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一步法电沉积CuInSe_2半导体膜
被引量:
3
1
作者
苏永庆
马子鹤
刘频
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第7期8-9,共2页
在以InCl3、CuCl、SeO2为主盐,酒石酸为络合剂,聚乙二醇和硫脲为添加剂的电镀液中,在Mo片或Ti片上进行阴极电沉积,可获得CuInSe2半导体膜,它与CdS组成的n-CdS/p-CuInSe2光电池光电效率...
在以InCl3、CuCl、SeO2为主盐,酒石酸为络合剂,聚乙二醇和硫脲为添加剂的电镀液中,在Mo片或Ti片上进行阴极电沉积,可获得CuInSe2半导体膜,它与CdS组成的n-CdS/p-CuInSe2光电池光电效率可达7%~8%,部分达11%。
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关键词
电沉积
cuinse膜
一步法
半导体
膜
镀
膜
下载PDF
职称材料
题名
一步法电沉积CuInSe_2半导体膜
被引量:
3
1
作者
苏永庆
马子鹤
刘频
机构
云南师范大学化学系
出处
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第7期8-9,共2页
基金
云南省自然科学基金
文摘
在以InCl3、CuCl、SeO2为主盐,酒石酸为络合剂,聚乙二醇和硫脲为添加剂的电镀液中,在Mo片或Ti片上进行阴极电沉积,可获得CuInSe2半导体膜,它与CdS组成的n-CdS/p-CuInSe2光电池光电效率可达7%~8%,部分达11%。
关键词
电沉积
cuinse膜
一步法
半导体
膜
镀
膜
分类号
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一步法电沉积CuInSe_2半导体膜
苏永庆
马子鹤
刘频
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
1998
3
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