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Cl掺杂对CuI薄膜发光性能增强研究
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作者 杨颖康 邵怡晴 +7 位作者 李柏良 吕志伟 王路路 王亮君 曹逊 吴宇宁 黄荣 杨长 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期687-692,共6页
宽禁带γ-CuI是一种具有优异光电和热电性能的p型透明半导体材料,近年来受到广泛关注。但作为一种新兴材料,其发光性能受材料缺陷影响的物理机理尚不清楚。本工作通过气相反应法制备了Cl掺杂的CuI薄膜,采用电镜表征方法研究Cl掺杂对多晶... 宽禁带γ-CuI是一种具有优异光电和热电性能的p型透明半导体材料,近年来受到广泛关注。但作为一种新兴材料,其发光性能受材料缺陷影响的物理机理尚不清楚。本工作通过气相反应法制备了Cl掺杂的CuI薄膜,采用电镜表征方法研究Cl掺杂对多晶CuI薄膜表面形貌和阴极荧光发光特性的影响,并结合第一性原理计算探究了Cl在CuI薄膜中的主要存在形式,以揭示Cl掺杂CuI薄膜结构与发光性能的联系。研究结果表明,原本晶粒饱满但晶界显著的CuI薄膜掺杂Cl后呈现出致密平整的表面,表明Cl掺杂剂改变了CuI的表面结构。相比未掺杂区域,Cl掺杂区410nm处的荧光信号明显得到双倍增强,而在720nm附近的缺陷峰则略有降低,说明Cl掺杂极大改善了CuI薄膜的发光性能。通过第一性原理计算对该现象进行理论分析,发现引入Cl元素有效抑制了CuI中碘空位等深能级缺陷的产生,降低了激子发生非辐射跃迁的概率,从而改善CuI的发光性能,这与阴极荧光的结果一致。本研究获得的掺杂CuI薄膜带边发光峰的半峰宽仅为7nm,表现出极高的发光单色性。这些发现有助于对卤素掺杂获得的高性能CuI基材料的理解。 展开更多
关键词 cui Cl掺杂 阴极荧光 第一性原理计算
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退火方式及温度对层层碘化法CuI薄膜结构、形貌和光电性能的影响
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作者 耿方娟 杨磊 朱嘉琦 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期842-848,共7页
CuI薄膜可以通过Cu金属膜的碘化法来制备,为了优化碘化法CuI薄膜的光电特性,本文通过层层碘化法制备了CuI薄膜样品,并采用后退火和层层退火两种方式处理CuI样品,对薄膜样品的结构特性、表面形貌和光电性能进行了分析。结果表明,层层退... CuI薄膜可以通过Cu金属膜的碘化法来制备,为了优化碘化法CuI薄膜的光电特性,本文通过层层碘化法制备了CuI薄膜样品,并采用后退火和层层退火两种方式处理CuI样品,对薄膜样品的结构特性、表面形貌和光电性能进行了分析。结果表明,层层退火方式有效提高了样品的结晶度,而后退火方式则有利于薄膜表面CuI的二维平面移动,从而增加了薄膜表面的致密性。后退火方式将CuI薄膜的透过率提高至80%~90%,层层退火方式将CuI薄膜的电阻率优化至0.034Ω·cm。 展开更多
关键词 P型 cui 后退火 层层退火 透过率 电学性能 光电性能
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微反应器策略实现γ-CuI的形貌调控
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作者 占思进 游立 +5 位作者 刘飞 王诗瀚 胡国涛 杨晓健 张丹 王先炜 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第10期1887-1896,共10页
γ-CuI较宽的能带空隙及较高的离子电导率等特点,使其在光能利用和超快闪烁材料领域有着广泛的应用。γ-CuI的形貌往往对其结构性质有重要的影响,精准地调控其形貌有很大的意义。因此,本文采用微反应法,通过控制不同NH_(3)·H_(2)O... γ-CuI较宽的能带空隙及较高的离子电导率等特点,使其在光能利用和超快闪烁材料领域有着广泛的应用。γ-CuI的形貌往往对其结构性质有重要的影响,精准地调控其形貌有很大的意义。因此,本文采用微反应法,通过控制不同NH_(3)·H_(2)O用量、Cu源、管内反应停留时间及合成温度等因素,结合SEM、XRD和FT-IR等测试手段,对不同合成条件下制备得到的γ-CuI的晶型与形貌进行了研究。并对传统液相沉淀法和微反应法制备的γ-CuI进行了比较。结果表明,当NH_(3)·H_(2)O使用量(C NH_(3)·H_(2)O/C N_(2)H_(4))为0.4、管内停留时间为10 s、反应温度为20℃的条件下达到90.5%的最高产率。其中,NH_(3)·H_(2)O的使用量对形貌的影响最大,当NH_(3)·H_(2)O的使用量为0.4时,合成了形貌均一的棒状γ-CuI。对比不同的铜源,除Cu(CH 3 COO)2·H 2 O制备得到棒状的γ-CuI,其余Cu源均主要生成颗粒状γ-CuI。增加管内时间则有助于棒状γ-CuI的形成,但进一步增长时间会导致样品在管内损失。此外,过高的反应温度会导致棒状γ-CuI逐渐向颗粒状γ-CuI转化。 展开更多
关键词 γ-cui N_(2)H_(4)·H_(2)O 微反应器 微流控法 微筛孔板 形貌调控
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γ-CuI纳米粉体的微反应合成及光学性质研究
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作者 王逸舟 刘飞 +2 位作者 王诗瀚 胡国涛 杨晓健 《化工设计通讯》 CAS 2023年第8期65-67,共3页
由于γ-CuI较宽的能带空隙及较高的离子电导率等特点,使其在光能和超快闪烁材料中广泛应用。然而,目前的CuI制备方法很难达到连续制备的要求。基于此,采用微反应法,通过调节表面活性剂用量和沉淀剂种类,结合SEM和XRD,探讨了CuI的晶体结... 由于γ-CuI较宽的能带空隙及较高的离子电导率等特点,使其在光能和超快闪烁材料中广泛应用。然而,目前的CuI制备方法很难达到连续制备的要求。基于此,采用微反应法,通过调节表面活性剂用量和沉淀剂种类,结合SEM和XRD,探讨了CuI的晶体结构和形态,并考察了γ-CuI形貌与其光学特性之间的关系。实验发现,表面活性剂的用量与沉淀剂种类仅对CuI的形貌有影响,对γ-CuI的晶相没有影响。此外,还发现CuI的光学性质对其形貌的改变较为敏感。 展开更多
关键词 形貌调控 γ-cui 表面活性剂 沉淀剂 光学性能
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CuI介导Reformatsky反应高效合成β-羟基酯类化合物
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作者 钟瑜红 张占义 +3 位作者 税红灵 余柳静 吴小倩 罗年华 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期920-928,共9页
考察了苯甲醛和2-碘乙酸乙酯合成3-羟基-3-苯基丙酸乙酯(1)的反应条件对产物产率的影响,得到的最优反应条件为:以1.0 mmol苯甲醛和1.5 mmol 2-碘乙酸乙酯为原料、0.2 mmol CuI为介导、3.0 mmol锌粉为催化剂、0.2 mmol CF_(3)CO_(2)H为... 考察了苯甲醛和2-碘乙酸乙酯合成3-羟基-3-苯基丙酸乙酯(1)的反应条件对产物产率的影响,得到的最优反应条件为:以1.0 mmol苯甲醛和1.5 mmol 2-碘乙酸乙酯为原料、0.2 mmol CuI为介导、3.0 mmol锌粉为催化剂、0.2 mmol CF_(3)CO_(2)H为添加剂、2 mL V(乙腈)∶V(去离子水)=1∶1的混合液为溶剂,室温下反应。在该反应条件下,合成了32个产率在82%~95%之间的β-羟基酯类化合物1~32,产物结构经^(1)HNMR、^(13)CNMR和MS确证,并提出了可能的反应机理。开发了一种由Cu I介导的简易、高效的Reformatsky催化体系,实现了锌粉高效催化2-碘乙酸乙酯与不同芳醛/芳酮的Reformatsky反应,该催化体系放大至克级,以92%的高产率获得化合物1。 展开更多
关键词 cui Reformatsky反应 β-羟基酯 2-碘乙酸乙酯 精细化工中间体
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One‑Step Gas-Solid‑Phase Diffusion‑Induced Elemental Reaction for Bandgap‑Tunable Cu_(a)Agm_(1)Bim_(2)I_(n)/CuI Thin Film Solar Cells
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作者 Erchuang Fan Manying Liu +9 位作者 Kangni Yang Siyu Jiang Bingxin Li Dandan Zhao Yanru Guo Yange Zhang Peng Zhang Chuantian Zuo Liming Ding Zhi Zheng 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期261-271,共11页
Lead-free inorganic copper-silver-bismuth-halide materials have attracted more and more attention due to their environmental friendliness,high element abundance,and low cost.Here,we developed a strategy of one-step ga... Lead-free inorganic copper-silver-bismuth-halide materials have attracted more and more attention due to their environmental friendliness,high element abundance,and low cost.Here,we developed a strategy of one-step gas-solid-phase diffusioninduced reaction to fabricate a series of bandgap-tunable Cu_(a)Agm_(1)Bim_(2)I_(n)/CuI bilayer films due to the atomic diffusion effect for the first time.By designing and regulating the sputtered Cu/Ag/Bi metal film thickness,the bandgap of Cu_(a)Agm_(1)Bim_(2)I_(n)/CuI could be reduced from 2.06 to 1.78 eV.Solar cells with the structure of FTO/TiO_(2)/Cu_(a)Agm_(1)Bim_(2)I_(n)/CuI/carbon were constructed,yielding a champion power conversion efficiency of 2.76%,which is the highest reported for this class of materials owing to the bandgap reduction and the peculiar bilayer structure.The current work provides a practical path for developing the next generation of efficient,stable,and environmentally friendly photovoltaic materials. 展开更多
关键词 Cu_(a)Agm_(1)Bim_(2)I_(n)/cui Elemental reaction Bandgap tuning Solar cells Gas-solid phase
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染料敏化太阳能电池中PEDOT/PSS-CuI复合电解质的研究 被引量:4
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作者 胡志强 许芳怡 +2 位作者 周红茹 王仁博 高宏 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第S1期42-44,114,共4页
以实验室自制的无机P型半导体CuI纳米粉体、导电聚合物PEDOT/PSS及乙腈为原料,制备了PEDOT/PSS-CuI复合电解质及纯CuI固体电解质进行对比。通过X射线衍射(XRD)对CuI粉体的晶形进行了分析,用四探针电阻仪测定了电解质薄膜的电阻率,测试... 以实验室自制的无机P型半导体CuI纳米粉体、导电聚合物PEDOT/PSS及乙腈为原料,制备了PEDOT/PSS-CuI复合电解质及纯CuI固体电解质进行对比。通过X射线衍射(XRD)对CuI粉体的晶形进行了分析,用四探针电阻仪测定了电解质薄膜的电阻率,测试了染料敏化太阳能电池的性能。结果表明:当CuI在PEDOT/PSS中添加量为20%时,PEDOT/PSS-CuI复合电解质组装电池的性能最好。且PEDOT/PSS-CuI复合电解质的性能稳定性要优于纯CuI固体电解质。 展开更多
关键词 cui固体电解质 PEDOT/PSS-cui复合电解质 染料敏化太阳能电池
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具有内孔道的层状超分子化合物[(CuI)_2(o-phen)_2]的水热合成与晶体结构 被引量:4
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作者 王树涛 王恩波 +4 位作者 李阳光 王力 胡长文 胡宁海 贾恒庆 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期1241-1242,共2页
A layered inner tunnel supramolecular compound 1, [(CuI) 2( o phen) 2], was hydrothermally synthesized and structurally characterized by X ray crystal diffraction. It crystallizes in triclinic system, space group P 1 ... A layered inner tunnel supramolecular compound 1, [(CuI) 2( o phen) 2], was hydrothermally synthesized and structurally characterized by X ray crystal diffraction. It crystallizes in triclinic system, space group P 1 with a =0.775 9(2) nm, b =0.907 0(2) nm, c =0.918 94(10) nm, α =96 306(14)°, β = 104.567(16)°, γ =109.421(19)°, V =0.576 8(2) nm 3, Z=1, R=0.034 8, wR =0.092 0. 展开更多
关键词 层状超分子化合物 [(cui)2(o-phen)2] 氢键水热合成 晶体结构 双核铜卤化合物
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微乳液法制备六边形薄片状γ-CuI晶体的研究 被引量:3
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作者 刘飞 祝博 +1 位作者 王晓丹 曹建新 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期5-7,15,共4页
以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用微乳液法合成了六边形薄片状γ-CuI晶体。采用XRD和SEM手段研究了微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI晶相组成和微观形貌的影响。结果表明,表面活性剂CTAB用量、水含量和反应物浓度对微乳液法制... 以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用微乳液法合成了六边形薄片状γ-CuI晶体。采用XRD和SEM手段研究了微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI晶相组成和微观形貌的影响。结果表明,表面活性剂CTAB用量、水含量和反应物浓度对微乳液法制备的γ-CuI晶相组成和晶体形状没有太大影响,但对晶体尺寸具有较大影响。适宜的微乳液制备工艺条件能产生适当的界面膜强度,有效控制碘化压铜晶体尺寸。CTAB-正戊醇-环己烷-水体积比为3∶3∶7∶10,硫酸铜溶液0.1mol/L和碘化铵溶液0.2mol/L,常温下500r/min搅拌2h合成产物为六边形薄片状γ-CuI。 展开更多
关键词 γ-cui 微乳液法 六边形薄片状 晶体尺寸 微观形貌
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六边形纳米CuI及其超疏水性 被引量:1
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作者 高书燕 李政道 +1 位作者 贾晓霞 陈艳丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1035-1037,共3页
采用一步液相反应法,在常温常压下,制得六边形纳米CuI。无需任何低表面能物质(硫醇或氟烷基)修饰,该样品就表现出超疏水性,接触角达到157°。最为重要的是样品的超疏水性很稳定,在空气中放置半年后,其接触角无明显变化,具有潜在的... 采用一步液相反应法,在常温常压下,制得六边形纳米CuI。无需任何低表面能物质(硫醇或氟烷基)修饰,该样品就表现出超疏水性,接触角达到157°。最为重要的是样品的超疏水性很稳定,在空气中放置半年后,其接触角无明显变化,具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 超疏水 六边形纳米cui 表面修饰 低表面能
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CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5四元系快Cu^+离子玻璃的形成范围和性质 被引量:1
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作者 张家权 李法科 +1 位作者 韩崇家 贺猛震 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期278-282,共5页
本文研究了四元系CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5快Cu^+离子玻璃的性质。包括玻璃形成范围、离子输运、热稳定性、离子电导率以及取代量(MoO_3)和掺杂盐(CuI)的影响。实验指出,用MoO_3取代P_2O_5的办法可以得到性能优良的玻璃导体。
关键词 离子玻璃 快离子导体 cui CU2O
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n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究 被引量:1
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作者 熊超 朱锡芳 +5 位作者 陈磊 陆兴中 袁洪春 肖进 丁丽华 徐安成 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期787-790,803,共5页
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流... 采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。 展开更多
关键词 p-cui/n-Si异质结 I-V特性 C-V特性 内建电势 界面态
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CuI半导体膜的电化学制备与性质 被引量:1
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作者 王钦忠 汪正浩 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1161-1165,共5页
用简单的电化学方法制备出了机械性能较强的CuI半导体膜,这种半导体膜是由大量的三角形片状微粒组成的。利用交流阻抗方法在pH值分别为0、2、4和7的0.5 mol/L Na2SO4溶液中研究了这种膜电极的电化学性质。研究发现,溶液pH值对CuI半导体... 用简单的电化学方法制备出了机械性能较强的CuI半导体膜,这种半导体膜是由大量的三角形片状微粒组成的。利用交流阻抗方法在pH值分别为0、2、4和7的0.5 mol/L Na2SO4溶液中研究了这种膜电极的电化学性质。研究发现,溶液pH值对CuI半导体膜的阻抗有较大的影响,pH值越小则电化学反应电阻就越大;同时,溶液的pH值也对CuI半导体膜电极的表面态有着较大的影响,pH值越大表面态密度越大。在pH值为0的Na2SO4溶液中测得CuI半导体的Efb为0.023 V(vs.SCE)。 展开更多
关键词 cui半导体 交流阻抗 平带电位
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喷涂法制备缓冲层CuI薄膜的生长(英文)
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作者 阎有花 刘迎春 +3 位作者 方玲 卢志超 李正邦 周少雄 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第2期359-363,共5页
采用乙腈为溶剂的喷涂工艺制备晶粒尺寸约为35nm的CuI薄膜。研究乙腈溶液中碘掺杂浓度对CuI薄膜结构、形貌和光学性能的影响。XRD衍射结果表明:碘掺杂的CuI薄膜具有γ态立方闪锌矿结构,沿(111)晶面择优取向生长。SEM结果显示CuI薄膜的... 采用乙腈为溶剂的喷涂工艺制备晶粒尺寸约为35nm的CuI薄膜。研究乙腈溶液中碘掺杂浓度对CuI薄膜结构、形貌和光学性能的影响。XRD衍射结果表明:碘掺杂的CuI薄膜具有γ态立方闪锌矿结构,沿(111)晶面择优取向生长。SEM结果显示CuI薄膜的微结构与乙腈溶液中碘掺杂量有关;当乙腈溶液中掺杂碘为0.025g时,所制备的CuI薄膜均匀、致密,在可见光区域光学透过率可达75.4%,禁带宽度接近2.96eV。 展开更多
关键词 cui薄膜 缓冲层 喷涂法 碘掺杂
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衬底温度对CuI薄膜微结构与性能的影响
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作者 赵海花 方玲 +3 位作者 卢志超 阎有花 赵栋梁 王先友 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1505-1507,共3页
采用喷射沉积技术,探讨不同的衬底温度对CuI薄膜的微结构与性能的影响。通过x射线衍射谱,场发射扫描电子显微镜,霍尔测试仪和紫外.可见光分光光度计等测试了CuI薄膜的微结构、表面形貌和光电性能。研究结果表明,衬底温度为120℃时... 采用喷射沉积技术,探讨不同的衬底温度对CuI薄膜的微结构与性能的影响。通过x射线衍射谱,场发射扫描电子显微镜,霍尔测试仪和紫外.可见光分光光度计等测试了CuI薄膜的微结构、表面形貌和光电性能。研究结果表明,衬底温度为120℃时CuI薄膜的结晶性较好,薄膜表面相对均匀致密。可见光透过率随着衬底温度升高先增大后减小,在衬底温度为120℃时最高,近76%,适合作Al:ZnO/p-CuI/n-CIS薄膜太阳能电池的缓冲层。 展开更多
关键词 cui薄膜 衬底温度 缓冲层 太阳能电池
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CuI晶体及其缺陷态电子结构的模拟
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作者 顾牡 刘峰松 张睿 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期339-343,共5页
利用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法 ,模拟计算了具有闪锌矿结构的γ态CuI晶体及其缺陷态的电子结构。结果显示晶体的本征能级结构 :价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成 ,导带底由Cu4s轨道组成 ,禁带宽度为 3.1eV ,该结果与实验... 利用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法 ,模拟计算了具有闪锌矿结构的γ态CuI晶体及其缺陷态的电子结构。结果显示晶体的本征能级结构 :价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成 ,导带底由Cu4s轨道组成 ,禁带宽度为 3.1eV ,该结果与实验相符。在不同缺陷态的计算中 ,四面体间隙铜缺陷相对其他间隙缺陷更易于在晶体中形成 ,其中Cu3d→ 4s跃迁能量为 3.2eV 。 展开更多
关键词 cui晶体 密度泛函理论 电子结构 发光机理
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CuI促进下乙羧氟草醚的合成
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作者 王保安 闫月荣 +2 位作者 闫金龙 李伟 李俊 《化学工程师》 CAS 2012年第9期55-56,62,共3页
以间羟基苯甲酸和3-氯-4-碘三氟甲苯为原料,在CuI促进下,温度在120℃时高收率地合成了二芳基醚化合物,经过成盐、醚化、硝化、缩合4步反应得到乙羧氟草醚,所得产物化学结构经红外光谱、核磁共振谱及质谱等确证。乙羧氟草醚的合成总收率... 以间羟基苯甲酸和3-氯-4-碘三氟甲苯为原料,在CuI促进下,温度在120℃时高收率地合成了二芳基醚化合物,经过成盐、醚化、硝化、缩合4步反应得到乙羧氟草醚,所得产物化学结构经红外光谱、核磁共振谱及质谱等确证。乙羧氟草醚的合成总收率为72%。 展开更多
关键词 乙羧氟草醚 除草剂 cui 偶联反应
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多晶形γ-CuI晶体的制备与导电性能表征
18
作者 刘飞 祝博 +1 位作者 王晓丹 曹建新 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期461-467,共7页
以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用液相法和微乳液法合成了不同晶形γ-CuI晶体。采用XRD和SEM研究了液相法和微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI微观结构的影响,分析了具有不同微观结构γ-CuI对其导电性能的影响。结果表明,分别以... 以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用液相法和微乳液法合成了不同晶形γ-CuI晶体。采用XRD和SEM研究了液相法和微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI微观结构的影响,分析了具有不同微观结构γ-CuI对其导电性能的影响。结果表明,分别以聚乙二醇(PEG-6000)和柠檬酸为表面活性剂,采用液相法常温下500 r/min反应30 min可制备出纳米球形和三角锥形γ-CuI。按CTAB-正戊醇-环己烷-水配比3∶3∶7∶10分别配制硫酸铜和碘化铵微乳液,常温下500 r/min反应2 h可制备出六边形薄片状γ-CuI。不同微观形貌和粒径分布对γ-CuI产品电导率具有较大的影响。纳米球形γ-CuI电导率最小,为4.9Ω.cm。 展开更多
关键词 γ-cui晶体 电导率 液相法 微乳液法
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Cl掺杂γ-CuI晶体生长及闪烁性能的研究
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作者 张蕾 刘小林 +4 位作者 郝书童 顾牡 李乾利 黄世明 张娟楠 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第8期1405-1411,1429,共8页
采用溶剂蒸发技术,辅以氩保护气氛,成功获得厘米级氯掺杂γ-CuI透明单晶。研究了氯掺杂对晶体生长溶液的稳定性、晶体结构及发光性能的影响。通过引入氩气氛,掺氯生长液及晶体的氧化问题得到了极大改善。X射线激发发射光谱表明,γ-CuI:C... 采用溶剂蒸发技术,辅以氩保护气氛,成功获得厘米级氯掺杂γ-CuI透明单晶。研究了氯掺杂对晶体生长溶液的稳定性、晶体结构及发光性能的影响。通过引入氩气氛,掺氯生长液及晶体的氧化问题得到了极大改善。X射线激发发射光谱表明,γ-CuI:Cl晶体的超快近带边发射得到显著增强,光输出约为PbWO4晶体的89%,深能级发射强度也受到极大抑制。并且快成分的衰减时间达到亚纳秒量级。实验结果均表明γ-CuI:Cl单晶具有较好的结晶性和光学性能,有望应用于超高辐射检测和超快计数率成像领域。 展开更多
关键词 γ-cui单晶 氯掺杂 溶剂蒸发法 X射线激发发光 超快衰减时间
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CuI/TMEDA催化合成芳基葡萄糖碳苷化合物
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作者 毛泽伟 饶高雄 《合成化学》 CAS CSCD 2016年第3期250-252,共3页
以THF为溶剂,Cu I/TMEDA为催化剂,四乙酰溴代葡萄糖与芳基溴化镁经取代反应合成了芳基葡萄糖碳苷(2a^2c),其结构经1H NMR和13C NMR确证。在最佳反应条件(THF为溶剂,10%Cu I和10%TMEDA为催化剂,于0℃反应至终点)下,2a^2c的收率为58%~71%,... 以THF为溶剂,Cu I/TMEDA为催化剂,四乙酰溴代葡萄糖与芳基溴化镁经取代反应合成了芳基葡萄糖碳苷(2a^2c),其结构经1H NMR和13C NMR确证。在最佳反应条件(THF为溶剂,10%Cu I和10%TMEDA为催化剂,于0℃反应至终点)下,2a^2c的收率为58%~71%,α/β为1/6.5~1/7.1。 展开更多
关键词 cui 催化 芳基碳苷 合成
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