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Microstructural Probing of (1-x) GeS_(2-x)Ga_2S_3 System Glasses By Raman Scattering 被引量:4
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作者 陶海征 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2005年第3期8-10,共3页
Roman scattering measurement of ( 1 - x ) GeS2-x Ga2S3 system glasses was conducted in order to understand the microstructural change caused by the addition of Ga2S3 . According to the change of Raman spectra with t... Roman scattering measurement of ( 1 - x ) GeS2-x Ga2S3 system glasses was conducted in order to understand the microstructural change caused by the addition of Ga2S3 . According to the change of Raman spectra with the addition of Ga2S3, two main structural transformations were deduced : the gradual enhancement of ethane- like structural units S3 Ge- GeS3 ( 250 cm ^- 1) and S3 Ga- GaS3 (270 cm ^- 1 ) and the appearance of charge imbalanced units [ Ga2 S2 ( S1/2 )4 ]^2- and [Ga( S1/2 )4 ]^- . And this change of structural aspect seems to give as a clue to understanding the cause of the increased rare-earth solubility. 展开更多
关键词 1 - x GeS2-x ga2S3 system glasses Raman microstructure
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拟南芥G蛋白突变体gpa1-1、gpa1-2形态及生理特性分析
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作者 史冬燕 陈善娜 +3 位作者 邓国宾 夏小环 徐玲玲 陈小兰 《西南农业学报》 CSCD 2005年第3期260-263,共4页
对拟南芥野生型Ws及其G蛋白α亚基突变体gpa1 1和gpa1 2的形态特征进行了比较,并研究了低温处理对其抗氧化酶系活力和丙二醛含量的差异。结果表明,与野生型相比,两突变体形态上发生了较大的变化,并表现出对低温反应敏感性的降低。低温12... 对拟南芥野生型Ws及其G蛋白α亚基突变体gpa1 1和gpa1 2的形态特征进行了比较,并研究了低温处理对其抗氧化酶系活力和丙二醛含量的差异。结果表明,与野生型相比,两突变体形态上发生了较大的变化,并表现出对低温反应敏感性的降低。低温12h时,野生型的SOD酶和POD酶活迅速发生变化,丙二醛含量迅速升高,而两突变体变化较平缓。 展开更多
关键词 ga Ws gpa1-1 gpa1-2 抗氧化酶系 丙二醛
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0.2Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.8Pb(Zr_(0.5),Ti_(0.5))O_3(1-x)(Ni_(51.5)Mn_(25)Ga_(23.5))x固溶体系磁电性能研究
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作者 仲麒 张铭 +5 位作者 邓浩亮 郑木鹏 胡州 侯育冬 朱满康 严辉 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S1期201-203,共3页
采用传统的固相烧结法合成了0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3(1-x)(Ni51.5Mn25Ga23.5)x复合体系陶瓷。XRD结果表明,随着Ni51.5Mn25Ga23.5(NMG)掺入,Ni51.5Mn25Ga23.5先溶于0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3中,后NMG... 采用传统的固相烧结法合成了0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3(1-x)(Ni51.5Mn25Ga23.5)x复合体系陶瓷。XRD结果表明,随着Ni51.5Mn25Ga23.5(NMG)掺入,Ni51.5Mn25Ga23.5先溶于0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3中,后NMG量超过5%不溶于复合体系中,使得0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3的峰位向右偏移;铁电性能测试结果表明,0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3(1-x)(Ni51.5Mn25Ga23.5)x复合体系陶瓷随着Ni51.5Mn25Ga23.5的掺入量的增加矫顽场E先降低后增加,剩余极化强度Pr逐渐降低,这与XRD的测试结果相一致;磁性测试结果表明,0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3(1-x)(Ni51.5Mn25Ga23.5)x随着Ni51.5Mn25Ga23.5掺入量的增加,以独立相析出在复合体系中,剩余磁化强度Mr逐渐增大。 展开更多
关键词 0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5 Ti0.5)O3 Ni51.5Mn25ga23.5 固相烧结 复合材料
原文传递
太阳电池新材料新方法 被引量:6
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作者 杨洪兴 郑广富 +1 位作者 文卓豪 安大伟 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期301-307,共7页
该文叙述了发展低成本、高效率太阳电池光伏有源材料CuIn1 xGaxSe2 (CIGS)和新式薄膜电淀积技术的优点。详细报告了该研究项目采用的新式CIGS薄膜电淀积的整个实验制作过程 ,给出了在香港政府创新科技基金资助下的第一阶段所取得的成果... 该文叙述了发展低成本、高效率太阳电池光伏有源材料CuIn1 xGaxSe2 (CIGS)和新式薄膜电淀积技术的优点。详细报告了该研究项目采用的新式CIGS薄膜电淀积的整个实验制作过程 ,给出了在香港政府创新科技基金资助下的第一阶段所取得的成果。实验结果已证明 :采用这种简单而新颖的电淀积方法能制得光伏用的多晶半导体CIGS薄膜材料。通过测试确定了这种材料具有四方晶体结构、特征峰为 (112 ) ,(2 0 4,2 2 0 )的多晶CIGS材料。已测得连续分布的薄膜层厚约 1 6 μm ,晶粒的平均大小约 2 μm长 ,具有太阳电池所需的材料质量。实验还证明 :此法可重覆生产出厚度和质量相近的CIGS薄膜。该文也做了有关技术的讨论和分析。这种新式的材料和薄膜技术对生产商品化低成本、高效率薄膜太阳电池无疑是非常有希望的。 展开更多
关键词 CuIn1-xgaxse2(CIGS) 光伏材料 电淀积 薄膜太阳电池
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叠氮二乙基铝和镓多聚体结构和性质的密度泛函理论研究(英文)
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作者 夏其英 马登学 杨吉民 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期260-264,共5页
采用DFT-B3LYP/SDD方法系统研究了(Et2MN3)n(n=1 -3,M=Al, Ga)体系。二聚体(Et2MN3)2和三聚体(Et2MN3)3(M=Al, Ga)分别拥有四元环M2N2和六元环M3N3结构。与单体相比,二聚体(Et2MN3)2和三聚体(Et2MN3)3(M=Al, Ga)的键长变化次序均为Nα—... 采用DFT-B3LYP/SDD方法系统研究了(Et2MN3)n(n=1 -3,M=Al, Ga)体系。二聚体(Et2MN3)2和三聚体(Et2MN3)3(M=Al, Ga)分别拥有四元环M2N2和六元环M3N3结构。与单体相比,二聚体(Et2MN3)2和三聚体(Et2MN3)3(M=Al, Ga)的键长变化次序均为Nα—M>Nα—Nβ>Nβ—Nγ≈M—C。二聚体(Et2AlN3)2的结合能比(Et2GaN3)2低35.44 kJ.mol-1,而三聚体(Et2AlN3)3的结合能比(Et2GaN3)3低45.61 kJ.mol-1。热力学性质表明叠氮二乙基铝和镓体系在298.2 K温度下均以二聚体为主。在低于500 K的温度下,二聚化和三聚化反应在热力学上是有利的。 展开更多
关键词 物理化学 (Et2MN3)n(n=1-3 M=Al ga) 密度泛函理论(DFT) 结合能 热力学性质
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硒化温度对CIGS/Mo界面微观结构和化学成分的影响
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作者 袁琦 茶丽梅 +3 位作者 明文全 杨修波 李石勇 韩俊峰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1787-1790,1819,共5页
采用磁控溅射和硒化热处理的方法在钠钙玻璃上沉积了一系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微术(HR-TEM)、高角环形暗场相(HAADF)和X射线能量散射光谱(EDS)元素面扫描分析等表征手段,研究了铜铟镓硒/钼(CIGS/... 采用磁控溅射和硒化热处理的方法在钠钙玻璃上沉积了一系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微术(HR-TEM)、高角环形暗场相(HAADF)和X射线能量散射光谱(EDS)元素面扫描分析等表征手段,研究了铜铟镓硒/钼(CIGS/Mo)界面特性随硒化温度的变化规律。结果表明,400℃硒化的薄膜中CIGS与Mo层之间界面清晰;当硒化温度为500℃时,CIGS/Mo界面上出现MoSe_2薄层和富Na的二次相纳米颗粒;当硒化温度升至600℃时,MoSe_2层增厚,同时富Na二次相纳米颗粒连接形成不平整的条带,CIGS/Mo界面演变为CIGS/富Na的二次相/MoSe_2/Mo多层结构。此外,MoSe_2的取向对富Na二次相的形成有一定的影响。 展开更多
关键词 cuinxga1-xse2 薄膜 界面 微观结构 成分
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