用CCII回转器设计梯形结构电流模式滤波器

该文提出一种设计高阶CCⅡ(第二代电流传输器)电流模式滤波器的新方法,即用CCⅡ回转器综合电流模式无源梯形网络的输入导纳,从而设计出高阶电流模式CCⅡ滤波器。用该方法设计出的电路与其它同类电路比较,电路结构简单、所使用的CCⅡ数目少。文中对CCⅡ的非理想特性进行了分析,提出了对CCⅡ的非理想特性进行补偿的方案。文中给出了六阶巴特沃斯滤波器的设计举例及补偿前和补偿后的计算机PSPICE仿真结果。

一种新型的平面无源集成EMI滤波器结构

为了减小电磁干扰(EMI)滤波器的体积,提高开关电源的功率密度,提出一种堆积式交错并联平面无源集成EMI滤波器结构,将滤波器的共模电感、差模电感、共模电容和差模电容集成为一个单元模块,解决了现有结构难于集成大电容的问题,减小了集成电容的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL);在考虑共模电感的等效并联电容(EPC)和共模电容的ESL以及它们的ESR情况下,建立了平面无源集成EMI滤波器的高频共模等效电路模型;利用二端口网络的A参数矩阵推导了插入损耗的计算公式。仿真和实验表明了该结构的有效性,以及高频模型和插损公式的正确性。

基于积木式交错并联的平面全集成EMI滤波器

为了减少电磁干扰(EMI)滤波器的体积,提高开关电源的功率密度,提出一种基于积木式交错并联的平面全集成EMI滤波器。根据差、共模噪声的频段分布规律,采用温度稳定性较高的薄膜介质材料进行交错并联来实现共模电容的集成,采用电气性能较稳定的Ⅱ类陶瓷材料X7R来实现差模电容的集成,采用PCB绕组来实现共模电感和差模电感的集成,给出了平面全集成EMI滤波器高频差、共模等效电路及其插入损耗的计算公式。仿真和实验验证了所提出的平面全集成EMI滤波器的有效性及其高频差、共模等效电路和插入损耗公式的正确性。

一种对数域电流模式积分器及其在高频滤波中的应用

提出了一种新颖的对数城电流模式积分器。该积分器的时间常数由参考偏置电流控制。用该积分器设计了二阶带通滤波器和0．1dB纹波三阶Chebyshev低通滤波器。计算机仿真表明，所设计的滤波器实际频响特性几乎是理想的，而且高频谐波失真很小，通频带灵敏度很低，频率在很宽的范围内可控。电路由双极型晶体管和接地电容构成，适合于全集成实现。

基于单片MO-CDCTA的高集成低功耗高阶有源低通滤波器的设计

针对高阶滤波器体积大和功耗高的问题,提出了一种基于多输出电流差分级联跨导放大器的电流模式n阶低通滤波电路。该电路不含任何电阻,仅使用1个新的多输出电流差分级联跨导放大器和若干接地电容,能实现任意阶低通滤波器功能。使用CADENCE进行设计和调试,电路芯片面积仅0.04mm^2,仿真功耗仅4.18mW,最大3dB截止频率500MHz。三阶巴特沃斯低通滤波器仿真与瞬态响应实验证明了理论的正确性。

模拟集成滤波器发展综述

简要地回顾了模拟集成滤波器的发展历程 ,综述了其种类、设计方法和实现技术 ,最后 。

一种高性能电流差分缓冲放大器

提出了一种新型低功耗、宽线性范围的电流差分缓冲放大器,电路中的电流镜全部采用NMOS电流镜结构,电路结构简单。对传统的电流源结构的电流输入端进行改进,降低了电路的工作电压和功耗;在电流输出端采用改进型威尔逊电流镜结构,提高了电路的线性度和带宽;在电压输出端采用电压缓冲放大器,降低了端口阻抗,提高了电压带宽。基于0.18μm CMOS工艺,采用Pspice软件对电路进行仿真:在±0.8V的供电电压下,电路的电流电压传输率α_p,α_n和β_v分别为1.020,1.020,0.998;I_z/I_p,I_z/I_n和V_w/V_z的3阶互调截点频率分别为376,376和726MHz;整个电路功耗仅为0.48mW。最后,将提出的低电压低功耗高频电流差分缓冲放大器成功应用于双2阶电流模式滤波器中。

基于低电压二次节的甚高频电流模式低通滤波器的设计

提出了一个平衡结构二阶电流模式低通滤波器．该滤波器除输入端、输出端、直流电压偏置节点和接地电容连接节点外，再没有其它节点，电路寄生参数的影响被显著减小，它适合于甚高频滤波．给出了计及晶体管二级效应时的输出电流表达式，用非线性传递函数理论分析了非线性失真，并研究了噪声问题．理论分析表明，给出的滤波电路符合低电压趋势和甚高频滤波要求，具有比较小的谐波失真．在２μｍ工艺条件下，用ＰＳｐｉｃｅ５．０对一个１５ＭＨｚ截止频率的滤波器进行仿真，计算结果与理论相一致．

分布电容对CCII MOSFET－C集成连续时间带通滤波器的影响

本文用极点分析方法详细地探讨了在高频工作下的ＣＣＩＩＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连续时间带通滤波器，从极点位移直观地反映了ＭＯＳＦＥＴ分布电容及非理想ＣＣＩＩ对主极点频率ωｐ和品质因数Ｑｐ的影响．还用计算机模拟进行了验证。

一种结构对称型电磁集成电磁干扰滤波器分析与设计

针对电力电子变换器高频化发展趋势下电磁干扰(EMI)问题及其给高功率密度化设计带来的挑战,该文利用柔性多层带材(FMLF)技术,提出一种结构对称型EMI滤波器电磁集成设计方案。此方案通过共模(CM)电容-线电感和差模(DM)电容-CM电感基本集成单元推演出基于UU型磁心的L/N对称型EMI滤波器全集成结构,并采用合理的端口配置方式实现CM和DM滤波元件功能解耦,从而简化CM和DM集总等效电路,进而简化其参数分析、整定和设计。以一台输出功率为500W的SiC-MOSFET高频电压源逆变器为实验平台,在利用Maxwell软件进行合理性验证的前提下,分别设计分立型、磁集成型和电磁集成型EMI滤波器样机并进行对比实验,验证了所提方案的可行性和有效性。实验结果表明,在CM和DM插入损耗设计目标相同的情况下,所提电磁集成方案可有效减小体积和质量,有助于提升系统功率密度。