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不同维度Ag_(2)Se构筑柔性热电薄膜的性能优化与器件集成研究
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作者 张哲 孙婷婷 +1 位作者 王连军 江莞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期1221-1227,共7页
Ag_(2)Se热电薄膜及器件因其窄带隙半导体特性在室温下显示出良好的热电性能,成为近年来可穿戴热电能源转换领域的研究热点。常见的Ag_(2)Se薄膜多由纳米颗粒堆积构筑而成,纳米材料维度对堆积网络的热电传输特性具有重要影响。本研究采... Ag_(2)Se热电薄膜及器件因其窄带隙半导体特性在室温下显示出良好的热电性能,成为近年来可穿戴热电能源转换领域的研究热点。常见的Ag_(2)Se薄膜多由纳米颗粒堆积构筑而成,纳米材料维度对堆积网络的热电传输特性具有重要影响。本研究采用溶剂热法和模板法分别制备了不同维度的Ag_(2)Se纳米材料,通过喷涂工艺结合高温热处理,在聚酰亚胺基底上构筑了柔性Ag_(2)Se热电薄膜,系统研究了Ag_(2)Se纳米材料维度对薄膜微观结构和热电性能的影响。与一维纳米线结构相比,零维Ag_(2)Se纳米颗粒构筑的热电薄膜具有更优的导电网络和热电性能,薄膜的室温功率因子可达199.6μW·m^(-1)·K^(-2),而在375 K时功率因子为257.9μW·m^(-1)·K^(-2),表现出良好的热电性能。基于性能优异的Ag_(2)Se薄膜,进一步设计集成了具有四条热电臂的柔性热电器件。该器件具有良好的机械柔性和输出性能,以20 mm为弯曲半径,在弯曲循环1000次后,内阻仅增加了8.2%;在30 K的温差下,器件开路电压可达9.1 mV,最大输出功率达43.7 nW。本研究为制备柔性Ag_(2)Se热电薄膜材料与器件提供了新的思路和方向。 展开更多
关键词 Ag_(2)se热电材料 材料维度 柔性热电薄膜 热电器件
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Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜的溶液法制备及其光电性能研究
2
作者 陈建彪 常乐 +2 位作者 赵雲 李燕 王成伟 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第2期50-54,共5页
采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N_2保护下硒化获得到Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研... 采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N_2保护下硒化获得到Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研究结果表明,适当的硒化退火温度,如480℃,可得到表面平整、结晶度高、晶粒致密和双层结构(上层大、下层小晶粒)的Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,其带隙为1.28 eV,载流子浓度可低至6.780×10^(17) cm^(-3),迁移率高达18.19 cm^2·V^(-1)·S^(-1),可用于薄膜太阳能电池的光吸收层. 展开更多
关键词 cu2Sn(S se)3薄膜 溶液法 硒化温度
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脉冲激光沉积中高能量密度激光密度对Cu_2Se热电薄膜成分与性能的影响 被引量:5
3
作者 吕艳红 陈吉堃 +3 位作者 DoBELI Max 李宇龙 史迅 陈立东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1115-1120,共6页
本工作提出了脉冲激光沉积法生长Cu2Se热电材料薄膜中维持较高的激光切削能量密度对于实现薄膜与靶材成分等比例传输的重要性。使用较高的脉冲激光能量生长的Cu2Se薄膜具有纯的?-相,并具有与靶材相近的化学组分。这主要是因为较高的激... 本工作提出了脉冲激光沉积法生长Cu2Se热电材料薄膜中维持较高的激光切削能量密度对于实现薄膜与靶材成分等比例传输的重要性。使用较高的脉冲激光能量生长的Cu2Se薄膜具有纯的?-相,并具有与靶材相近的化学组分。这主要是因为较高的激光能量可以更加有效地引起等离子体对激光-固体直接作用的屏蔽,这可以使得靶材中的铜和硒元素的激光切削量更加接近靶材的化学计量比。由于硒具有较高的蒸汽压,降低激光能量会加强激光与固体的直接作用,从而更有效地切削硒元素,导致所沉积薄膜中产生铜缺陷。进一步讨论了所使用的氩气背景气体压力对于所生长的Cu2Se薄膜热电性能的影响。当使用高激光能量低背景气体压力时,所生长的薄膜具有最佳的热电性能。 展开更多
关键词 cu_(2)se薄膜 脉冲激光沉积 热电 激光能量
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Cu_(2)Se_(1-x)Te_(x)水热合成与烧结及热电性能
4
作者 朱佳棋 杨灏 霍地 《陶瓷》 CAS 2024年第6期36-41,共6页
笔者采用环境友好的没食子酸为还原剂,在温和水热反应条件下合成出Cu_(2)Se_(1-x)Te_(x)(x=0、0.1、0.2、0.3、0.5)纳米粉体,利用放电等离子烧结制备出Cu_(2)Se_(1-x)Te_(x)陶瓷后,研究了Cu_(2)Se_(1-x)Te_(x)陶瓷的热电性能。结果表明... 笔者采用环境友好的没食子酸为还原剂,在温和水热反应条件下合成出Cu_(2)Se_(1-x)Te_(x)(x=0、0.1、0.2、0.3、0.5)纳米粉体,利用放电等离子烧结制备出Cu_(2)Se_(1-x)Te_(x)陶瓷后,研究了Cu_(2)Se_(1-x)Te_(x)陶瓷的热电性能。结果表明在没食子酸还原作用下,水热反应可以一步合成制备Cu_(2)Se_(1-x)Te_(x)纳米粉体。在Te掺入量x≤0.1时,Cu_(2)Se_(1-x)Te_(x)粉体保持单相立方结构;在x>0.1时,粉体中产生第二相Cu2Te;经过放电等离子烧结后,Cu_(2)Se_(1-x)Te_(x)陶瓷均呈单一的四方晶体结构。不同Te掺入量的Cu_(2)Se_(1-x)Te_(x)陶瓷中,Cu_(2)Se_(0.9)Te_(0.1)陶瓷的热电性能最佳,在400℃时其功率因子达到11.8μW/cmK^(2)。 展开更多
关键词 cu_(2)se 没食子酸 水热合成 放电等离子烧结 热电陶瓷
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Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池研究进展 被引量:5
5
作者 张雪 韩洋 +4 位作者 柴双志 胡南滔 杨志 耿会娟 魏浩 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1330-1346,共17页
CdTe和Cu(In,Ga)(S,Se)_2(CIGSSe)光吸收材料在新型化合物半导体太阳电池研究中占据着主导地位。尽管CdTe和CIGS太阳电池拥有较高的转换效率和先进的技术,但是仍存在着一些问题,如所用材料中的元素地壳丰度低或有毒,这阻碍了其未来的大... CdTe和Cu(In,Ga)(S,Se)_2(CIGSSe)光吸收材料在新型化合物半导体太阳电池研究中占据着主导地位。尽管CdTe和CIGS太阳电池拥有较高的转换效率和先进的技术,但是仍存在着一些问题,如所用材料中的元素地壳丰度低或有毒,这阻碍了其未来的大规模应用。近年来,由于Cu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe)薄膜太阳电池使用的元素地壳含量丰富且环境友好,逐渐成为了研究的热点。CZTSSe光吸收材料被认为能够取代CdTe和CIGS成为下一代光伏技术的潜力材料。基于此,本文将简单介绍CZTSSe材料的结构、性质和制备方法。重点阐述CZTSSe材料的组装技术和沉积方法的发展和优势,如基于真空的沉积方法和基于溶液的沉积方法,简述其优缺点。此外,本文对CZTSSe组装和CZTSSe纳米晶制备方法的最新研究进展也进行了总结。最后,对CZTSSe光伏技术的一些限制因素进行了分析,并对CZTSSe薄膜电池未来的研究前景进行了展望。 展开更多
关键词 cu2ZnSn(S se)4 薄膜 太阳电池 制备方法 研究进展
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掺Ag的β-Cu_(2)Se薄膜的溅射沉积及热电性能 被引量:1
6
作者 李贵鹏 宋贵宏 +2 位作者 王楠 李秀宇 胡方 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期218-226,共9页
目的研究Ag掺杂对Cu_(2)Se薄膜物相组成以及热电性能的影响。方法使用粉末烧结的Cu_(2)Se合金靶和高真空磁控溅射设备制备掺Ag的Cu_(2)Se热电薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及能谱仪(EDS)研究沉积薄膜的物相组成、... 目的研究Ag掺杂对Cu_(2)Se薄膜物相组成以及热电性能的影响。方法使用粉末烧结的Cu_(2)Se合金靶和高真空磁控溅射设备制备掺Ag的Cu_(2)Se热电薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及能谱仪(EDS)研究沉积薄膜的物相组成、表面和截面形貌、元素的含量和分布。通过Seebeck系数/电阻分析系统LSR-3测量薄膜的电阻率及Seebeck系数,从而研究不同掺Ag量的Cu_(2)Se薄膜的热电性能。结果使用磁控溅射技术,利用α-Cu_(2)Se合金靶,可制备出以β-Cu_(2)Se相为主,含极少量α-Cu_(2)Se相的Cu-Se薄膜。薄膜中掺杂的Ag不进入β-Cu_(2)Se相的点阵中,而是在薄膜中形成纳米尺寸的CuAgSe第二相。沉积薄膜的β-Cu_(2)Se相点阵中富含Cu,在Ag含量由0增加到2.97%(原子数分数)的变化过程中,其β-Cu_(2)Se相点阵中[Cu]/[Se]比率大于理想比率2.0,由3.59变化到4.96。β-Cu_(2)Se相点阵中富含Cu,使得沉积的β-Cu_(2)Se薄膜的电阻率低于文献中块体材料。随Ag含量的增加,β-Cu_(2)Se薄膜的电阻率先降低、后升高;对于Seebeck系数,电阻率大的薄膜,其Seebeck系数也大。Ag原子数分数为1.37%的样品,因掺杂后Seebeck系数显著提高,其功率因子最大。结论使用磁控溅射技术制备的富Cu的β-Cu_(2)Se薄膜,具有低电阻率的优点。掺杂适量的Ag,能够显著提高薄膜的Seebeck系数,从而获得较高的功率因子。 展开更多
关键词 热电材料 磁控溅射 β-cu_(2)se薄膜 AG掺杂 seEBECK系数 电阻率
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Delving into the dissimilarities in electrochemical performance and underlying mechanisms for sodium and potassium ion storage in N-doped carbon-encapsulated metallic Cu_(2)Se nanocubes
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作者 Xinyu Wang Yanan Xu +4 位作者 Xiaofeng Liu Lei Tan Huaiqiang Gu Xin Du Dan Li 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第8期336-347,I0008,共13页
The large volumetric variations experienced by metal selenides within conversion reaction result in inferior rate capability and cycling stability,ultimately hindering the achievement of superior electrochemical perfo... The large volumetric variations experienced by metal selenides within conversion reaction result in inferior rate capability and cycling stability,ultimately hindering the achievement of superior electrochemical performance.Herein,metallic Cu_(2)Se encapsulated with N-doped carbon(Cu_(2)Se@NC)was prepared using Cu_(2)O nanocubes as templates through a combination of dopamine polymerization and hightemperature selenization.The unique nanocubic structure and uniform N-doped carbon coating could shorten the ion transport distance,accelerate electron/charge diffusion,and suppress volume variation,ultimately ensuring Cu_(2)Se@NC with excellent electrochemical performance in sodium ion batteries(SIBs)and potassium ion batteries(PIBs).The composite exhibited excellent rate performance(187.7 mA h g^(-1)at 50 A g^(-1)in SIBs and 179.4 mA h g^(-1)at 5 A g^(-1)in PIBs)and cyclic stability(246,8 mA h g^(-1)at 10 A g^(-1)in SIBs over 2500 cycles).The reaction mechanism of intercalation combined with conversion in both SIBs and PIBs was disclosed by in situ X-ray diffraction(XRD)and ex situ transmission electron microscope(TEM).In particular,the final products in PIBs of K_(2)Se and K_(2)Se_(3)species were determined after discharging,which is different from that in SIBs with the final species of Na_(2)Se.The density functional theory calculation showed that carbon induces strong coupling and charge interactions with Cu_(2)Se,leading to the introduction of built-in electric field on heterojunction to improve electron mobility.Significantly,the theoretical calculations discovered that the underlying cause for the relatively superior rate capability in SIBs to that in PIBs is the agile Na~+diffusion with low energy barrier and moderate adsorption energy.These findings offer theoretical support for in-depth understanding of the performance differences of Cu-based materials in different ion storage systems. 展开更多
关键词 cu_(2)se nanocubes DFT calculations Ion storage mechanism Potassium ion batteries Sodium ion batteries
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电化学沉积Cu_(2)O薄膜的制备及性能研究
8
作者 韩涧 陈泺屹 +2 位作者 马彬彬 陈椋煜 雷彩霞 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期5114-5118,共5页
利用电化学沉积法,以醋酸铜和醋酸钠为电解质溶液,在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃表面制备了Cu_(2)O薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分别对Cu_(2)O薄膜的物相、微观形貌和光学性质进行了表征... 利用电化学沉积法,以醋酸铜和醋酸钠为电解质溶液,在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃表面制备了Cu_(2)O薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分别对Cu_(2)O薄膜的物相、微观形貌和光学性质进行了表征。并在光照的条件下,测试了Cu_(2)O的光电流谱,评价了Cu_(2)O薄膜的光电化学性能和光催化降解亚甲基蓝的活性。 展开更多
关键词 cu_(2)O薄膜 电化学沉积 微观结构 光电化学性能 光催化活性
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Cu_2ZnSn(S,Se)_4纳米晶薄膜太阳能电池的研究进展 被引量:3
9
作者 舒博 凌武定 韩奇峰 《上海师范大学学报(自然科学版)》 2015年第4期447-460,共14页
Cu2Zn Sn(S,Se)4(CZTSSe)材料因其光吸收系数高,具有理想的带隙,且所含元素丰度高、无毒等特性,非常适合作为太阳能电池的吸收层材料,有望成为低成本和高性能光伏发电的材料之一,引起广泛的关注.介绍了CZTSSe材料的基本物理性质及其纳... Cu2Zn Sn(S,Se)4(CZTSSe)材料因其光吸收系数高,具有理想的带隙,且所含元素丰度高、无毒等特性,非常适合作为太阳能电池的吸收层材料,有望成为低成本和高性能光伏发电的材料之一,引起广泛的关注.介绍了CZTSSe材料的基本物理性质及其纳米晶的生长机制,重点介绍了热注入方法合成CZTSSe纳米晶的过程,概述了目前CZTSSe纳米晶薄膜太阳能电池的现状,最后探讨了CZTSSe薄膜太阳电池中存在的问题及以后的发展方向. 展开更多
关键词 cu2ZnSn(S se)4 热注入 纳米晶 薄膜太阳电池
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掺杂Bi的β-Cu_(2)Se薄膜的微观结构与热电性能
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作者 周政旭 陈雨 +3 位作者 宋贵宏 胡方 吴玉胜 尤俊华 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期278-286,312,共10页
目的 探究在β-Cu_(2)Se薄膜中掺杂元素Bi对其组织结构及其热电性能的影响,探求Bi元素对载流子传输过程和热电性能的影响规律,为将来该类热电薄膜的研究和应用提供宝贵的经验。方法 使用粉末烧结制得Cu-Bi-Se合金靶材,使用磁控溅射的方... 目的 探究在β-Cu_(2)Se薄膜中掺杂元素Bi对其组织结构及其热电性能的影响,探求Bi元素对载流子传输过程和热电性能的影响规律,为将来该类热电薄膜的研究和应用提供宝贵的经验。方法 使用粉末烧结制得Cu-Bi-Se合金靶材,使用磁控溅射的方法在含有SiO_(2)层的单晶Si衬底上制备了不同Bi含量的β-Cu_(2-x)Bi_(x)Se热电薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪分别研究了沉积薄膜的XRD谱、表面与截面形貌以及元素含量与分布。利用LSR-3电阻率/塞贝克系统测量了沉积薄膜的Seebeck系数与电导率。利用霍尔试验测量了沉积薄膜的室温载流子浓度和迁移率。结果 沉积薄膜主要由单一的β-Cu_(2)Se相构成,在Bi掺杂量最大为1.07%(原子数分数)的薄膜还含有非常少量的α-Cu_(2)Se相;在β-Cu_(2)Se相薄膜中Bi的掺杂没有生成单质相而是替换点阵中的Cu而形成替位式固溶体。在沉积的β-Cu_(2-x)Bi_(x)Se薄膜中,([Bi]+[Cu])/[Se]>2.0且具有p型导电特征。随着温度的增加,电导率降低而Seebeck系数增加,彰显沉积薄膜的简并或半简并半导体的导电特性。当温度低于225℃时,沉积薄膜功率因子随Bi掺杂量的增加而增大;当温度高于225℃时,掺杂量为0.29%(原子数分数)的薄膜具有最大的功率因子,进一步增加Bi掺杂量,沉积薄膜的功率因子却逐渐减小。结论 使用磁控溅射的方法可制备β-Cu_(2)Se薄膜,掺杂适量的Bi可显著提高薄膜的功率因子。 展开更多
关键词 热电薄膜 β-cu_(2)se薄膜 Bi掺杂 seEBECK系数 载流子浓度
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Cr应力缓释层对柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)薄膜太阳电池性能的影响
11
作者 陈春阳 唐正霞 +2 位作者 孙孪鸿 王威 赵毅杰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期482-487,共6页
柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池中的应力是阻碍其发展的一大瓶颈。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极之间引入不同厚度的Cr缓释层,研究其对CZTSSe薄膜应力的影响。结果表明,当Cr应力缓释层厚度为80 nm时,薄膜的结晶... 柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池中的应力是阻碍其发展的一大瓶颈。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极之间引入不同厚度的Cr缓释层,研究其对CZTSSe薄膜应力的影响。结果表明,当Cr应力缓释层厚度为80 nm时,薄膜的结晶质量最好,电池具有最佳的光电性能,相比没有Cr应力缓释层存在的情况,薄膜的残余应力从-7.15 GPa降低至-3.61 GPa,电池的光电转换效率(PCE)从2.89%提高至4.65%,增加了60.9%。Cr应力缓释层的引入不会影响CZTSSe薄膜的晶体结构,相反可有效提高薄膜的结晶质量,降低薄膜的残余应力,最终提高电池的光电性能。 展开更多
关键词 柔性cu_(2)ZnSn(S se)_(4)(CZTSse)薄膜太阳电池 Cr应力缓释层 残余应力 光电转换效率(PCE) 结晶质量
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一步法电化学沉积Cu(In1-x, Gax)Se2薄膜的特性 被引量:8
12
作者 敖建平 孙国忠 +6 位作者 闫礼 康峰 杨亮 何青 周志强 李凤岩 孙云 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1073-1079,共7页
在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制... 在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制在约2.5,并提高薄膜中Ga的含量.通过大量实验优化了溶液组成及电沉积条件,得到接近化学计量比贫Cu的CIGS薄膜(当Cu与In+Ga的摩尔比为1时,称为符合化学计量比的CIGS薄膜;当其比值为0.8-1时,称为贫Cu或富In的CIGS薄膜)预置层,薄膜表面光亮、致密、无裂纹.利用循环伏安法初步研究了一步法电沉积CIGS薄膜的反应机理,在沉积过程中,Se4+离子先还原生成单质Se,再诱导Cu2+、Ga3+和In3+发生共沉积.电沉积CIGS薄膜预置层在固态硒源280℃蒸发的硒气氛中进行硒化再结晶,有效改善了薄膜的结晶结构,且成份基本不发生变化,但是表面会产生大量的裂纹. 展开更多
关键词 电沉积 cu(In1-x Gax)se2薄膜 循环伏安法 pH缓冲溶液
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Cu(In,Ga)Se_2薄膜电沉积制备及性能研究 被引量:5
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作者 夏冬林 徐慢 +1 位作者 李建庄 赵修建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1146-1150,共5页
采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度... 采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度对C IGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能。实验结果表明当热处理温度为450℃时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,致密性较好,在室温下禁带宽度为1.43 eV,具有高的吸收系数。 展开更多
关键词 cu(In Ga)se2(CIGS) 薄膜 电沉积 太阳能电池
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柠檬酸钠的浓度对电沉积制备Cu(In,Ga)Se_2薄膜的影响(英文) 被引量:4
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作者 夏冬林 赵修建 李建庄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期704-708,共5页
本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理。电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成。溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位。Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜... 本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理。电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成。溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位。Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜自带能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜分析Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成、晶体结构和表面形貌。结果表明当柠檬酸钠浓度为1.0M时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为单一的黄铜矿结构,晶粒大小均匀。 展开更多
关键词 cu(In Ga)se2 薄膜 电沉积 柠檬酸钠 太阳能电池
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N型Bi_2Te_(2.5)Se_(0.5)热电薄膜的电阻率与膜厚和温度的关系(英文) 被引量:3
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作者 段兴凯 杨君友 +1 位作者 朱文 肖承京 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期867-870,共4页
在玻璃衬底上通过瞬间蒸发法沉积了厚度为50-400nm的N型Bi2Te2.5Se0.5热电薄膜,沉积温度为473K。采用XRD、EDXA和FESEM技术分别对薄膜的相结构、组成和表面形貌进行了分析研究,在300-350K的温度范围内,研究了薄膜的电阻率与膜厚和温度... 在玻璃衬底上通过瞬间蒸发法沉积了厚度为50-400nm的N型Bi2Te2.5Se0.5热电薄膜,沉积温度为473K。采用XRD、EDXA和FESEM技术分别对薄膜的相结构、组成和表面形貌进行了分析研究,在300-350K的温度范围内,研究了薄膜的电阻率与膜厚和温度的相互关系。 展开更多
关键词 电阻率 Bi2Te25se0.5薄膜 瞬间蒸发法
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纳米金属氧化物制备多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜反应过程及其性能研究 被引量:2
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作者 郑春满 韦永滔 +1 位作者 谢凯 韩喻 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期701-706,共6页
以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,... 以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,采用霍尔效应测试仪和吸收光谱分析等对多晶CIGS薄膜的性能进行了表征。研究结果表明,纳米金属氧化物主要含CuO、In2O3、Ga2O3和铜-铟、铜-镓二元合金氧化物等成分,在还原反应中逐渐转变成Cu11In9、Cu9In4等产物,同时薄膜中形成大量孔隙;硒化过程中,硒蒸气沿孔隙通道进入还原产物的晶格,反应生成CIS和CGS,从而形成具有黄铜矿结构的多晶CIGS薄膜;多晶CIGS薄膜表面晶粒排列紧密,属于p型半导体,其载流子浓度为2.3×1015cm-3,迁移率为217 cm2/(V.s),电阻率为36.cm,带隙宽度约为1.15 eV。 展开更多
关键词 氧化物 cu(In Ga)se2薄膜 光学性能 反应过程
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多层膜CIA预制层后硒化法制备Cu(In_(1-x)Al_x)Se_2薄膜的研究 被引量:5
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作者 苏梦 薛钰芝 +1 位作者 周丽梅 武素梅 《真空》 CAS 北大核心 2009年第6期51-54,共4页
本文用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀Cu-In-Al多层膜,后采用真空硒化退火获得Al含量不同的Cu(In1-xAlx)Se2多晶薄膜。通过SEM和XRD微观形貌结构分析发现,薄膜中Al的含量对薄膜的表面形貌和结构有一定影响。Al/(In+Al)比例越大,越容易获得... 本文用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀Cu-In-Al多层膜,后采用真空硒化退火获得Al含量不同的Cu(In1-xAlx)Se2多晶薄膜。通过SEM和XRD微观形貌结构分析发现,薄膜中Al的含量对薄膜的表面形貌和结构有一定影响。Al/(In+Al)比例越大,越容易获得尺寸较小、分布比较均匀的晶粒。同时Al含量对薄膜的方阻有一定的影响,Al含量越高,方阻越大。而且Al含量的多少可以调节薄膜的禁带宽度的大小。 展开更多
关键词 cu(In1-xAlx)se2薄膜 硒化 Al/(In+Al)
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Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜太阳电池吸收层材料研究进展 被引量:1
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作者 田晶 陈金伟 +3 位作者 杨鑫 王刚 汪雪芹 王瑞林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期13-18,共6页
简要介绍了Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的结构特点,阐述目前其吸收层材料CIGS薄膜典型制备方法的特点、研究应用现状及发展趋势;提出了目前CIGS薄膜太阳电池实现大规模商业化应用存在的问题,并对其发展进行展望。
关键词 cu(InxGa1-x)se2(CIGS)薄膜 薄膜太阳电池 制备方法
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脉冲激光沉积法制备的Ge(S_(90)Se_(10))_2硫系薄膜中的光致漂白效应研究(英文)
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作者 周学东 董国平 +3 位作者 肖秀娣 陶海征 赵修建 潘瑞琨 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期18-21,共4页
运用激光脉冲沉积法(PLD)制备了Ge(S90Se10)2薄膜,通过运用紫外汞灯对制备的薄膜进行不同时间的辐照,我们确定了达到饱和状态所需要的辐照时间(90分钟)。当薄膜处于饱和状态时,巨大的光致漂白效应被观察到了(ΔE=0.36ev)。此外,在本文中... 运用激光脉冲沉积法(PLD)制备了Ge(S90Se10)2薄膜,通过运用紫外汞灯对制备的薄膜进行不同时间的辐照,我们确定了达到饱和状态所需要的辐照时间(90分钟)。当薄膜处于饱和状态时,巨大的光致漂白效应被观察到了(ΔE=0.36ev)。此外,在本文中,我们也对光致漂白效应的机理进行了阐述,一种新型的光电子材料被发现了。 展开更多
关键词 激光脉冲沉积法(PLD) 光致漂白 Ge(S90se10)2薄膜 能隙
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少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜电子结构和光学性质理论研究
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作者 李中军 王安健 +4 位作者 赵伟 王健越 陈实 李国祥 仇怀利 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第9期1280-1283,共4页
文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是... 文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是当薄膜厚度减小到2QL和1QL时,由于量子限域效应,体电子态和表面电子态的能隙都明显增大,导致体电子态和表面电子态发生分离,这种分离有利于制备基于1QL和2QL的Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的自旋电子器件。光吸收系数的计算发现,厚度为5QL、4QL、3QL的薄膜在红外区有1个吸收主峰,吸收边远超出了红外区;当厚度减小到2QL和1QL时,吸收边发生明显蓝移,红外区的吸收峰蓝移且强度明显减小,这表明3QL以上的Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜更适合制备红外光探测器件。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 少层Bi 2se 3薄膜 拓扑表面态 量子限域效应 光吸收谱
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