Cu_(2)Zn(Sn_(1-x)Ge_(x))(S,Se)_(4)太阳能电池的制备和表征

采用简单的溶胶-凝胶法制备了高质量的Cu_(2)Zn(Sn_(1-x)Ge_(x))(S,Se)_(4)(CZTGSSe)前驱体薄膜.在500℃下进行17 min的硒化,得到了高质量的CZTGSSe薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等研究了CZTGSSe薄膜的物理化学性质.实验结果表明,利用在CZTSSe吸收层中掺杂Ge的方法可以得到较高的迁移率和光电转换效率(PCE).与Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)太阳能电池相比,观察到5%-CZTGSSe太阳能电池的开路电压(V_(oc))增加了104 mV,PCE也从3.14%增加到5.28%.因此,在CZTSSe层中掺杂Ge不仅是一种可以获得具有较高V_(oc)和PCE的CZTSSe基太阳能电池的方法,也是一种可以促进晶粒生长、提高薄膜质量的有效途径.

等离激元增强上转换发光及其分子检测应用

针对荧光分子检测普遍灵敏度低和检测范围窄的问题,制备了具有等离子激元共振特性的重掺杂半导体纳米结构Cu_(2-x)S和典型的稀土掺杂上转换发光纳米颗粒NaYF_(4)∶Yb,Er,通过三相界面自组装方法获得了Cu_(2-x)S/NaYF_(4)∶Yb,Er薄膜基底。结合有限元模拟,计算了不同摆放情况下Cu_(2-x)S周围的局域电场分布,研究了在实际薄膜中Cu_(2-x)S纳米盘之间产生的等离激元耦合对上转换发光性能以及对拉曼信号增强的影响。结果表明,Cu_(2-x)S等离激元层与NaYF_(4)∶Yb,Er发光层的耦合,不仅得到了上转换3个数量级的提高,还实现了分子检测10^(-7)mol·L^(-1)的检测极限,并且获得了10^(-3)~10^(-7)mol·L^(-1)的宽线性响应,从而达到高灵敏度的定性和定量双功能的精确检测。

A Study on S.R.Topography of the Structural Defects in High-J_c Superconducting YBaCuO Crystal Prepared by the MTG Technique

It is well known that for technological application,a great effort has been done to enchance Jvalue ofsuperconducting YBaCuO sintered bulk.Except oxygen content,the main problem for increasing critical cur-rent density Jis to eliminate the weak link and to control crystallographic anisotropy.It is necessary tomake YBaCuO superconducting bulk have a strong texture with C-axis orientation.Since Jin et al.has suc-