化学水浴法制备CuxS薄膜

CuInS2薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳电池材料.为了用化学水浴法制备CuIn岛薄膜,该文研究了化学水浴法制备CuxS薄膜,用SEM、XRD、EDX分别研究了薄膜的形貌、结构和组分,并且对薄膜的光学性质进行了讨论.

二次蒸发制备的Cu_xS薄膜结构与特性研究

在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备CuxS薄膜。硫在衬底温度160℃～200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应，生成CuxS薄膜。实验发现，生成的CuxS薄膜与衬底温度有很大关系，160℃时生成的CuxS呈黄绿色，而在190℃左右生成的多晶状的CuxS薄膜，颜色为深绿色。通过XRD、SEM、TS等方法对样品的组织结构进行了研究和探讨。

低能离子注入对Cu_xS薄膜组分的影响

采用N^+离子注入的方法 ,对气—固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂 ,研究了N+离子注入能量和剂量对Cu_xS薄膜组分的影响。结果表明 ,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例 ,使薄膜组分更接近于富铜型 ,样品的X射线衍射图谱和透射光谱研究进一步证实了这种结构转变的存在。

电沉积法制备Cu_xS薄膜及其性质研究

利用电沉积的方法制备CuxS薄膜,研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842)。当用Na2S2O3作为硫源的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842),当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102)。随着热处理温度的提高,薄膜的结晶程度有了很大的提高,晶粒有了明显的长大,不同温度的热处理证实了CuxS薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的。

由离子注入引起的Cu_xS薄膜的状态变化

讨论了 Cux S薄膜注入氮离子对薄膜特性的影响。铜硫化合物薄膜经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现 ,氮离子束注入引起了 Cux S薄膜中铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。透射光谱分析对比证实确有新的 Cux S状态出现。

离子注入对Cu_xS薄膜的影响

讨论了CuxS薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响 ,铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现氮离子束注入引起了CuxS薄膜中的铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。经过透射光谱的分析对比证实了确有新的CuxS状态出现。

RF磁控溅射工艺对TiNi_(1-x)Cu_x合金薄膜组织形貌的影响

采用RF磁控溅射技术制备了TiNi(1-x)Cux合金薄膜,利用扫描电镜、电子能谱仪和XRD技术分析研究了RF磁控溅射工艺对TiNi(1-x)Cux合金薄膜组织形貌的影响规律.结果表明:在基片不加热的条件下溅射薄膜组织结构为非晶,并呈柱状形貌垂直于基片生长;经650～720℃,3 min退火处理后,薄膜均发生晶化转变;在他它条件相同的情况下,溅射功率和工作气压对薄膜组织形貌有很大影响;薄膜的柱状单胞直径、薄膜厚度和生长速度均随溅射功率的增长而增长,但当溅射功率一定时,工作气压增加使柱状单胞直径、薄膜厚度和薄膜的生长速率显著减小;RF磁控溅射过程中,沉积原子的活性及其沉积速率是影响薄膜组织形貌的主要原因.

二次蒸发制备的CU_xS薄膜特性研究

在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备ＣｕｘＳ薄膜．硫在衬底温度为ｌ６０℃～２００℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应，生成ＣｕｘＳ薄膜．实验发现，生成的ＣｕｘＳ薄膜与衬底温度有很大关系，１６０℃时生成的ＣｕｘＳ呈黄绿色，而在１９０℃左右生成的多晶状的ＣｕｘＳ膜，颜色为深绿色．通过ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＳ等方法对样品的组织结构进行了研究和讨论．

离子注入对Cu_xS薄膜特性的影响

讨论了ＣｕｘＳ薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响，铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上．实验发现氮离子束注入引起了ＣｕｘＳ薄膜中的铜与硫成分的改变，很明显的观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大．

Modification of the Properties of Cu_x S Thin Films by Low Energy Ion Beam Implantation

Cu x S thin films are implanted by low energy N + ion beam. The influences of the energy and dose of N + ion implantation on Cu x S films are investigated. The results show that the ratio of copper to sulfur is increased to some extent, the constituents of the film are turned to rich copper phase from rich sulfurous phase after ion beam irradiation. X-ray diffraction spectrum and optical transmission spectra of sample have confirmed the results.

Cu_x(Al_2O_3)_(1-x)颗粒膜的巨霍耳效应研究

在由磁性金属颗粒镶嵌在非磁金属或绝缘基体中而形成的两相非均匀颗粒系统中 ,当磁性金属的体积百分含量处于临界值时 ,体系的输运行为有许多奇异的现象。相继在在磁性金属 非磁金属和磁性金属 绝缘体系统中发现了巨磁电阻效应和隧道磁电阻效应 ;特别的在磁性金属 绝缘体系统中发现了反常霍耳效应的极大增强 ,称为巨霍耳效应。为了探讨颗粒体系的巨霍耳效应的机制 ,本文用离子束共溅射的方法制备了大约 1.5× 10 - 7m厚度的Cux(Al2 O3) 1 -x颗粒薄膜 ,研究了非磁金属 绝缘体体系 :Cu Al2 O3颗粒系统的巨霍耳效应 ,发现在量子渗流阈值时 ,霍耳电阻比正常金属高 2个数量级。