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Comparison of D-flip-flops and D-latches:influence on SET susceptibility of the clock distribution network
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作者 Pei-Pei Hao Shu-Ming Chen 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2019年第2期91-100,共10页
As technology scales down, clock distribution networks(CDNs) in integrated circuits(ICs) are becoming increasingly sensitive to single-event transients(SETs).The SET occurring in the CDN can even lead to failure of th... As technology scales down, clock distribution networks(CDNs) in integrated circuits(ICs) are becoming increasingly sensitive to single-event transients(SETs).The SET occurring in the CDN can even lead to failure of the entire circuit system. Understanding the factors that influence the SET sensitivity of the CDN is crucial to achieving radiation hardening of the CDN and realizing the design of highly reliable ICs. In this paper, the influences of different sequential elements(D-flip-flops and D-latches, the two most commonly used sequential elements in modern synchronous digital systems) on the SET susceptibility of the CDN were quantitatively studied. Electrical simulation and heavy ion experiment results reveal that the CDN-SET-induced incorrect latching is much more likely to occur in DFF and DFF-based designs. This can supply guidelines for the design of IC with high reliability. 展开更多
关键词 CLOCK distribution NETWORK D-flip-flop d-latch Reliability Single-event transient SUSCEPTIBILITY
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一种14位80 MS/s流水线型A/D转换器设计
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作者 郭小辉 黄星辰 +4 位作者 徐福彬 洪炜强 赵雨农 洪琪 许耀华 《微电子学与计算机》 2024年第10期89-94,共6页
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种14位80 MS/s的流水线型A/D转换器(ADC)。为了降低ADC整体功耗,首级电路采用2.5 bit无采样保持(SHA-less)结构。进一步,基于套筒式共源-共栅结构提出了一种改进型运放,通过复制尾电流反馈技术和增... 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种14位80 MS/s的流水线型A/D转换器(ADC)。为了降低ADC整体功耗,首级电路采用2.5 bit无采样保持(SHA-less)结构。进一步,基于套筒式共源-共栅结构提出了一种改进型运放,通过复制尾电流反馈技术和增益提高技术的应用提升了运放的速度和增益,且功耗较低。比较器仅采用动态锁存器以减小级间延迟。还采用了栅压自举开关降低开关导通电阻,提高采样网络带宽和线性度。芯片测试结果表明,在1.8 V电源电压、采样频率为80 MHz的条件下,输入信号频率分别为10 MHz和70 MHz时,ADC的动态参数性能相差不大。其中,输入信号频率为70 MHz时,信噪失真比(SNDR)为72.2 dB,无杂散动态范围(SFDR)为85.82 dB,有效位数(ENOB)为11.7 bit,品质因数(FoM)为0.38 pJ/(conv·step)。 展开更多
关键词 流水线型A/D转换器 无采样保持 复制尾电流反馈技术 动态锁存器
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基于RHBD技术CMOS锁存器加固电路的研究 被引量:8
3
作者 胡明浩 李磊 饶全林 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第7期206-209,共4页
对基于RHBD技术CMOSD锁存器抗辐射加固电路设计技术进行了研究,并对其抗单粒子效应进行了模拟仿真.首先介绍了基于RHBD技术的双互锁存储单元(DICE)技术,然后给出了基于DICE结构的D锁存器的电路设计及其提取版图寄生参数后的功能仿真,并... 对基于RHBD技术CMOSD锁存器抗辐射加固电路设计技术进行了研究,并对其抗单粒子效应进行了模拟仿真.首先介绍了基于RHBD技术的双互锁存储单元(DICE)技术,然后给出了基于DICE结构的D锁存器的电路设计及其提取版图寄生参数后的功能仿真,并对其抗单粒子效应给出了模拟仿真,得出了此设计下的阈值LET,仿真结果表明:基于DICE结构的D锁存器具有抗单粒子效应的能力. 展开更多
关键词 CMOS 抗辐射加固 RHBD技术 DICE d-latch 阈值LET
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基于RT器件的数据选择器和D锁存器设计 被引量:4
4
作者 林弥 张海鹏 +1 位作者 吕伟锋 孙玲玲 《科技通报》 北大核心 2009年第1期89-92,共4页
以共振隧穿二极管(resonant tunneling diode)和三端共振隧穿器件RTD/HEMT为基本单元,设计了一个全新的1-of-2数据选择器,并以该数据选择器为核心电路,实现了基于RT器件的D锁存器,SPICE仿真结果验证了设计的正确性,为利用RT器件设计时... 以共振隧穿二极管(resonant tunneling diode)和三端共振隧穿器件RTD/HEMT为基本单元,设计了一个全新的1-of-2数据选择器,并以该数据选择器为核心电路,实现了基于RT器件的D锁存器,SPICE仿真结果验证了设计的正确性,为利用RT器件设计时序电路提供了一个简单有效的设计方法。本文所设计的电路具有量子器件的低功耗、高速等优点。 展开更多
关键词 RT器件 数据选择器 D锁存器
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反馈式ECL记忆门的记忆性能和移位计数器 被引量:1
5
作者 刘莹 方倩 方振贤 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2184-2189,共6页
经过数学论证表明,改进反馈式ECL(MFECL)门可在二个状态中任一态保持稳定,所以认为MFECL门就是一种ECL记忆门或D锁存器.提出了一种由两个ECL记忆门组成的ECL主从D触发器.在上述理论基础上,利用此主从D触发器设计出5进制移位型计数器.经... 经过数学论证表明,改进反馈式ECL(MFECL)门可在二个状态中任一态保持稳定,所以认为MFECL门就是一种ECL记忆门或D锁存器.提出了一种由两个ECL记忆门组成的ECL主从D触发器.在上述理论基础上,利用此主从D触发器设计出5进制移位型计数器.经过计算机模拟上述电路,验证了理论和电路的正确性. 展开更多
关键词 反馈式ECL记忆门的记忆性能 D锁存器 主从D触发器 5进制移位型计数器
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10 Gb/s 0.18μm CMOS工艺复接器设计 被引量:1
6
作者 李竹 张伟 +1 位作者 吴明赞 黄锦安 《现代电子技术》 2006年第24期16-18,共3页
介绍一种超高速4∶1复接器集成电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,供电电源1.8 V。电路采用源极耦合场效应管逻辑(SCFL),与静态CMOS逻辑相比具有更高的速度。为了避免高速时序电路中常见的时钟偏差,在时钟树中放置了缓冲器。在设计中... 介绍一种超高速4∶1复接器集成电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,供电电源1.8 V。电路采用源极耦合场效应管逻辑(SCFL),与静态CMOS逻辑相比具有更高的速度。为了避免高速时序电路中常见的时钟偏差,在时钟树中放置了缓冲器。在设计中采用有源电感的并联峰化技术有效地提高了电路的工作速度。仿真结果表明电路工作速度可达10 Gb/s,复接器芯片面积约为970×880μm2。 展开更多
关键词 复接器 D锁存器 CMOS工艺 时钟偏差
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微波宽带单片集成电路二分频器的设计与实现 被引量:2
7
作者 陈凤霞 默立冬 吴思汉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期164-166,共3页
采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz^7 ... 采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz^7 GHz的静态二分频器。测试结果表明,该分频器在输入频率为3.7 GHz,输入-20 dBm功率时,输出功率4 dBm;电源电压5 V,工作电流85 mA,芯片尺寸为0.85 mm×0.85 mm。 展开更多
关键词 二分频器 异质结双极晶体管 锁存器 D触发器 阻抗匹配
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一种CMOS静态D锁存器的版图设计 被引量:1
8
作者 刘春娟 李旭 《兰州交通大学学报》 CAS 2009年第4期105-108,共4页
集成电路版图设计是实现集成电路制造所必不可少的设计环节,本文在正确理解MOS场效应晶体管的物理特性、工作原理以及CMOS逻辑电路结构基础之上,逐级优化实现了由传输门构成的CMOS D锁存器的逻辑电路和晶体管级电路.然后根据CMOS工艺规... 集成电路版图设计是实现集成电路制造所必不可少的设计环节,本文在正确理解MOS场效应晶体管的物理特性、工作原理以及CMOS逻辑电路结构基础之上,逐级优化实现了由传输门构成的CMOS D锁存器的逻辑电路和晶体管级电路.然后根据CMOS工艺规则,利用Tanner Tool软件进行了CMOS 2μm N阱的D锁存器的版图设计.通过LVS功能验证及延迟时间分析,表明所设计的CMOS D锁存器版图功能正确、性能好、时延小、速度快. 展开更多
关键词 CMOS 锁存器 版图 Tanner
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DAC714在单片机系统中的层叠应用 被引量:2
9
作者 庞湘萍 曹星明 《国外电子测量技术》 2003年第1期26-28,共3页
详细阐述了16位数/模转换器DAC714的原理及特点,并以某型单片机控制系统为例介绍了它的层叠式应用,给出了详细电路图和程序框图。
关键词 DAC714 单片机 层叠应用 D/A转换器 数据锁存 数模转换器
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基于忆阻器的SRAM存储单元设计 被引量:1
10
作者 徐红梅 李浩申 刘苡萌 《延边大学学报(自然科学版)》 CAS 2022年第3期222-228,共7页
为了突破冯·诺依曼架构瓶颈,实现存算一体的存储功能,利用D锁存器设计了一种忆阻器存储单元.该忆阻器存储单元由忆阻器基本逻辑与门、或门和MeMOS电路组成.PSpice仿真显示,该忆阻器存储单元不仅可以实现非易失性存储功能,而且具有... 为了突破冯·诺依曼架构瓶颈,实现存算一体的存储功能,利用D锁存器设计了一种忆阻器存储单元.该忆阻器存储单元由忆阻器基本逻辑与门、或门和MeMOS电路组成.PSpice仿真显示,该忆阻器存储单元不仅可以实现非易失性存储功能,而且具有体积小、功耗低、结构简单等优点,可为实现非易失性存储单元提供良好参考. 展开更多
关键词 忆阻器 SRAM存储单元 GDI逻辑电路 D锁存器
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基于RTD的新型D锁存器设计
11
作者 姚茂群 冯杰 沈珊瑚 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期728-732,共5页
共振隧穿二极管(RTD)作为一种较成熟的量子器件,具有独特的负内阻特性,由RTD组成的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)能够很好地利用该特性进行数字电路设计.基于MOBILE,设计了一种新的RTD输出控制电路.该电路的优点是将RTD的正向和反向电... 共振隧穿二极管(RTD)作为一种较成熟的量子器件,具有独特的负内阻特性,由RTD组成的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)能够很好地利用该特性进行数字电路设计.基于MOBILE,设计了一种新的RTD输出控制电路.该电路的优点是将RTD的正向和反向电流电压特性相结合,无须使用面积较大的三端器件,电路设计较便捷.采用RTD输出控制电路和HEMT器件,设计了一种新的D锁存器.该D锁存器采用高电平偏置电压,不仅可使MOBILE获得需要的高电平触发方式,而且电路具有自锁特性.HSPICE仿真实验证明,该D锁存器不仅电路结构简单,而且功耗低、速度快. 展开更多
关键词 RTD MOBILE RTD控制输出方式 D锁存器
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CCD外围商用器件单粒子效应试验研究 被引量:3
12
作者 孟猛 唐民 +2 位作者 于庆奎 李鹏伟 朱恒静 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期428-431,435,共5页
采用中科院近代物理研究所回旋加速器产生的重离子(Kr),对商用的CCD外围器件进行单粒子效应试验研究,包括CCD信号处理器AD9945、高速视频D/A转换器ADV7123以及CCD时钟驱动器CXD3400等。试验得到AD9945、ADV7123在离子线性能量转移(Linea... 采用中科院近代物理研究所回旋加速器产生的重离子(Kr),对商用的CCD外围器件进行单粒子效应试验研究,包括CCD信号处理器AD9945、高速视频D/A转换器ADV7123以及CCD时钟驱动器CXD3400等。试验得到AD9945、ADV7123在离子线性能量转移(Linear Energy Transfers,LET)为30MeV·cm^2/mg时,均发生单粒子锁定(Single Event Latch—up,SEL)现象,锁定截面分别为2.97×10^(-5)cm^2/器件和2.25×10^(-4)cm^2/器件;器件发生SEL时工作电流可达正常工作电流数倍,同时出现功能丧失,需断电重启才能恢复。试验发现CXD3400在离子LET为38 MeV·cm^2/mg、辐照通量达10~7cm^(-2)时,未发生SEL现象。 展开更多
关键词 CCD信号处理器 D/A转换器 商用器件 单粒子效应 单粒子锁定
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互补对偶结构的三值ECL锁存器设计 被引量:1
13
作者 乐建连 章专 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期183-185,193,共4页
在分析发射极耦合逻辑(ECL )电路的互补对偶特性基础上,指出了差分对的两个开关变量的不独立性及互补对偶特性,并设计了互补对偶结构的ECL三值D型锁存器.这种新型的D型锁存器电路比传统电路具有更简单的电路结构.它的输出是互补的双轨... 在分析发射极耦合逻辑(ECL )电路的互补对偶特性基础上,指出了差分对的两个开关变量的不独立性及互补对偶特性,并设计了互补对偶结构的ECL三值D型锁存器.这种新型的D型锁存器电路比传统电路具有更简单的电路结构.它的输出是互补的双轨三值输出系统. 展开更多
关键词 ECL 互补对偶 D型锁存器 多值逻辑 开关级设计
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基于时钟控制的低功耗电路设计 被引量:1
14
作者 徐如淏 李宇飞 胡嘉圣 《计算机工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期206-208,共3页
在低功耗芯片设计中,设计者已广泛采用了时钟停止的方法来解决CMOS电路动态功耗问题。为实现时钟停止功能,作者分析了多种传统时钟控制电路方案,并在此基础上提出了一种新型可综合可测试的时钟控制电路。相对于传统时钟控制电路,此种方... 在低功耗芯片设计中,设计者已广泛采用了时钟停止的方法来解决CMOS电路动态功耗问题。为实现时钟停止功能,作者分析了多种传统时钟控制电路方案,并在此基础上提出了一种新型可综合可测试的时钟控制电路。相对于传统时钟控制电路,此种方案在降低芯片功耗的同时解决了传统时钟控制电路所带来的时钟不稳定及无法进行测试的问题。 展开更多
关键词 D触发器 时钟控制 锁存器 时钟树
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一种基于CMOS工艺的抗辐照A/D转换器 被引量:1
15
作者 陈良 刘涛 +2 位作者 雷郎成 胡永贵 王育新 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第4期447-451,共5页
空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素。A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设备的整体性能。基于标准0.35μm CMOS工艺,设计了一种流水线型14位A/D转换器,从总体架构、关键核心单元... 空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素。A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设备的整体性能。基于标准0.35μm CMOS工艺,设计了一种流水线型14位A/D转换器,从总体架构、关键核心单元、版图等方面进行抗辐照设计。辐照测试结果表明,该A/D转换器的抗总剂量能力达到1.0 kGy(Si),抗单粒子闭锁阈值达到37 MeV·cm^2/mg,满足宇航电子系统的应用要求。 展开更多
关键词 辐射加固 总剂量辐射 单粒子锁定 A/D转换器
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一种基于闩锁结构的高速电压比较器 被引量:1
16
作者 王萍 石寅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期89-92,共4页
文章结合高速A/D转换器的研究设计了一种新型高速、高精度集成闩锁比较器 ,针对提高集成闩锁型电压比较器的性能 ,讨论了比较器失效、速度 功耗优化、时钟反馈噪声等设计问题 .该比较器有较高的输入电阻 ,对高频时钟的反馈噪声有较好的... 文章结合高速A/D转换器的研究设计了一种新型高速、高精度集成闩锁比较器 ,针对提高集成闩锁型电压比较器的性能 ,讨论了比较器失效、速度 功耗优化、时钟反馈噪声等设计问题 .该比较器有较高的输入电阻 ,对高频时钟的反馈噪声有较好的抑制性能 ,采用“电容中和技术”补偿预放大级带宽后更加适用于高速应用的需要 .文中给出了详细的性能分析以及采用PSPICE仿真的模拟结果 . 展开更多
关键词 闩锁比较器 A/D转换器 电压比较器
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CMOS电荷泵锁相环中鉴频鉴相器的研究与设计 被引量:1
17
作者 李颖 岳松洁 《微纳电子技术》 CAS 2008年第9期551-556,共6页
介绍了鉴频鉴相器(PFD)在其发展过程中产生的结构,并对每一种结构的优缺点进行了比较。通过对原有PFD电路结构进行重新设计,在传统D触发器PFD的基础上提出了两种新型PFD:传输门D触发器型PFD和基于锁存器的PFD。电路设计基于TSMC公司的0... 介绍了鉴频鉴相器(PFD)在其发展过程中产生的结构,并对每一种结构的优缺点进行了比较。通过对原有PFD电路结构进行重新设计,在传统D触发器PFD的基础上提出了两种新型PFD:传输门D触发器型PFD和基于锁存器的PFD。电路设计基于TSMC公司的0.18μm CMOS工艺,仿真环境为Candence Spectre,仿真结果显示电路可以工作在2GHz以上频率的应用环境下。相对于传统的PFD,新型PFD工作频率高、几乎无死区,而且具有噪声低、速度快的优点,在高速、低抖动、低噪声PLL中将有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 鉴频鉴相器 锁相环 死区 D触发器 锁存器
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基于MOS电流模逻辑的4/5双模前置分频器设计 被引量:2
18
作者 朱艳霞 梁蓓 杨发顺 《电子科技》 2018年第5期69-72,共4页
为满足高频通信的要求,文中设计了基于MOS电流模逻辑的4/5双模前置分频器。在分析MCML电路的工作原理的基础上,用已优化参数的MCML电路设计了逻辑或门与锁存器,并基于该或门与锁存器设计了4/5双模前置分频器。利用Cadence工具进行仿真,... 为满足高频通信的要求,文中设计了基于MOS电流模逻辑的4/5双模前置分频器。在分析MCML电路的工作原理的基础上,用已优化参数的MCML电路设计了逻辑或门与锁存器,并基于该或门与锁存器设计了4/5双模前置分频器。利用Cadence工具进行仿真,仿真结果表明,在采用SMIC 0.13μm CMOS工艺,电源电压为1.2 V,尾电流I_(ss)为50μA的条件下,该分频器最高工作频率可达到5 GHz。与同等条件下其他结构的电路相比,基于MOS电流模逻辑的4/5双模前置分频器的设计大大降低了功耗并提高了处理速度。 展开更多
关键词 MCML 或门 锁存器 主从D触发器 分频器
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可逆双边沿触发器的设计
19
作者 张莹 王伦耀 夏银水 《宁波大学学报(理工版)》 CAS 2018年第5期45-50,共6页
提出了一种可逆双边沿D触发器的设计方法,该方法利用Feynman可逆逻辑门的信号复制特性,实现可逆D锁存器的设计.然后利用双边沿触发器原理,结合D可逆锁存器以及Fredkin和Modified Fredkin可逆逻辑门的数据选择功能,实现可逆双边沿触发器... 提出了一种可逆双边沿D触发器的设计方法,该方法利用Feynman可逆逻辑门的信号复制特性,实现可逆D锁存器的设计.然后利用双边沿触发器原理,结合D可逆锁存器以及Fredkin和Modified Fredkin可逆逻辑门的数据选择功能,实现可逆双边沿触发器的设计.同时,利用Verilog硬件描述语言对提出的可逆双边沿D触发器的功能进行了描述.与已有的可逆触发器相比,在相同数据传输速率下,本文设计的双边沿触发器具有结构简单、垃圾位和常量输入少、量子代价更低的特点. 展开更多
关键词 可逆逻辑 双边沿触发 D锁存器 量子代价
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一种新型低功耗D锁存器设计
20
作者 雷师节 邬杨波 《无线通信技术》 2017年第3期54-59,共6页
本文提出了一种新型低功耗D锁存器,通过在直接交叉耦合D锁存器的接地端串联一个由输出反馈控制的NMOS管,部分消除了锁存器状态转换过程中的竞争现象,从而减小了电路的短路功耗,在数据保持阶段由晶体管的堆叠效应降低了电路的漏功耗。标... 本文提出了一种新型低功耗D锁存器,通过在直接交叉耦合D锁存器的接地端串联一个由输出反馈控制的NMOS管,部分消除了锁存器状态转换过程中的竞争现象,从而减小了电路的短路功耗,在数据保持阶段由晶体管的堆叠效应降低了电路的漏功耗。标准电源电压下HSPICE仿真测试结果表明,与直接交叉耦合D锁存器相比,新型D锁存器的漏功耗与动态功耗分别下降了13.5%和61.9%;与传输门D锁存器相比,漏功耗与动态功耗分别下降了9.3%和2.1%。应用新型D锁存器实现了4位伪随机序列信号发生器,仿真结果表明电路具有正确的逻辑功能,与传输门D锁存器构成的伪随机序列信号发生器相比动态功耗降低了18.9%,漏功耗降低了16.7%。 展开更多
关键词 低功耗 D锁存器 NMOS反馈
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