3页
采用硫化法制备出具有多晶结构的光吸收层CuInS2薄膜,研究了硫源处N2流量对CuInS2薄膜微结构的影响。利用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的结构。结果表明:N2流量增大到600ml/min制得具有黄铜矿结构... 采用硫化法制备出具有多晶结构的光吸收层CuInS2薄膜,研究了硫源处N2流量对CuInS2薄膜微结构的影响。利用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的结构。结果表明:N2流量增大到600ml/min制得具有黄铜矿结构且沿(112)晶向择优生长的CuInS2薄膜,晶粒尺寸为230nm。 展开更多
关键词 Cu-In薄膜 cuins2薄膜 N2流量
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黄铜矿结构CuInS_2陶瓷和薄膜的制备及性能研究
18
作者 尚勋忠 方金钢 +3 位作者 王志强 黎明锴 周桃生 何云斌 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 2013年第1期89-92,共4页
采用固相烧结法,在真空管式炉中于960℃下保温2h,制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷,所制备的陶瓷呈现p型导电且导电性能良好.此外,以自制的CuInS2陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法在c轴取向的蓝宝石单晶衬底上制备得到高质... 采用固相烧结法,在真空管式炉中于960℃下保温2h,制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷,所制备的陶瓷呈现p型导电且导电性能良好.此外,以自制的CuInS2陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法在c轴取向的蓝宝石单晶衬底上制备得到高质量的外延CuInS2薄膜.XRD分析表明薄膜具有良好的沿(112)方向外延取向性,透射光谱测试分析得到薄膜光学带隙为1.4eV. 展开更多
关键词 cuins2 陶瓷 薄膜 脉冲激光沉积
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超声喷雾热解法一步合成CuInS_2薄膜及其性能研究
19
作者 许积文 张啸 +3 位作者 王华 杨玲 任明放 袁昌来 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期1182-1185,共4页
采用超声喷雾热解法在玻璃基底上一步合成富Cu的CuInS2薄膜。研究基底生长温度对CuInS2薄膜相结构、表面形貌、导电性、透光率及禁带宽度的影响。XRD分析表明薄膜的主相为CuInS2,同时存在Cu2S和Au-Cu第二相,薄膜具有沿(112)择优取向生... 采用超声喷雾热解法在玻璃基底上一步合成富Cu的CuInS2薄膜。研究基底生长温度对CuInS2薄膜相结构、表面形貌、导电性、透光率及禁带宽度的影响。XRD分析表明薄膜的主相为CuInS2,同时存在Cu2S和Au-Cu第二相,薄膜具有沿(112)择优取向生长特性。拉曼分析证明黄铜矿存在CuInS2相、Cu-Au相及Cu2S相。SEM表明薄膜的表面平整、均匀,有较高的致密性。随着生长温度的不断升高,Cu2S衍射强度增强,相含量增加;薄膜结晶性逐渐改善,导电性提高。可见光光谱分析表明薄膜对可见光具有较强的吸收性,禁带宽度为1.43eV。 展开更多
关键词 超声喷雾热解法 cuins2薄膜 基底温度 禁带宽度
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CuInS_2量子点敏化太阳能电池材料的研究进展
20
作者 舒婷 周亮 +1 位作者 杨燕 陈志江 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第15期25-29,45,共6页
CuInS_2量子点因低毒、良好的光电性能和热电稳定性而成为量子点敏化太阳能电池(QDSSC)极具前景的量子点敏化剂。首先简单介绍了CuInS_2量子点材料的光电性质和QDSSC中CuInS_2量子点的合成,然后重点总结了CuInS_2量子点敏化电极的制备... CuInS_2量子点因低毒、良好的光电性能和热电稳定性而成为量子点敏化太阳能电池(QDSSC)极具前景的量子点敏化剂。首先简单介绍了CuInS_2量子点材料的光电性质和QDSSC中CuInS_2量子点的合成,然后重点总结了CuInS_2量子点敏化电极的制备及各电池材料对QDSSC性能的影响,最后指出了该电池目前存在的问题以及对未来的展望。 展开更多
关键词 cuins2量子点 电池材料 敏化太阳能电池
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