3-D MCM封装技术及其应用

介绍了超大规模集成电路(VLSI)用的3-DMCM封装技术的最新发展,重点介绍了3-DMCM封装垂直互连工艺,分析了3-DMCM封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题,并对3-DMCM封装的应用作了简要说明。

3-D MCM 的种类

介绍了3-D MCM封装的种类,其中包括芯片垂直互连和2-D MCM的垂直互连。芯片的垂直互连,包括芯片之间通过周边进行互连,以及芯片之间通过贯穿芯片进行垂直互连(面互连);2-D MCM模块垂直互连,包括2-D MCM之间通过周边进行互连,以及面互连的模式。

3-DMCM实用化的进展

介绍了 3- D MCM的四种封装模式的应用实例 ,详细讨论了各种模式的工艺 ,优点及存在的问题。 3-D MCM是未来微电子封装的发展趋势。

MCM-D多层金属布线互连退化模式和机理

介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点,并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性,说明了多层布线互连退化的模式和机理,以及防止互连退化的技术措施。实验分析表明,Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是,Cu元素沿导带缺陷向表层扩散后,被氧化腐蚀,导致互连电阻增大,而Cu元素在温度应力作用下向PI扩散,导致PI绝缘电阻下降。

MCM-41分子筛催化D-葡萄糖酸制备D-葡萄糖酸-δ-内酯的研究

以MCM-41分子筛为催化剂,由D-葡萄糖酸制备D-葡萄糖酸-δ-内酯。考察了反应温度、反应时间、催化剂用量以及催化剂循环使用次数对D-葡萄糖酸-δ-内酯产率的影响。实验结果表明,MCM-41是制备D-葡萄糖酸-δ-内酯较好的催化剂。最佳工艺条件为:催化剂用量为30%,反应温度80℃,反应时间2 h,D-葡萄糖酸-δ-内酯产率达到90.39%。

基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究

基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品;探索出主要的工艺流程及关键工序控制方法,实现了薄膜3D-MCM封装。

MCM-D技术电热特性综述

本文主要说明了淀积型多芯片组件(MCM-D)技术所使用的主要材料的热特性。此技术采用倒装片技术把硅芯片安装到硅基板上。阐述了薄膜电阻和接触电阻的测量与所使用金属的温度范围-28℃-100℃的比较。一套典型的试验结构诸如开尔文接触、横桥电阻(CBR)及Van der Pauw 结构不仅已用于此技术,而且为了测试通过球倒装片连接的接触电阻,采用一新的开尔文式结构。已获得MCM封装的热模型,并考虑由此类封装增加的所有的热电阻。

一种MCM12位A／D转换器的设计和研制

介绍了一种ＭＣＭ１２位逐次逼近型Ａ／Ｄ转换器ＳＡＤ５０３的特点和工作原理，探讨了它的系统设计、电路设计、工艺技术，阐述了其研制及应用。这种Ａ／Ｄ转换器在３６．５ｍｍ×１０．５ｍｍ的双层薄膜布线陶瓷基板上组装了１８个ＩＣ裸芯片和其他片式器件及电阻网络，并封装于３２引出端双列直插式陶瓷管壳中。线性误差±１／２ＬＳＢ，微分线性误差＜±１ＬＳＢ，转换时间６μｓ。

Fe_3O_4@MCM-48–SO_3H:合成苯并[f]色烯并[2,3-d]嘧啶酮的高效、可磁性分离纳米催化剂(英文)

Sulfonic acid groups were grafted onto three different types of synthesized magnetic nanoparticles, namely Fe3O4, Fe3O4@SiO2, and Fe3O4@MCM-48. The sulfonic acid-functionalized nanoparticles were evaluated as catalysts for the synthesis of 5-aryl-1H-benzo[f]chromeno[2,3-d]pyrimidine-2,4(3H,5H)-dione derivatives in terms of activity and recyclability. Their catalytic activities were compared with that of the homogeneous acid catalyst 1-methylimidazolium hydrogen sulfate([HMIm][HSO4]). The activity of Fe3O4@MCM-48–SO3H was comparable to those of the other heter-ogeneous and homogeneous catalysts.

高密度多层基板3D—MCM的结构与工艺制作

本文以一种具有系统级功能的信号处理电路为例。介绍多层MCM基板层间通过焊球垂直互连的3D—MCM结构设计和工艺制作，该型3D—MCM模块的元器件封装效率超过200％，在与I／O端子（PGA引线、BGA焊球）一体化封装的3层LTCC基板的表面上及其腔体内组装了432只外贴元器件，封装外形尺寸仅为32mm×32mm×15mm。

三维(3-D)封装技术

3 -D多芯片组件 (MCM)是未来微电子封装的发展趋势。本文介绍了超大规模集成(VLSI)用的 3-D封装技术的最新进展 ,详细报导了垂直互连技术 ,概括讨论了选择 3-D叠层技术的一些关键问题 ,并对 3-D封装和 2

MCM:从二维到三维

三維多芯片组件(3-D MCM)是在二维多芯片组件(2-D MCM)基础上发展起来的,是90年代微组装技术的标志。由于它的封装密度高,结构紧凑,延迟时间短,日益受到国际微电子工业界的重视。本文阐述了3-D MCM的优点,并且指出了需要进一步完善的方面。

MCM封装技术新进展

MCM封装是多芯片组件,它可以将裸芯片在Z方向叠层,更加适合电子产品轻、薄、短、小的特点。介绍了MCM封装技术的3种分类——MCM-L、MCM-C及MCM-D。其中MCM-L成本低且制作技术成熟,但热传导率及热稳定性低。MCM-C热稳定性好且单层基板价位低,但难以制成多层结构。MCM-D为薄膜封装技术的应用,它也是目前电子封装行业极力研究、开发的技术之一。最后讨论了MCM封装技术在多芯片组件等方面的最新进展。

固定化苯丙氨酸脱氨酶拆分D,L苯丙氨酸制备D苯丙氨酸

为了建立新的D-苯丙氨酸生产工艺,对固定化苯丙氨酸解氨酶(PAL)拆分D,L-苯丙氨酸进行了研究。以介孔材料(MCM-41)为载体固定PAL,将其用于拆分消旋体D,L-苯丙氨酸制备高光学纯的D-苯丙氨酸。最佳的固定化条件是载酶量为50mg/g、壳聚糖浓度为0.1%(w/v)、戊二醛浓度为0.05%(v/v),固定化酶的活性达到最大,酶活保留达到92%,重复利用20次后,活性仍能保持85%。将制备的固定化酶应用于D,L-苯丙氨酸的拆分,反应24h L-苯丙氨酸转化率达到98%,D-苯丙氨酸的ee值达到96%,且连续拆分10个批次后固定化酶对L-苯丙氨酸的转化率仍保持在95%以上。因此,高效稳定的固定化PAL在拆分D,L-苯丙氨酸生产D-苯丙氨酸中具有良好的应用前景。

三维多芯片组件

三维多芯片组件系统集成技术具有组装密度、组装效率及性能更高，系统功能更多等优点，是实现电子装备系统集成的有效途径及关键技术。介绍了３ＤＭＣＭ主要结构（埋置型、有源基板型及叠层型）的特点，并对一些应用实例作了说明。

三维封装叠层技术

三维封装技术是一种符合电子系统轻重量、小体积、高性能、低功耗的发展趋势的先进的封装技术。本文对三维封装技术进行了简要介绍 ,重点介绍了三维封装的叠层工艺和互连技术 ,阐述了三维封装技术的优点 。

高密度三维封装技术

简要介绍为满足日益增长的低功耗、轻重量、小体积系统的应用需求而涌现出的多种裸芯片封装与多芯片叠层封装技术。详细讨论三维封装的垂直互连工艺。主要分析三维封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题。

薄膜高密度互连技术及其应用

高密度互连(HDI)基片在微电子集成技术中用来缩小尺寸、减轻重量和提高电气性能。薄膜技术是获得高密度互连的最佳技术。文章介绍了薄膜高密度互连技术的概念、特点、设计与工艺考虑,并指出其主要领域的应用情况。