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Study Coefficient and Optical Application of KCI Single Crystal with Sn Impurity Growth on Czochralski Method under Visible Radiation
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作者 Feridoun Samavat Ebrahim Haji Ali Somayeh Solgi 《材料科学与工程(中英文A版)》 2012年第12期799-802,共4页
关键词 可见光辐射 光学系数 杂质 SN 提拉法 系数和 晶体生长 单晶
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硅酸钛钡高温压电晶体及其传感器件研究进展
2
作者 李亚楠 彭向康 +2 位作者 姜超 赵显 于法鹏 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1-10,共10页
压电材料作为重要的功能材料,由其制备的结构健康检测器件已被广泛应用于国民经济的诸多领域。随着现代工业技术特别是航空航天、核电能源和智能制造等的发展,各类高温工况环境对压电材料的性能提出了更高的要求,因此研制综合性能优异... 压电材料作为重要的功能材料,由其制备的结构健康检测器件已被广泛应用于国民经济的诸多领域。随着现代工业技术特别是航空航天、核电能源和智能制造等的发展,各类高温工况环境对压电材料的性能提出了更高的要求,因此研制综合性能优异的高温压电材料并将其应用到具有更高服役温度的传感器件中受到了研究者的广泛关注。硅酸钛钡(Ba_(2)TiSi_(2)O_(8),BTS)晶体具有较高的电阻率、较低的介电损耗和优良的压电性能,是一种具有良好应用前景的高温压电单晶材料。本文主要介绍了BTS晶体的提拉法生长制备工艺、单晶电弹性能表征、材料相变调控以及采用该晶体为核心元件研制的声表面波传感器和高温振动传感器的研究进展,最后对新型高温压电晶体及其传感器件的研发进行了总结和展望。 展开更多
关键词 硅酸钛钡晶体 提拉法 晶体生长 相变调控 高温压电传感器
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含镓石榴石系列大晶格常数磁光衬底单晶研究进展
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作者 李泓沅 孙敦陆 +3 位作者 张会丽 罗建乔 权聪 程毛杰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第10期1657-1668,共12页
近年来,光通信技术与集成电子器件飞速发展,以稀土铁石榴石(RIG)为代表的磁光薄膜被视为应用于近红外通信窗口最具潜力的磁光材料。为了尽量减小磁光薄膜在制备过程中相关性能受到的影响,衬底材料的选择成为关键。制备RIG磁光薄膜通常采... 近年来,光通信技术与集成电子器件飞速发展,以稀土铁石榴石(RIG)为代表的磁光薄膜被视为应用于近红外通信窗口最具潜力的磁光材料。为了尽量减小磁光薄膜在制备过程中相关性能受到的影响,衬底材料的选择成为关键。制备RIG磁光薄膜通常采用Si类及石榴石氧化物类作为衬底材料。RIG磁光薄膜的晶格常数一般在12.4左右,含镓类石榴石氧化物单晶衬底基片与其晶格常数相近,具有大晶格常数特性,是其合适的衬底材料之一。但是,由于原料氧化镓高温易挥发,使含镓类石榴石单晶制备成为一直以来关注和讨论的热点。深入研究含镓类石榴石衬底单晶有望促进新一代磁光器件的发展。本文综述了在含镓类石榴石系列单晶中,氧化物磁光衬底单晶的研究进展,总结了本团队在该类晶体生长、晶体结构、关键参数等方面的研究工作,展望了该类晶体的研究发展趋势。 展开更多
关键词 晶体生长 磁光衬底 含镓石榴石晶体 提拉法 晶格常数
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Growth and characterization of ferroelectric Tb_2(MoO_4)_3 crystal
4
作者 徐民 于永贵 +1 位作者 张怀金 王继扬 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第2期192-195,共4页
By using Tb407 and MoO3 as starting materials, ferroelectric Tb2(MoO4)3 crystal was grown by the Czochralski method. The as-grown crystal was pale green color, transparent and crack-free. X-ray powder diffraction (... By using Tb407 and MoO3 as starting materials, ferroelectric Tb2(MoO4)3 crystal was grown by the Czochralski method. The as-grown crystal was pale green color, transparent and crack-free. X-ray powder diffraction (XRPD), transmission spectrum, dielectric constant and polarization-electric field (P-E) hysteresis loop measurements were performed to characterize the crystal. The XRPD confirmed the as-grown crystal to be Tb2(MoO4)3. The transmission spectrum of the crystal showed that its transmittance in the entire visible and most near-infrared region was more than 70% except for an absorption peak around 486 nm. Obvious dielectric anomaly could be observed at low frequencies with increasing temperature through the dielectric constant measurement and the Curie temperature of Tb2(MoO4)3 crystal was determined to be 162.3℃ The unsaturated P-E hysteresis loops indicated that it was difficult for the ferroelectric domains in Tb2(MoO4)3 crystal to array regularly with repeated switching of the electric field. 展开更多
关键词 Tb2(MoO4)3 single crystal czochralski growth CHARACTERIZATION rare earths
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Computational Study of Induction Heating Process in Crystal Growth Systems—The Role of Input Current Shape
5
作者 Mohammad Hossein Tavakoli Tayebe Nadery Mostagir 《Crystal Structure Theory and Applications》 2012年第3期114-120,共7页
A set of 2D steady state finite element numerical simulations of electromagnetic fields and heating distribution for an oxide Czochralski crystal growth system was carried out for different input current shapes (sine,... A set of 2D steady state finite element numerical simulations of electromagnetic fields and heating distribution for an oxide Czochralski crystal growth system was carried out for different input current shapes (sine, square, triangle and sawtooth waveforms) of the induction coil. Comparison between the results presented here demonstrates the importance of input current shape on the electromagnetic field distribution, coil efficiency, and intensity and structure of generated power in the growth setup. 展开更多
关键词 A1. Computer Simulation A1. Induction Heating A2. czochralski Method A2. growth from MELT B1. Metals
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Growth of KCl<sub>1–x</sub>Br<sub>x </sub>Mixed Crystals with Different Composition Percent and Study of KBr Concentration Effect on Optical Characteristics of Mixed Crystals
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作者 Feridoun Samavat Ebrahim Haji-Ali +1 位作者 Sajad Shahmaleki Somayeh Solgi 《Advances in Materials Physics and Chemistry》 2012年第2期85-89,共5页
In the present research, mixed crystals KCl1–xBrx (x = 0.1, 0.3, 0.5, 0.7 & 0.9) were grown by Czochralski method. Then some analysis such as chemical etching, XRD, and absorbing spectrum were established on the ... In the present research, mixed crystals KCl1–xBrx (x = 0.1, 0.3, 0.5, 0.7 & 0.9) were grown by Czochralski method. Then some analysis such as chemical etching, XRD, and absorbing spectrum were established on the irradiated crystals by γ-ray. The results of this research show that configuration of defects in mixed crystals in contrast with pure crystals is different. Somehow that type and percentage of cumulative composition cause to changing in lattice parameter and lattice defect density in alkali halide crystals and finally change optical properties of crystal. 展开更多
关键词 Alkali Halide CRYSTAL growth czochralski Seed Mixed CRYSTAL Etching Color Center Lattice Defect X-Ray Diffraction Absorbing Spectrum
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Analysis of μ-Czochralski Technique Using Two-Dimensional Crystallization Simulator
7
作者 Kuniaki Matsuki Ryusuke Saito +2 位作者 Shuji Tsukamoto Mutsumi Kimura Ryoichi Ishihara 《Journal of Crystallization Process and Technology》 2012年第1期12-15,共4页
μ-Czochralski technique has been analyzed using two-dimensional crystallization simulator. It is observed that the temperature is relatively uniform in the entire Si region after the laser irradiation because the hea... μ-Czochralski technique has been analyzed using two-dimensional crystallization simulator. It is observed that the temperature is relatively uniform in the entire Si region after the laser irradiation because the heat conductivity of the Si region is much higher than that of the underneath SiO2. Grain growth advances from the grain filter to the channel region and continues until it collides with what advances from random nucleation in the channel region. When the initial temperature is high, the random nucleation rarely occurs even under the supercooling condition, and the grain size becomes large. Moreover, it is qualitatively reproduced that the grain size increases as the irradiated energy of the laser irradiation increases. 展开更多
关键词 μ-czochralski Technique Two DIMENSIONAL CRYSTALLIZATION SIMULATOR GRAIN growth GRAIN Filter GRAIN SIZE
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提拉法生长平肩同成分铌酸锂晶体的研究
8
作者 秦娟 梁丹丹 +5 位作者 孙军 杨金凤 郝永鑫 李清连 张玲 许京军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期978-986,共9页
提拉法生长的晶体肩部形状普遍为斜肩,但斜肩的肩部质量差且加工难度大,会降低晶体的利用率,生长平肩晶体可以解决该问题。然而,平肩晶体对热场和扩肩工艺要求非常高,扩肩阶段易出现多晶和包裹体缺陷。铌酸锂晶体作为一种多功能晶体材料... 提拉法生长的晶体肩部形状普遍为斜肩,但斜肩的肩部质量差且加工难度大,会降低晶体的利用率,生长平肩晶体可以解决该问题。然而,平肩晶体对热场和扩肩工艺要求非常高,扩肩阶段易出现多晶和包裹体缺陷。铌酸锂晶体作为一种多功能晶体材料,在电子技术、光通信技术、激光技术及集成光子学技术等领域得到了广泛应用。本研究以同成分铌酸锂晶体为例,利用数值模拟和实验方法,研究了提拉法生长平肩晶体的热场和扩肩工艺。结果表明:提拉法生长平肩晶体时,放肩阶段结晶前沿的界面形状需保持微凸;反射屏降低(10 mm)可减小结晶前沿的温度梯度,避免肩部生成多晶;扩肩速度以监控为主,微调加热功率保证扩肩趋势,适当增大扩肩初期(ϕ≤30 mm)的速度,降低中后期(ϕ≥35 mm)的扩肩速度,可达到不产生包裹体和缩短放肩周期的目的;采用小幅度(Δt=10 min)微调拉速(Δv=0.2 mm/h)和功率的策略,可实现拉速(0~1.5 mm/h)的快速变化(1.5~2 h)而不影响晶体扩肩趋势和质量。使用优化后的热场和扩肩工艺,获得了系列三英寸平肩同成分铌酸锂晶体,晶体光学均匀性良好。 展开更多
关键词 铌酸锂 热场设计 平肩晶体 提拉法 晶体生长
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基于ISOMAP-DE-SVM的Cz单晶硅等径阶段掉苞预测 被引量:1
9
作者 侯少华 张宏帅 +2 位作者 姜宝柱 朱宾宾 田增国 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期25-33,55,共10页
针对目测法无法及时发现直拉单晶硅在等径生长阶段发生的掉苞问题,本文提出一种基于ISOMAP-DE-SVM的掉苞预测模型,可以在掉苞现象发生之前发出警告。首先剔除方差较小的参数,采用斯皮尔曼相关系数法剔除冗余参数,采用最大互信息法检验... 针对目测法无法及时发现直拉单晶硅在等径生长阶段发生的掉苞问题,本文提出一种基于ISOMAP-DE-SVM的掉苞预测模型,可以在掉苞现象发生之前发出警告。首先剔除方差较小的参数,采用斯皮尔曼相关系数法剔除冗余参数,采用最大互信息法检验剩余参数的非线性相关性;然后将关键参数的均值和标准差作为等度量映射和多维放缩的输入,得到两份样本数据;最后将这两份样本数据分别输入到经过差分算法、遗传算法优化的支持向量机预测模型,得到4份预测结果。预测结果表明:基于ISOMAP-DE-SVM的预测模型具有收敛速度快、准确度高的特点,平均预测准确率可以达到96%;同时,所使用的方法揭示了单晶硅等径阶段的数据具有非线性特点。通过实际应用验证表明模型具有一定的工程实用价值。 展开更多
关键词 直拉法 单晶硅 等径生长 支持向量机 等度量映射 掉苞 预测
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新型(Sr_(0.5)Ca_(0.5))_(3)Ta(Ga_(0.5)Al_(0.5))_(3)Si_(2)O_(14)高温压电晶体的生长及性能表征
10
作者 赵桂媛 刘蕾 +2 位作者 尹芳艺 朱孟花 付秀伟 《铸造技术》 CAS 2023年第5期400-404,共5页
硅酸镓镧系列晶体因具有较高电阻率和优异的压电性能被认为是高温传感器应用的优选材料。本文在国际上首次采用提拉法成功生长了新型(Sr_(0.5)Ca_(0.5))_(3)Ta(Ga_(0.5)Al_(0.5))_(3)Si_(2)O_(14)(SCTGAS)高温压电晶体,并研究了离子取... 硅酸镓镧系列晶体因具有较高电阻率和优异的压电性能被认为是高温传感器应用的优选材料。本文在国际上首次采用提拉法成功生长了新型(Sr_(0.5)Ca_(0.5))_(3)Ta(Ga_(0.5)Al_(0.5))_(3)Si_(2)O_(14)(SCTGAS)高温压电晶体,并研究了离子取代对晶体生长及电学性能的影响。生长的SCTGAS晶体无色,结晶质量较好,呈现出板面生长形态,在可见光波段具有较高的透过性。在450℃测试温度下,该晶体的电阻率仍高于109Ω·cm。此外,Sr取代能够显著增强晶体的高温压电系数d11,550℃时该值达到5.55 pC/N。因此,SCTGAS晶体在高温压电传感器领域展现出良好的应用潜力。 展开更多
关键词 硅酸镓镧 高温压电 压电系数 提拉法 晶体生长
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大尺寸Tm∶YAP复合激光晶体的生长与性能研究
11
作者 李兴旺 韩剑锋 +4 位作者 芦佳 邢晓文 王永国 魏磊 徐学珍 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第7期1236-1242,共7页
采用感应加热提拉法,通过改进热场、更换原料、二次熔接生长,直接生长出了直径大于40 mm的Tm∶YAP/YAP复合晶体毛坯。复合晶坯等径部分YAP段长21 mm,Tm∶YAP段长44 mm,晶坯外观完整,具有良好的光学均匀性和均匀的应力分布。绿光激光和He... 采用感应加热提拉法,通过改进热场、更换原料、二次熔接生长,直接生长出了直径大于40 mm的Tm∶YAP/YAP复合晶体毛坯。复合晶坯等径部分YAP段长21 mm,Tm∶YAP段长44 mm,晶坯外观完整,具有良好的光学均匀性和均匀的应力分布。绿光激光和He-Ne激光照射下,晶坯复合界面无散射、无气泡。复合界面两侧干涉条纹基本连续,透过波前差异小。从复合晶坯上加工出了直径5 mm、总长30 mm、端头不掺杂YAP晶体长4 mm的单端Tm∶YAP复合晶体元件,其光学质量优异。在1940 nm固体激光器上采用激光二极管单端泵浦进行了激光性能测试,在泵浦注入功率为117.7 W条件下实现了42.8 W激光输出,输出功率、转换效率和光斑质量均优于非复合激光晶体。 展开更多
关键词 掺铥铝酸钇 复合激光晶体 直接生长 提拉法 干涉条纹 激光
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提拉法生长钆镓石榴石(GGG)晶体 被引量:6
12
作者 陶德节 邾根祥 +3 位作者 闫如顺 刘福云 郭行安 殷绍唐 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期550-552,共3页
用提拉法生长出了优质的钆镓石榴石(Gd3Ga5O12)晶体,晶体尺寸达φ35 × 70mm。详细描述 了晶体生长工艺过程,讨论了生长气氛对及坩埚形状对晶体生长的影响。
关键词 提拉法 GGG晶体 固液界面 钆镓石榴石晶体 晶体生长
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高温闪烁晶体Ce∶YAP的生长研究 被引量:9
13
作者 李涛 赵广军 +3 位作者 何晓明 徐军 潘守夔 徐月泉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期85-89,共5页
Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能 ,其主要特点是光产额大 ,衰减时间短 ,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配 ,在γ射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶YAP晶体 ,成功地解决了在生长过程中... Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能 ,其主要特点是光产额大 ,衰减时间短 ,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配 ,在γ射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶YAP晶体 ,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及孪晶问题 ,并对晶体生长过程中的爬料、纯YAP晶体着色等现象作了讨论。X射线激发发射谱表明晶体的发射峰在 388nm ,吸收测试则显示晶体在 2 5 4nm、36 展开更多
关键词 高温闪烁晶体 CE:YAP 提拉法晶体生长 X射线激发发射谱 吸收谱 铈掺杂
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采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长 被引量:4
14
作者 宇慧平 隋允康 +1 位作者 张峰翊 王学锋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期648-656,共9页
为了数值模拟提拉(又名Czochralski)法获得单晶体的生长过程,本文采用有限容积法离散控制方程,采用非均匀的交错网格避免不合理的振荡压力场,采用三阶精度QUICK(Quadratic Upwind Interpolation of Convective Kinematics)格式离散对流... 为了数值模拟提拉(又名Czochralski)法获得单晶体的生长过程,本文采用有限容积法离散控制方程,采用非均匀的交错网格避免不合理的振荡压力场,采用三阶精度QUICK(Quadratic Upwind Interpolation of Convective Kinematics)格式离散对流项,采用延时修正来实施QUICK格式获得满足主对角占优的代数方程组,采用SIMPLE(Semi-implicit Method for Pressure Linked Equations)算法耦合压力和速度场,给出了基于上述方法的方程、算法,并发展了程序,计算了Wheeler标准问题,计算结果与文献相当一致,同时本算法能模拟计算高葛拉晓夫数时的流动,显示出非均匀网格QUICK格式模拟晶体生长的优越性;另外本文将这一算法运用到单晶硅的数值模拟中,计算结果令人满意。 展开更多
关键词 QUICK格式 提拉法 单晶体 晶体生长 延时修正法 数值模拟
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Tm∶YAG晶体的生长及吸收特性 被引量:9
15
作者 宋平新 赵志伟 +3 位作者 徐晓东 姜本学 邓佩珍 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期376-379,共4页
采用提拉法生长出三种掺Tm3 + 浓度的Tm∶YAG晶体。运用ICP AES测定Tm3 + 离子在Tm∶YAG晶体中的分凝系数约为 1。室温下测定了Tm∶YAG晶体在 190~ 90 0nm之间的吸收光谱及 10 0 0~ 4 5 0 0cm-1范围内退火前后的红外吸收谱。测试结果... 采用提拉法生长出三种掺Tm3 + 浓度的Tm∶YAG晶体。运用ICP AES测定Tm3 + 离子在Tm∶YAG晶体中的分凝系数约为 1。室温下测定了Tm∶YAG晶体在 190~ 90 0nm之间的吸收光谱及 10 0 0~ 4 5 0 0cm-1范围内退火前后的红外吸收谱。测试结果表明 ,退火后 336 5cm-1处OH-1离子的吸收峰完全消失。说明在空气气氛下对Tm∶YAG晶体进行退火处理改善了晶体的性能。 展开更多
关键词 Tm: YAG晶体 生长工艺 提拉法 分凝系数 吸收光谱 ICP-AES 红外可调谐激光晶体
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Yb^(3+)/Tm^(3+)∶KLa(MoO_4)_2激光晶体的生长与光谱特性研究 被引量:2
16
作者 李安明 付乔克 +3 位作者 陈振强 张俊 王春浩 吴聪聪 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期535-538,共4页
采用顶部籽晶提拉法生长出了Yb3+/Tm3+∶KLa(MoO4)2双掺杂激光晶体,单晶体尺寸达到15 mm×27mm。测试并分析了室温下的吸收光谱,计算出了各跃迁能级对应的吸收截面。利用J-O理论计算出了Yb3+/Tm3+∶KLa(MoO4)2中Tm3+掺杂离子的J-... 采用顶部籽晶提拉法生长出了Yb3+/Tm3+∶KLa(MoO4)2双掺杂激光晶体,单晶体尺寸达到15 mm×27mm。测试并分析了室温下的吸收光谱,计算出了各跃迁能级对应的吸收截面。利用J-O理论计算出了Yb3+/Tm3+∶KLa(MoO4)2中Tm3+掺杂离子的J-O强度参数。 展开更多
关键词 Yb3+/Tm3+ KLa(MoO4)2 提拉法 光谱特性
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钼酸铅单晶生长及其缺陷研究 被引量:3
17
作者 陈龙 桑文斌 +1 位作者 闵嘉华 郭昀 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期301-305,共5页
本文通过CZ法生长钼酸铅单晶,讨论了温度梯度、拉速、转速等生长参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理,并从晶体形态、包裹体和位错密度变化方面探讨了晶体生长参数与晶体缺陷之间的内... 本文通过CZ法生长钼酸铅单晶,讨论了温度梯度、拉速、转速等生长参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理,并从晶体形态、包裹体和位错密度变化方面探讨了晶体生长参数与晶体缺陷之间的内在关系,从而优化温度梯度等生长参数.温度梯度为20~25℃/cm,晶体转速为28r/min,拉速为1.6mm/h时,生长出的晶体形态完整,无开裂现象,晶体中无气泡包裹体,位错密度明显减小,晶体尺寸达φ40mm×70mm,无散射颗粒,在波长0.42~5.5μm范围内,平均透光率为72.6%. 展开更多
关键词 钼酸铅单晶体 生长工艺 晶体缺陷 提拉法 透光率 波长
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Nd:Gd_xY_(1-x)Ca_4O(BO_3)_3晶体的生长及其光谱性能研究 被引量:2
18
作者 周娟 罗军 +2 位作者 钟真武 华王祥 范世 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期427-432,共6页
利用熔体提拉法生长了大尺寸,高质量的新型激光自信频晶体Nd:GdxY1-xCa4O(BO3)3简称Nd:GdYCOB).对Nd:GdYCOB晶体的XRD衍射图进行指标化,得到它的晶胞参数为α=8.080A; b=16... 利用熔体提拉法生长了大尺寸,高质量的新型激光自信频晶体Nd:GdxY1-xCa4O(BO3)3简称Nd:GdYCOB).对Nd:GdYCOB晶体的XRD衍射图进行指标化,得到它的晶胞参数为α=8.080A; b=16.016A; c=3.538A; β=101.18°;μ=491.1A3.对取自不同部位的晶体粉末进行ICP原子发射光谱分析表明晶体整体组份均匀一致,根据熔体和晶体粉末的ICP数据计算,Nd:GdYCOB晶体中Nd3+的分凝系数为0.63.首次报道了 Nd:GdYCOB晶体200~3000nm室温透过光谱和室温荧光光谱及荧光寿命.室温透过光谱表明Nd:GdYCOB晶体的紫外吸收边在~220nm,具有很宽的透光波段(~220~2700nm); Nd:GdYCOB晶体在800nm附近存在很强的吸收,适合于LD泵浦.荧光光谱表明Nd:GdYCOB晶体是一种很有潜力的RGB(red;green, blue)激光自信频晶体.掺杂 4%、 5% Nd:GdYCOB晶体的荧光寿命分别为 105μs和100μs. 展开更多
关键词 Nd:GdxY1-xCa4O(BO3)3晶体 激光自倍频晶体 提拉法生长 光谱
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Nd:Gd_3Ga_5O_(12)多晶原料合成及单晶生长研究 被引量:10
19
作者 孙晶 刘景和 +4 位作者 关效贤 李建利 曾繁明 万玉春 张亮 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期585-589,共5页
通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd∶Gd... 通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd∶Gd3Ga5O12(Nd∶GGG)多晶原料。用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd∶GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061 54nm。对晶体表面的开裂现象进行了分析。 展开更多
关键词 掺钕钆镓石榴石晶体 原料挥发 激光晶体 提拉法 晶体生长
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Ce∶LuAlO_3晶体的热稳定性研究 被引量:5
20
作者 丁栋舟 任国浩 +2 位作者 陆晟 李焕英 秦来顺 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期261-265,共5页
铈掺杂铝酸镥(Ce∶LuAlO_3)晶体是一种具有钙钛矿结构的新型无机闪烁体。用提拉法试图从n(Lu2O3)∶n(Al2O3)=1∶1的熔体中生长Ce∶LuAl O3晶体。实验表明在缓慢结晶条件下得到的不是Ce∶LuAlO_3晶体,而是镥铝石榴石[Lu3Al2(Al O4)3]。... 铈掺杂铝酸镥(Ce∶LuAlO_3)晶体是一种具有钙钛矿结构的新型无机闪烁体。用提拉法试图从n(Lu2O3)∶n(Al2O3)=1∶1的熔体中生长Ce∶LuAl O3晶体。实验表明在缓慢结晶条件下得到的不是Ce∶LuAlO_3晶体,而是镥铝石榴石[Lu3Al2(Al O4)3]。只有急速降温才能够获得Ce∶LuAl O3晶体。退火和差热分析表明Ce∶LuAl O3晶体只存在于高温条件下,当温度下降时,它会分解成Lu3Al2(Al O4)3,Lu4Al2O9和Lu2O3。造成LuAl O3晶体在低温下结构不稳定的原因是Lu离子的半径太小,它只适应于配位数是8的石榴石结构,只有在高温下才能适应配位数是12的钙钛矿结构。 展开更多
关键词 铝酸镥晶体 提拉法晶体生长 热稳定性 配位多面体 闪烁晶体
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