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Bi掺杂对溶胶-凝胶法制备Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜性能影响的研究
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作者 季善银 王威 +4 位作者 彭兆泉 王佳文 柏航 孙孪鸿 胡学敏 《电子器件》 CAS 北大核心 2023年第1期255-260,共6页
Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)薄膜太阳电池因其具有较佳带隙、组成元素丰富、理论转换效率高等优点,而被广泛研究。采用溶胶-凝胶法制备了Bi掺杂的CZTS薄膜,研究了Bi掺杂量对薄膜的微观形貌、物相结构和光电性能的影响。研究结果表明,所制备... Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)薄膜太阳电池因其具有较佳带隙、组成元素丰富、理论转换效率高等优点,而被广泛研究。采用溶胶-凝胶法制备了Bi掺杂的CZTS薄膜,研究了Bi掺杂量对薄膜的微观形貌、物相结构和光电性能的影响。研究结果表明,所制备的薄膜为锌黄锡矿结构的CZTS。Bi元素的掺入对薄膜形貌影响很大,晶粒尺寸先增大后减小,薄膜更致密、更均匀。随着Bi掺杂含量增加,CZTS薄膜的光学带隙呈上升趋势,光电流响应先增大后减小。当Bi掺杂浓度为1%时,CZTS薄膜综合性能最佳。 展开更多
关键词 cu_(2)znsns_(4)薄膜 溶胶-凝胶法 Bi掺杂 光电性能
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溶剂热方法合成Cu_2ZnSnS_4空心球(英文) 被引量:1
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作者 张伟 陶虹秀 +2 位作者 王秋实 张丽娜 王桂强 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第12期2411-2417,共7页
以氯化亚铜,硝酸锌,氯化锡和硫脲作为反应前驱体,聚乙二醇作为模板,利用溶剂热方法合成Cu_2ZnSnS_4中空球。其中,聚乙二醇对于产物的最终形成起到关键作用。文章讨论了Cu_2ZnSnS_4中空球的生长机制,并通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、场... 以氯化亚铜,硝酸锌,氯化锡和硫脲作为反应前驱体,聚乙二醇作为模板,利用溶剂热方法合成Cu_2ZnSnS_4中空球。其中,聚乙二醇对于产物的最终形成起到关键作用。文章讨论了Cu_2ZnSnS_4中空球的生长机制,并通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、场发射电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线能量色散谱(EDX)、X射线光电子谱(XPS)、选区电子衍射谱(SAED)和紫外-可见光分光光度计(UV-Vis)等技术对样品的微结构以及光学性质进行了表征和分析。结果显示Cu_2ZnSnS_4中空球为四方晶体,尺寸为600 nm。其禁带宽度为1.52 eV,适用于制作光伏器件。 展开更多
关键词 cu_2znsns_4 中空球 溶剂热
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室温脉冲激光原位沉积技术制备Cu_(2)(Zn_(1-x)Fe_(x))SnS_(4)/Bi_(2)S_(3)异质结及其光电性能
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作者 贾瑞彬 田静如 +3 位作者 沙震宗 夏丰金 马帅 于立岩 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第3期30-37,共8页
采用具有磁性的Fe取代Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)中Zn组分,制备Cu_(2)(Zn_(1-x)Fe_(x))SnS_(4)(CZFTS)薄膜。将电子传输层Bi_(2)S_(3)与CZFTS耦合,采用室温脉冲激光沉积技术(RT-PLD)制备了CZFTS/Bi_(2)S_(3)异质结构。研究了Fe掺杂对于CZFT... 采用具有磁性的Fe取代Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)中Zn组分,制备Cu_(2)(Zn_(1-x)Fe_(x))SnS_(4)(CZFTS)薄膜。将电子传输层Bi_(2)S_(3)与CZFTS耦合,采用室温脉冲激光沉积技术(RT-PLD)制备了CZFTS/Bi_(2)S_(3)异质结构。研究了Fe掺杂对于CZFTS薄膜形貌、结晶度和吸光度的影响。测试了单层薄膜和异质结构的光电响应特性,实验表明与单层CZFTS薄膜相比,CZFTS/Bi_(2)S_(3)异质结在可见光区域内的光电响应速度至少提高了一个数量级,响应时间缩短至几十ms。 展开更多
关键词 cu_(2)znsns_(4)(czts) cu_(2)(Zn_(1-x)Fe_(x))SnS_(4)(CZFTS) CZFTS/Bi_(2)S_(3)异质结 脉冲激光沉积 光电转换 光电探测
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Cu_(2)ZnSnS_(4)/Bi_(2)FeCrO_(6)半导体异质结的脉冲激光沉积法制备及其光电性能 被引量:2
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作者 王杰 马帅 +3 位作者 夏丰金 董红周 沙震宗 贾瑞彬 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期103-111,共9页
为充分发挥无机铁电氧化物双钙钛矿Bi_(2)FeCrO_(6)(BFCO)的光电特性,选择P型半导体化合物Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)作为空穴传输层与BFCO结合,构建半导体异质结。采用脉冲激光沉积法(PLD)制备得到上述两种多元化合物薄膜,SEM,AFM,EDS及XR... 为充分发挥无机铁电氧化物双钙钛矿Bi_(2)FeCrO_(6)(BFCO)的光电特性,选择P型半导体化合物Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)作为空穴传输层与BFCO结合,构建半导体异质结。采用脉冲激光沉积法(PLD)制备得到上述两种多元化合物薄膜,SEM,AFM,EDS及XRD测试结果可证明所得产物形貌均匀致密、且符合化学计量比;原位逐层沉积技术可以抑制异质结界面缺陷和杂质的产生。着重研究了沉积温度及不同基底对薄膜性能的影响。采用基于可见光吸收谱的测试和Tauc方法分别估算BFCO和CZTS薄膜的禁带宽度,结果分别为2.23 eV和1.49 eV。研究结果表明:该异质结具有良好的整流特性;当电场强度在0.5 kV/cm到2.0 kV/cm之间时,结构漏电机制符合Schottky发射模型。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 铜锌锡硫 铋铁铬氧 异质结 半导体
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锂离子电池负极材料Cu_(2)ZnSnS_(4)的研究现状
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作者 陈新 张杰 郭航 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第6期440-449,共10页
Cu_2ZnSnS_4(CZTS)不仅是传统太阳能吸收器的一种很有前途的替代品,也是一种性能优异的锂离子电池负极材料。以锂离子电池负极材料CZTS为研究对象,对其制备、改性方法、合成和储锂机理以及国内外的研究进展进行了系统性综述,阐述了当前C... Cu_2ZnSnS_4(CZTS)不仅是传统太阳能吸收器的一种很有前途的替代品,也是一种性能优异的锂离子电池负极材料。以锂离子电池负极材料CZTS为研究对象,对其制备、改性方法、合成和储锂机理以及国内外的研究进展进行了系统性综述,阐述了当前CZTS负极材料的发展状况。总结了CZTS研究过程中的化学合成、反应过程中的相变、成核和生长特性的难点问题,论述了对理论化学计量型的CZTS的优化改性工作以及CZTS复杂的储锂机理。针对不足,提出了应深入研究CZTS等多项化合物的合成制备过程和储锂机理的建议,展望了CZTS锂离子电池负极材料未来的发展方向。 展开更多
关键词 cu_(2)znsns_(4)(czts) 锂离子电池 负极材料 改性 储锂机理
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Si衬底Cu_(2)ZnSnS_(4)太阳能电池的数值分析
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作者 刘辉城 许佳雄 林俊辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期340-348,共9页
在Si衬底上制备的Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)太阳能电池具有CZTS与Si衬底的晶格失配低的优点,但目前其转换效率仍较低.本文采用异质结太阳能电池仿真软件Afors-het对Si衬底CZTS太阳能电池进行数值计算.对现有的p-CZTS/n-Si太阳能电池的计算... 在Si衬底上制备的Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)太阳能电池具有CZTS与Si衬底的晶格失配低的优点,但目前其转换效率仍较低.本文采用异质结太阳能电池仿真软件Afors-het对Si衬底CZTS太阳能电池进行数值计算.对现有的p-CZTS/n-Si太阳能电池的计算结果表明,在该电池结构中p-CZTS和n-Si分别起窗口层和吸收层的作用,但p-CZTS具有高光吸收系数,使大部分入射光无法透过p-CZTS层进而被n-Si吸收,限制了电池的转换效率.本文提出以p-Si作为衬底的n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si太阳能电池结构.计算得到的p-CZTS/p-Si结构的暗态电流密度-电压(J–V)特性曲线均为线性曲线,表明p-CZTS与p-Si为欧姆接触以及p-Si作为p-CZTS的背电极的可行性.进一步计算了p-Si的厚度与掺杂浓度、p-CZTS的厚度与掺杂浓度对n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si太阳能电池光伏特性的影响,在不考虑寄生串并联电阻效应和缺陷态的理想情况下,电池的最高转换效率为28.41%.本文计算结果表明,n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si太阳能电池可解决现有p-CZTS/n-Si结构存在的问题,是一种合适的Si衬底CZTS太阳能电池结构. 展开更多
关键词 cu_(2)znsns_(4) SI 背电极 光伏特性
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Na-Bi共掺对Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜性能的影响
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作者 陈文静 黄勇 +3 位作者 王威 刘文峰 乐政 孙孪鸿 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期105-110,116,共7页
Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)薄膜因其元素储量高、较佳的光学带隙、优异的电学性能等优势而得到广泛关注。以硝酸铋为铋源、乙酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法制备Na-Bi掺杂的CZTS薄膜。研究Na-Bi共掺对CZTS薄膜的物相结构、微观形貌、光学性能... Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)薄膜因其元素储量高、较佳的光学带隙、优异的电学性能等优势而得到广泛关注。以硝酸铋为铋源、乙酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法制备Na-Bi掺杂的CZTS薄膜。研究Na-Bi共掺对CZTS薄膜的物相结构、微观形貌、光学性能以及光电性能的影响。结果表明,制备的薄膜为锌黄锡矿结构。Na和Bi元素的掺入对薄膜的微观形貌影响较大。固定Na的原子数分数为1%,随着Bi元素原子数分数的增加,薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,均匀性逐渐提高,光敏性先增大后减小,光学带隙逐渐增大。当Na和Bi原子数分数分别为1%和0.5%时,薄膜的光学带隙为1.42 eV,光敏性最佳为1.17。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 cu_(2)znsns_(4) 薄膜 Na-Bi共掺 光电流 太阳电池
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Structural and electrical characterization of Cu_(2)ZnSnS_(4) ingot material grown by melting method
8
作者 S.Kerour A.Bouloufa +2 位作者 M.Lasladj K.Djessas K.Medjnoun 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2021年第7期78-82,共5页
In this work,a Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)ingot is grown via a melting method,then cooled;the resulting molten stoichiomet-ric mixture is sealed off in a quartz ampoule under vacuum.The CZTS powder chemical composition anal... In this work,a Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)ingot is grown via a melting method,then cooled;the resulting molten stoichiomet-ric mixture is sealed off in a quartz ampoule under vacuum.The CZTS powder chemical composition analyses are determined us-ing energy dispersive spectroscopy,and revealing the slightly Cu-rich and Zn-poor character of the ingot.Powder X-ray diffrac-tion analysis reveals a crystalline structure with a kesterite phase formation,and a preferred orientation of(112)plane.The lat-tice constants of the a-and c-axes,calculated based on the XRD analyses,are a=5.40Åand c=10.84Å.Based on Hall measure-ments at room temperature,we find that the crystal exhibits p-type conductivity,with a high concentration of 1018 cm^(-3),a res-istivity of 1.7Ωcm,and a mobility of 10.69 cm^(2)V-1s-1.Activation energies are estimated based on an Arrhenius plot of conductiv-ity versus 1/T,for a temperature range of 80-350 K,measuring 35 and 160 meV in low-and high-temperature regimes,respect-ively,which is attributed to complex defects(2CuZn+SnZn)and antisite defects(CuZn),respectively.The observed scattering mech-anisms are attributed to ionized impurities and acoustic phonons at low and high temperatures,respectively.The extracted band-gap is 1.37 eV. 展开更多
关键词 cu_(2)znsns_(4) GROWTH melting method KESTERITE Hall measurements
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前驱体溶液pH值对Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜光电性能的影响
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作者 杨秀凡 张海玲 +1 位作者 周丹彤 陈海波 《河南科技》 2021年第35期110-113,共4页
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜材料,通过调节前驱体溶液的pH值,研究pH值对Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜材料光电性能的影响。采用扫描电镜观测样品表面形貌,采用紫外可见光分光光度计、霍尔效应测试系统测试样品光电性能... 采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜材料,通过调节前驱体溶液的pH值,研究pH值对Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜材料光电性能的影响。采用扫描电镜观测样品表面形貌,采用紫外可见光分光光度计、霍尔效应测试系统测试样品光电性能。结果表明:前驱体溶液pH值为4.5时,制备的Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜颗粒较为均匀,结晶质量较好。此时,Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜吸光度最强,为5.5 A;霍尔电压值最大,为18.3 mV。前驱体溶液pH值调到碱性范围时体系中OH-增多,易生成Cu(OH)2等难溶性物质,且薄膜表面团簇增多并伴有堆叠生长。前驱体溶液pH值调到酸性范围时有利于结晶,Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜体系缺陷减少、空位少,有利于提高电学性能。 展开更多
关键词 PH值 溶胶-凝胶法 cu_(2)znsns_(4)薄膜 光电性能
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磁控溅射法制备的硫化镉缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能
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作者 陈玉飞 廖华 +2 位作者 周志能 赵永刚 王书荣 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2024年第2期18-21,共4页
利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光... 利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光电转换效率为7.0%的铜锌锡硫薄膜太阳电池. 展开更多
关键词 铜锌锡硫薄膜太阳电池 硫化镉缓冲层 磁控溅射法 双功率溅射
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Fundamentals and photocatalytic hydrogen evolution applications of quaternary chalcogenide semiconductor:Cu_(2)ZnSnS_(4) 被引量:2
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作者 Xin-Long Zheng Ying-Jie Yang +9 位作者 Yu-Hao Liu Pei-Lin Deng Jing Li Wei-Feng Liu Peng Rao Chun-Man Jia Wei Huang Yan-Lian Du Yi-Jun Shen Xin-Long Tian 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第7期2153-2168,共16页
Inexpensive,safe,and efficient conversion of solar energy to hydrogen from water splitting requires the development of effective and durable photocatalysts.Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS),the emerging quaternary chalcogenide ma... Inexpensive,safe,and efficient conversion of solar energy to hydrogen from water splitting requires the development of effective and durable photocatalysts.Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS),the emerging quaternary chalcogenide material for solar energy conversion,possesses many advantages,such as narrow direct band gap(1.5 eV),nontoxic,earth-abundance,and low melting point.Currently,CZTS-based photocatalysts have been extensively investigated for their application as an active photocatalyst in hydrogen evolution from water splitting,while the performance is still highly needed to be improved for the practical applications.In this review,first,the crystal and band structure properties of CZTS are briefly introduced,and afterward,the basic principle of photocatalytic hydrogen evolution from water splitting is discussed.Subsequently,the performance and status of bare CZTS,the combination of CZTS and co-catalysts,and CZTSbased heterojunction photocatalysts for hydrogen evolution are reviewed and discussed in detail.Finally,the issues and challenges currently encountered in the application of CZTS and their possible solutions for developing advanced CZTS photocatalysts are provided. 展开更多
关键词 cu_(2)znsns_(4) Quaternary chalcogenide PHOTOCATALYST Hydrogen evolution
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溶胶-凝胶法工艺参数对铜锌锡硫薄膜质量及性能影响研究 被引量:1
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作者 王近 袁妍妍 +2 位作者 王久和 李涛 张琳 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期3092-3099,3123,共9页
以乙酸铜(Cu(CH_(3)COO)_(2)·H_(2)O)、乙酸锌(Zn(CH_(3)COO)_(2)·H_(2)O)、氯化亚锡(SnCl_(2)·2H_(2)O)、硫脲(CH_(4)N_(2)S)为原料,按一定配比制得前驱体溶液,以三乙醇胺(C_(6)H_(15)NO_(3))、乙醇胺(C_(2)H_(7)NO)为... 以乙酸铜(Cu(CH_(3)COO)_(2)·H_(2)O)、乙酸锌(Zn(CH_(3)COO)_(2)·H_(2)O)、氯化亚锡(SnCl_(2)·2H_(2)O)、硫脲(CH_(4)N_(2)S)为原料,按一定配比制得前驱体溶液,以三乙醇胺(C_(6)H_(15)NO_(3))、乙醇胺(C_(2)H_(7)NO)为稳定剂采用溶胶-凝胶法旋涂制备铜锌锡硫(Cu_(2)ZnSnS_(4))薄膜。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱分析(EDS)、紫外-可见-近红外分光光度计表征手段对薄膜的表面形貌、物相结构、成分组成和光学性能等进行分析。研究烧结温度、旋涂转速、稳定剂加入等工艺参数对铜锌锡硫(CZTS)薄膜的形貌、物相结构及光学性能的影响规律。结果表明,前驱体溶液浓度为0.2 mol/L,旋涂速度为1000 r/min,时间为10 s,烧结温度为280℃时,得到了符合Cu_(2)ZnSnS_(4)相结构的薄膜样品;而浓度为0.3 mol/L,旋涂速度为3500 r/min,时间为15 s,增添乙醇胺(MEA)的稳定剂,烧结温度为260℃制备出的CZTS薄膜在表面相貌上有较大改善,其中添加1.5 mL三乙醇胺(TEA)及乙醇胺(MEA)稳定剂制备的CZTS薄膜形貌呈颗粒状,薄膜的表面均匀性提高,但薄膜的结晶质量不如0.2 mol/L溶液制备的样品,薄膜中Sn、S元素的流失而导致其他相的生成使得薄膜的带宽偏大。此外,样品的结晶随烧结时间延长而逐渐变好,但是没有大尺寸晶粒生成。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 结晶质量 铜锌锡硫薄膜 表面形貌 光学性能
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二价阳离子掺杂优化铜锌锡硫(硒)薄膜太阳能电池性能的研究进展
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作者 赵鑫 杨艳春 +4 位作者 崔国楠 刘艳青 任俊婷 田晓 朱成军 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期6029-6042,共14页
阳离子掺杂措施被认为是调节优化铜锌锡硫硒薄膜(Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4),CZTS(Se))太阳能电池有效措施之一,其中,二价阳离子掺杂措施是研究最多、应用最广的。本文从阳离子取代和阳离子额外添加两个方面详细介绍了二价阳离子掺杂措施在优... 阳离子掺杂措施被认为是调节优化铜锌锡硫硒薄膜(Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4),CZTS(Se))太阳能电池有效措施之一,其中,二价阳离子掺杂措施是研究最多、应用最广的。本文从阳离子取代和阳离子额外添加两个方面详细介绍了二价阳离子掺杂措施在优化CZTS(Se)薄膜太阳能电池性能方面的研究进展,二价阳离子取代措施,如Cd^(2+)取代Zn^(2+)等,主要是可以有效降低CZTS(Se)薄膜太阳能电池吸收层的缺陷密度,提高结晶质量,解决吸收层和缓冲层之间界面能带偏移值较大的问题,从而减少电池器件的开路电压亏损,提高器件效率;二价阳离子的额外添加,如Co、Mn的额外添加,主要是优化薄膜的结晶性、帮助载流子的输运,提高吸收层薄膜的电学性能;最后,也总结两类阳离子掺杂措施的优缺点及应用前景。 展开更多
关键词 铜锌锡硫 铜锌锡硫硒 薄膜太阳能电池 二价阳离子的取代 二价阳离子的额外添加
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Recent progress in defect engineering for kesterite solar cells
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作者 Kaiwen Sun Jialiang Huang +2 位作者 Jianjun Li Chang Yan Xiaojing Hao 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第1期18-33,共16页
Kesterite Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)thin film solar cells have been regarded as one of the most promising thin film photovoltaic technologies,offering a low-cost and environmentally friendly solar energy option.Alth... Kesterite Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)thin film solar cells have been regarded as one of the most promising thin film photovoltaic technologies,offering a low-cost and environmentally friendly solar energy option.Although remarkable advances have been achieved in kesterite solar cells,the performance gap relative to mature thin film photovoltaic technologies such as CIGSe and Cd Te remains large.Significant open-circuit voltage(V_(OC))deficit has been recognized as the main limiting factor to performance improvement,with undesirable intrinsic defects being a key culprit contributing to the low V_(OC).To realize the promise inherent in kesterite CZTS to become an earth-abundant alternative to existing thin film photovoltaic technologies with comparable performance,significant research effort has been invested to tackle the challenging defect issues.In this review,recent progress and achievements relevant to engineering improvements to the defect properties of the semiconductor have been examined and summarized.Promising strategies include:(i)manipulating the synthesis process to obtain a desirable reaction pathway and chemical environment;(ii)introducing cation substitution to increase the ionic size difference and supress the related band tailing deep-level defects;(iii)applying post deposition treatment(PDT)with alkaline elements to passivate the detrimental defects.These advances obtained from work on kesterite solar cells may lead to future high performance from this material and may be further extended to other earth-abundant chalcogenide photovoltaic technologies. 展开更多
关键词 thin film solar cells kesterite solar cells cu_(2)ZnSn(S Se)_(4)(cztsSe czts) defect engineering
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