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Enhanced performances of AlGaInP-based light-emitting diodes with Schottky current blocking layers 被引量:1
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作者 马莉 沈光地 +1 位作者 高志远 徐晨 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期464-467,共4页
A new epitaxial structure of AlGaInP-based light-emitting diode(LED) with a 0.5-μm GaP window layer was fabricated. In addition, indium tin oxide(ITO) and localized Cr deposition beneath the p-pad electrode were ... A new epitaxial structure of AlGaInP-based light-emitting diode(LED) with a 0.5-μm GaP window layer was fabricated. In addition, indium tin oxide(ITO) and localized Cr deposition beneath the p-pad electrode were used as the current spreading layer and the Schottky current blocking layer(CBL), respectively. The results indicated that ITO and the Schottky CBL improve the total light extraction efficiency by relieving the current density crowding beneath the p-pad electrode. At the current of 20 mA, the light output power of the novel LED was 40% and 19% higher than those of the traditional LED and the new epitaxial LED without CBL. It was also found that the novel LED with ITO and CBL shows better thermal characteristics. 展开更多
关键词 light-emitting diodes Schottky current blocking layer current spreading
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Current diffusion and efficiency droop in vertical light emitting diodes
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作者 R Q Wan T Li +6 位作者 Z Q Liu X Y Yi J X Wang J H Li W H Zhu J M Li L C Wang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期561-569,共9页
Current diffusion is an old issue, nevertheless, the relationship between the current diffusion and the efficiency of light emitting diodes(LEDs) needs to be further quantitatively clarified. By incorporating current ... Current diffusion is an old issue, nevertheless, the relationship between the current diffusion and the efficiency of light emitting diodes(LEDs) needs to be further quantitatively clarified. By incorporating current crowding effect(CCE) into the conventional ABC model, we have theoretically and directly correlated the current diffusion and the internal quantum efficiency(IQE), light extraction efficiency(LEE), and external quantum efficiency(EQE) droop of the lateral LEDs.However, questions still exist for the vertical LEDs(V-LEDs). Here firstly the current diffusion length L_s(I) and L_s(II) have been clarified. Based on this, the influence of CCE on the EQE, IQE, and LEE of V-LEDs were investigated. Specifically to our V-LEDs with moderate series resistivity, L_s(III) was developed by combining L_s(I) and L_s(II), and the CCE effect on the performance of V-LEDs was investigated. The wall-plug efficiency(WPE) of V-LEDs ware investigated finally. Our works provide a deep understanding of the current diffusion status and the correlated efficiency droop in V-LEDs, thus would benefit the V-LEDs' chip design and further efficiency improvement. 展开更多
关键词 efficiency droop VERTICAL light EMITTING diodes current CROWDING effect current blocking layer
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CIS生产工艺对暗电流(Dark Current)性能的影响
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作者 秋沉沉 魏峥颖 +1 位作者 钱俊 孙昌 《集成电路应用》 2021年第8期16-19,共4页
研究工艺对CIS图像传感器(CMOS image sensor)的影响。通过隔离注入的优化、沉积薄膜膜质的优化、干法刻蚀工艺的优化及热制程的优化可减少硅氧界面载流子与声子群的散射,可大大减少Si-SiO2界面附近陷阱,从而降低CIS传感器的暗电流(Dark... 研究工艺对CIS图像传感器(CMOS image sensor)的影响。通过隔离注入的优化、沉积薄膜膜质的优化、干法刻蚀工艺的优化及热制程的优化可减少硅氧界面载流子与声子群的散射,可大大减少Si-SiO2界面附近陷阱,从而降低CIS传感器的暗电流(Dark Current,DC)。实验数据表明,暗电流可改善30%~82.5%,可适用于不同像素尺寸(0.7~18μm)的CIS产品。 展开更多
关键词 集成电路制造 CMOS图形传感器CIS 暗电流 干法刻蚀 热制程 自对准硅化物阻挡层 SAB
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基于改进YOLOv3的交通标志识别 被引量:2
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作者 晏文靖 戴建华 《武汉工程职业技术学院学报》 2023年第1期31-35,共5页
针对交通标志在图像中占比小,存在难以准确识别的问题,提出以YOLOv3网络模型为基础的改进算法对交通标志进行识别。调整网络中的CBL层,使用较浅层次网络的输出特征图,降低漏检率;采用焦点损失函数计算置信度,降低了误报率和对数平均未... 针对交通标志在图像中占比小,存在难以准确识别的问题,提出以YOLOv3网络模型为基础的改进算法对交通标志进行识别。调整网络中的CBL层,使用较浅层次网络的输出特征图,降低漏检率;采用焦点损失函数计算置信度,降低了误报率和对数平均未命中率;将图像分块预处理,解决较小的对象特征因图像大小调整而丢失的问题,提高主干网络检测速度。该算法在中国交通标志数据集上验证结果表明,提高YOLOv3网络的平均精度和整体性能,mAP达到97.84%,速度达35.6fps。 展开更多
关键词 YOLOv3 交通标志识别 cbl层调整 焦点损失 图像分块预处理
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Enhanced light output power in InGaN/GaN light-emitting diodes with a high reflective current blocking layer 被引量:1
5
作者 张晓洁 杨瑞霞 王静辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第7期56-59,共4页
The light output power of an InGaN/GaN light-emitting diode is improved by using a SiO2/TiO2 distributed Bragg reflector (DBR) and an A1 mirror as a hybrid reflective current blocking layer (CBL). Such a hybrid re... The light output power of an InGaN/GaN light-emitting diode is improved by using a SiO2/TiO2 distributed Bragg reflector (DBR) and an A1 mirror as a hybrid reflective current blocking layer (CBL). Such a hybrid reflective CBL not only plays the role of the CBL by enhancing current spreading but also plays the role of a reflector by preventing photons near the p electrode pad from being absorbed by a metal electrode. At a wavelength of 455 nm, a 1.5-pair of SiO2/TiO2 DBR and an A1 mirror (i.e. 1.5-pair DBR+A1) deposited on a p-GaN layer showed a normal-incidence reflectivity as high as 97.8%. With 20 mA current injection, it was found that the output power was 25.26, 24.45, 23.58 and 22.45 mW for the LED with a 1.5-pair DBR+AI CBL, a 3-pair DBR CBL, SiO2 CBL and without a CBL, respectively. 展开更多
关键词 distributed Bragg reflector Al current blocking layer light-emitting diode
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不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响 被引量:5
6
作者 曹伟伟 朱彦旭 +4 位作者 郭伟玲 刘建朋 俞鑫 邓叶 徐晨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期480-483,共4页
电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响。本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与... 电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响。本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P电极形状相同,B组为Y形CBL,C组为点状CBL。通过对这3组芯片与常规芯片的对比,发现加入CBL对小功率LED的电压特性影响比较小,并且电流阻挡层形状与金属电极形状相同时对光效的提高最大,可以提高14.6%。 展开更多
关键词 发光二极管(LED) 电流阻挡层(cbl) 光效
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TiCl_4水解法制备的阻挡层对染料敏化太阳能电池光电性能的影响 被引量:12
7
作者 陈东坡 张晓丹 +2 位作者 魏长春 刘彩池 赵颖 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期425-431,共7页
通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外... 通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计测试了阻挡层的形貌和对光的透过率,在AM1.5和暗环境下分别测试了染料敏化太阳能电池(DSSC)的光电性能.实验结果表明:用此方法可以获得由TiO2粒子组成的阻挡层薄膜;阻挡层薄膜的形貌随着TiCl4溶液浓度的增加而改变,它的厚度随着TiCl4溶液浓度的增加而增加;引入阻挡层后,FTO对光的透过率都会下降;这一薄膜的引入可以提高电池的光电性能,用0.04 mo·lL-1的TiCl4溶液制备的阻挡层对暗电流的抑制作用最为明显,电池在AM1.5的条件下测试,转换效率最高7.84%. 展开更多
关键词 染料敏化太阳能电池 阻挡层 TIO2薄膜 暗电流 TICL4
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高压XLPE电缆阻水缓冲层电–热场分析及模拟烧蚀试验研究 被引量:25
8
作者 刘英 陈佳美 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第4期1260-1270,共11页
近年来,高压交联聚乙烯波纹铝护套电缆中由于阻水缓冲层烧蚀引发的故障屡见不鲜,且烧蚀部位多集中于缓冲层与铝护套紧密接触位置。为充分了解烧蚀故障的成因机理,对故障检测与预防提供理论与数据支撑,该文首先通过电–热场耦合仿真,探... 近年来,高压交联聚乙烯波纹铝护套电缆中由于阻水缓冲层烧蚀引发的故障屡见不鲜,且烧蚀部位多集中于缓冲层与铝护套紧密接触位置。为充分了解烧蚀故障的成因机理,对故障检测与预防提供理论与数据支撑,该文首先通过电–热场耦合仿真,探究电缆中径向电流分布规律及由电流不均导致的缓冲层局部温升特性,并开展模拟烧蚀试验,观察干燥及受潮带材在电流作用下的不同烧蚀表现,推导缓冲层损伤机理。仿真结果表明,缓冲层与铝护套紧密接触位置存在电流集中现象,电流密度峰值随不接触长度增加而增大,可达1×10^(3)A/m^(2)以上,造成的局部温升也随之增加。在缓冲层受潮时温升更为显著,当接触不良长度达到1或2m时,温升可超过47℃及155℃。试验测得铝电极与缓冲层接触位置不同烧蚀状态对应的特征温度,烧蚀起始温度约为165℃。最终,通过缓冲带材耐热性能测试及与前述结果的对应性分析,有效验证了实际电缆线路中发生缓冲层局部热烧蚀的可能性,对于优化电缆结构、提高故障预防与检测能力,保障电网安全稳定运行具有重要意义。 展开更多
关键词 阻水缓冲层 电流集中 局部温升 模拟烧蚀实验 电–热场分析
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高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计 被引量:6
9
作者 徐正文 曲轶 +2 位作者 王钰智 高婷 王鑫 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第4期1094-1098,共5页
设计了980 nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器,并在结构中插入电流阻挡层,有效地阻止载流子的泄露。用LASTIP软件对980 nm非对称宽波导量子阱激光器进行理论模拟,与传统的980 nm对称宽波导量子阱激光器相比,非对称宽波导量子阱... 设计了980 nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器,并在结构中插入电流阻挡层,有效地阻止载流子的泄露。用LASTIP软件对980 nm非对称宽波导量子阱激光器进行理论模拟,与传统的980 nm对称宽波导量子阱激光器相比,非对称宽波导量子阱激光器波导和量子阱之间有更小的能带差,非对称宽波导结构具有更低的阈值电流,更高的斜效率以及更低的阻抗,所以带有电流阻挡层的980nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器有更高的光电转换效率和输出功率。 展开更多
关键词 非对称宽波导 激光器 高功率 电流阻挡层
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电流阻挡层对大功率LED光电热特性的影响 被引量:1
10
作者 杨新 郭伟玲 +3 位作者 王嘉露 邓杰 邰建鹏 孙捷 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期368-372,共5页
LED芯片作为LED光源的核心,其质量直接决定了器件的性能、寿命等,因此在内量子效率已达到高水平的情况下,致力于提高光提取效率是推动LED芯片技术发展的关键一步。由于蓝宝石衬底具有绝缘特性,传统LED将N和P电极做在芯片出光面的同一侧... LED芯片作为LED光源的核心,其质量直接决定了器件的性能、寿命等,因此在内量子效率已达到高水平的情况下,致力于提高光提取效率是推动LED芯片技术发展的关键一步。由于蓝宝石衬底具有绝缘特性,传统LED将N和P电极做在芯片出光面的同一侧,而芯片出光面上的P电极焊盘金属会遮挡吸收其正下方发光区发出的大部分光而造成光损失,为改善这一现象并缓解P电极周围的电流拥挤效应,本文设计制备了在P电极正下方的氧化铟锡(ITO)透明导电层和p-GaN之间插入SiO 2薄膜作为电流阻挡层(CBL)的大功率LED,并与无CBL结构的大功率LED相比较。对未封装的有无CBL结构的LED在350 mA电流下进行正向偏压,辐射通量,主波长等裸芯性能测试,结果显示两种芯片的正向偏压均集中在3~3.1 V,而有CBL结构的LED光输出功率有明显提升,这是因为CBL阻挡了电流在P电极正下方的扩散,减少流向有源区的电流密度,故减小了P电极对光的吸收和遮挡,且电流通过CBL引导至远离P电极的区域,缓解了电极周围的电流拥挤。对两种芯片进行相同结构和工艺条件的封装,并对封装样品进行热特性及10~600 mA的变电流光电特性测试,得到两种器件的发光光谱及光功率等光学特性。结果表明随着电流增加,两种器件的光谱曲线均发生蓝移,且有CBL结构的LED主波长偏移量较无CBL结构LED少10 nm,可见有CBL结构的LED光谱受驱动电流变化的影响更小,因此其显色性能更为稳定。而在小电流条件下,CBL对器件光功率的影响不大,随着工作电流的增大,CBL对器件光功率的改善效果逐渐提升。在大电流条件下,无CBL结构的LED结温更高,正向电压更低,随电流的增大二者之间的电压差增大。在25℃的环境温度,350 mA工作电流下,加入CBL结构使器件电压升高约0.04 V,但器件光功率最高提升了9.96%,且热阻明显小于无CBL结构器件,说明有CBL结构LED产热更少。因此CBL结构大大提高了器件的光提取效率,并使其光谱漂移更小,显色性能更为稳定。 展开更多
关键词 大功率LED 电流阻挡层(cbl) 光功率 光谱 热阻
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电流阻挡层结构对垂直发光二极管芯片老化特性之研究 被引量:2
11
作者 梁兴华 夏德玲 +2 位作者 杨力勋 叶雪萍 李佳恩 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第7期53-55,共3页
发现ICP damage制作电流阻挡层的制程会导致垂直结构LED在老化过程中发生漏电。通过更换反射层的金属及EMMI&SEM分析,发现老化漏电的原因来源于反射金属——Ag的电迁移,迁移通道可能来源于ICP打开穿透位错的封口。在缺陷位错内填入... 发现ICP damage制作电流阻挡层的制程会导致垂直结构LED在老化过程中发生漏电。通过更换反射层的金属及EMMI&SEM分析,发现老化漏电的原因来源于反射金属——Ag的电迁移,迁移通道可能来源于ICP打开穿透位错的封口。在缺陷位错内填入低电迁移率金属并检测。结果表明,填入低电迁移率金属后既解决了老化漏电问题,同时不影响芯片的初始光电特性。 展开更多
关键词 发光二极管 垂直结构芯片 老化 漏电 电流阻挡层 反射金属
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具有反射电极的高亮度LED芯片设计 被引量:4
12
作者 陈才佳 李珅 +1 位作者 王静辉 李晓波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期361-364,共4页
根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率... 根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率高53.1%,电流阻挡层SiO2可以改进有源区的电流扩展,减小电流堆积效应,而Al作为反射镜可以降低电极对光的吸收,使其发光效率、光强分布、饱和特性曲线和发光角度明显优于常规电极结构。实验采用化学气相沉积(CVD)法配合电子束蒸发制备反射电极,芯片的光功率提高了5.6%,成功制备出高亮度LED芯片。 展开更多
关键词 电流阻挡层 Al反射镜 反射电极 化学气相沉积(CVD) 电子束蒸发
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Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer 被引量:2
13
作者 郭恩卿 刘志强 +2 位作者 汪炼成 伊晓燕 王国宏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期47-50,共4页
A GaN vertical light emitting diode(LED)with a current block layer(CBL)was investigated.Vertical LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL were fabricated.Optical and electrica... A GaN vertical light emitting diode(LED)with a current block layer(CBL)was investigated.Vertical LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL were fabricated.Optical and electrical tests were carried out.The results show that the light output power of vertical LEDs with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL are 40.6%and 60.7%higher than that of vertical LEDs without a CBL at 350 mA,respectively.The efficiencies of vertical LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL drop to 72%,78%and 85.5%of their maximum efficiency at 350 mA,respectively. Moreover,vertical LEDs with a non-ohmic contact CBL have relatively superior anti-electrostatic ability. 展开更多
关键词 current block layer efficiency drop vertical LED non-ohmic contact
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高压MnO2钽电容器的漏电流稳定性研究 被引量:2
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作者 田东斌 胡鑫利 +1 位作者 熊远根 刘兵 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第12期22-26,共5页
高压MnO2钽电容器燃烧的失效模式给高稳定、高可靠电子电路安全使用带来很大的隐患,介质氧化膜的晶化和其中的氧空位跃迁是导致漏电流增长的主要因素。涂覆绝缘树脂阻挡层在电介质表面,既可屏蔽表面晶化点,提高界面的势垒,又能降低电介... 高压MnO2钽电容器燃烧的失效模式给高稳定、高可靠电子电路安全使用带来很大的隐患,介质氧化膜的晶化和其中的氧空位跃迁是导致漏电流增长的主要因素。涂覆绝缘树脂阻挡层在电介质表面,既可屏蔽表面晶化点,提高界面的势垒,又能降低电介质在被覆MnO2过程中的劣化。通过2倍额定电压和125℃环境条件V-I和T-I特性测试,揭示了温度和电压对极端条件下漏电流的作用机理,调整漏电流动力学公式中的欧姆和Poole-Frenkel电导率,高压MnO2钽电容器的正向V-I特性曲线与理论较好地吻合。该技术方法为高压MnO2型钽电容器在严酷环境中的安全使用提供支撑。 展开更多
关键词 高压 阻挡层 MnO2钽电容器 漏电流 稳定性
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新型AlGaInP系发光二极管饱和特性与寿命的研究 被引量:2
15
作者 马莉 沈光地 +4 位作者 陈依新 蒋文静 郭伟玲 徐晨 高志远 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期370-375,共6页
针对AlGaInP系发光二极管(LED)电极阻挡出光、衬底吸收、全反射角小导致器件出光效率低、热积累大、饱和特性差等问题,提出了一种具有复合电流输运增透窗口层、复合DBR反射镜和电流阻挡层结构的新型LED,并测试了其饱和特性和寿命.电流... 针对AlGaInP系发光二极管(LED)电极阻挡出光、衬底吸收、全反射角小导致器件出光效率低、热积累大、饱和特性差等问题,提出了一种具有复合电流输运增透窗口层、复合DBR反射镜和电流阻挡层结构的新型LED,并测试了其饱和特性和寿命.电流分布模拟显示:新型LED电极下仅存在极小的无效电流;实验结果表明新型LED出光效率高,饱和电流大,饱和电流时光强约为常规LED的3倍,光电性能明显提升.器件饱和特性和老化实验研究显示:新型LED寿命长达17.8×104h,器件内部发热量低,具有高饱和特性和高可靠性,适合在大电流大功率下工作. 展开更多
关键词 电流阻挡层 饱和特性 寿命
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加入激子阻挡层增强白色有机发光器件效率 被引量:10
16
作者 曹进 委福祥 +4 位作者 张晓波 蒋雪茵 张志林 朱文清 许少鸿 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1171-1174,共4页
通过在发光层(EBL)与电子注入层之间增加激子阻挡层(EBL)制备了新型白色有机发光器件(WOLED)。有EBL的新型器件效率和亮度均比传统结构器件高50%,在电流密度为4 mA/cm2时效率达到3.42 cd/A,最大亮度为11 000 cd/m2(16 V),色坐标为x=0.34... 通过在发光层(EBL)与电子注入层之间增加激子阻挡层(EBL)制备了新型白色有机发光器件(WOLED)。有EBL的新型器件效率和亮度均比传统结构器件高50%,在电流密度为4 mA/cm2时效率达到3.42 cd/A,最大亮度为11 000 cd/m2(16 V),色坐标为x=0.34、y=0.36;而具有相同EBL厚度的传统结构器件,在电流密度为4 mA/cm2时效率为2.15 cd/A,最大亮度为6 259 cd/m2(16 V)。效率的提高是由于EBL的限制作用而提高了激子浓度。测量了器件的效率与电流密度关系,随电流密度增加电流效率的衰减缓慢,说明短寿命红色搀杂剂的激子-激子湮灭很弱。 展开更多
关键词 白色有机发光器件(WOLED) 激子阻挡层(EBL) 弱荧光电流湮灭
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基于Firpic发光的高效率蓝色有机发光器件 被引量:1
17
作者 王广德 刘铁功 +5 位作者 张刚 赵雷 姜文龙 李同 张天瑜 谢文法 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1283-1285,共3页
为了充分利用发光层中主客体间的能量转移和空穴阻挡层(HBL)的空穴阻挡作用,制作了结构为ITO/m-MTDATA(25 nm)/NPB(15 nm)/Ir(ppz)3(10 nm)/Simcp:Firpic(30 nm,6%)/HBL(35 nm)/LiF(1 nm)/Al(200 nm)的高效率蓝光器件,研究了3种类型的HB... 为了充分利用发光层中主客体间的能量转移和空穴阻挡层(HBL)的空穴阻挡作用,制作了结构为ITO/m-MTDATA(25 nm)/NPB(15 nm)/Ir(ppz)3(10 nm)/Simcp:Firpic(30 nm,6%)/HBL(35 nm)/LiF(1 nm)/Al(200 nm)的高效率蓝光器件,研究了3种类型的HBL对蓝光器件电流效率的影响。结果表明,HOMO能级较低的BCP是性能最好的空穴阻挡材料,以其为HBL,当厚度为35 nm时,8 V电压下器件的最大电流效率达到14.57 cd/A。 展开更多
关键词 电流效率 HOMO能级 空穴阻挡层(HBL)
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量子点敏化太阳能电池的结构优化及性能分析 被引量:5
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作者 宋孝辉 汪敏强 +1 位作者 邓建平 杨智 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第30期3052-3061,共10页
目前,液态量子点敏化太阳能电池的转换效率虽然已达到6.5%,但距其理论最高转换效率44%还有很大的差距,因此还需要对电池结构和材料工艺进一步优化来提高其光电转换性能.本文通过溶胶-凝胶法在FTO导电玻璃基底与多孔TiO2纳米晶电极之间... 目前,液态量子点敏化太阳能电池的转换效率虽然已达到6.5%,但距其理论最高转换效率44%还有很大的差距,因此还需要对电池结构和材料工艺进一步优化来提高其光电转换性能.本文通过溶胶-凝胶法在FTO导电玻璃基底与多孔TiO2纳米晶电极之间制备了一层致密的TiO2薄膜,以此作为阻挡层来阻止FTO与电解液的直接接触,抑制传输到FTO中的光生电子与多硫电解液中Sx2离子的复合.分别采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM),原子力显微镜(AFM)和紫外-可见吸收光谱(UV-vis)对TiO2阻挡层薄膜的结构、形貌和光学特性进行了表征.结果表明:该薄膜主要呈锐钛矿结构,表面平整致密,在可见光波段透过率良好.通过对有/无TiO2阻挡层的电池性能对比发现,阻挡层的引入使电池的短路电流、开路电压和光电转换效率分别提高了47.2%,4.2%和34.8%.同时,本文研究了阻挡层厚度对电池光电性能的影响,发现随着厚度的增加电池的转换效率下降,这是由于TiO2阻挡层厚度的增加导致光阳极透过率降低;同时TiO2阻挡层本身的电阻增大,影响了多孔TiO2电极与FTO基底之间的电子传输. 展开更多
关键词 量子点敏化 太阳能电池 阻挡层 溶胶-凝胶 TIO2薄膜 复合电流
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