AgTCNQ衍生物旋涂膜绿光可擦重写光存储性质研究

报道了新型电子转移复合物AgTCNQ脂类衍生物 :银 (2 ,5 二丙酸甲酯 7,7,8,8 四氰基对苯醌二甲烷 )的旋涂薄膜的光谱特征、薄膜的静态绿光可擦重写光存储性能 ,并研究了薄膜的可擦重写机理。结果表明该薄膜在 388nm和 6 75nm处有两个源于复合物中阴离子自由基TCNQ(C2 H4COOCH3 ) -2 中的电子跃迁的特征吸收峰 ;AgTCNQ酯类衍生物旋涂膜具有良好的绿光光存储性能 ,该薄膜在写入功率为 9mW ,写入脉冲为 80ns,擦除功率为 4mW ,擦除脉冲为 5 0 0ns时反射率衬比度大于 15 % ,循环次数可达 10 0次以上 ,并且没有出现任何疲劳现象。机理研究表明 ,AgTCNQ酯类衍生物与AgTCNQ有着相同的可逆光致变色机理 ,即在激光作用下因复合物中可逆电子转移引起薄膜光学性质的可逆变化 ,从而实现可擦重写光信息存储。

新型电子转移复合物Cu-TCNQ(C_2H_4COOCH_3)_2的制备及其薄膜的绿光可擦重写光存储性能的研究

报道了高溶解性能的电子转移复合物铜 (2,5 二丙酸甲酯 7,7,8,8 四氰基对苯醌二甲烷);并对其紫外可见光光谱进行了研究。用旋涂工艺制备了Cu TCNQ(C2H4COOCH3)2薄膜,并对该薄膜的可擦重写光存储性能及其机理进行了研究。短波长(514.5nm)静态可擦重写光存储性能测试结果表明:在写入功率为9mW,写入脉冲为80ns,擦除功率为4mW,擦除脉冲为500ns时反射率对比度>15%(无反射膜),循环次数可达110次以上,并且没有出现任何疲劳现象。