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一步法电沉积CuInSe_2半导体膜 被引量:3
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作者 苏永庆 马子鹤 刘频 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 1998年第7期8-9,共2页
在以InCl3、CuCl、SeO2为主盐,酒石酸为络合剂,聚乙二醇和硫脲为添加剂的电镀液中,在Mo片或Ti片上进行阴极电沉积,可获得CuInSe2半导体膜,它与CdS组成的n-CdS/p-CuInSe2光电池光电效率... 在以InCl3、CuCl、SeO2为主盐,酒石酸为络合剂,聚乙二醇和硫脲为添加剂的电镀液中,在Mo片或Ti片上进行阴极电沉积,可获得CuInSe2半导体膜,它与CdS组成的n-CdS/p-CuInSe2光电池光电效率可达7%~8%,部分达11%。 展开更多
关键词 电沉积 cuinse膜 一步法 半导体
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