基于D-S效应的太赫兹源研究

基于Dyakonov-Shur效应（D-S效应）利用MOSFET可构建太赫兹源。研究表明MOSFET沟道内的1 m V信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似。当MOSFET外接5 V的偏置电压源时,输出频率为2.15 THz、峰值为2 m V的等离子信号。通过调节偏置电压（1-20 V）可以使输出信号在0.96-4.30 THz范围内调频。此外,MOSFET在5 V的偏置电压和5 A的偏置电流的共同作用下,沟道内产生的等离子波随时间的推移以指数形式放大。受器件限制和沟道夹断效应影响,该信号源的最大输出电压为20 V,电压增益最大可达到86 d B,最大输出功率为200 W。在器件允许范围内,偏置电压越大信号频率越高、偏置电流越大起振时间越短,且偏置电流引起的信号频偏小。

聚(3-癸基噻吩)-co-聚(3-溴噻吩)的合成与荧光性能研究

为了研究溴取代基对聚噻吩衍生物荧光性能的影响,定量调控聚噻吩衍生物的光学性能,用化学氧化法制备了聚(3-癸基噻吩)-co-聚(3-溴噻吩)(P3DT-co-P3BrT)。用红外光谱、核磁共振、X-射线衍射和透射电镜等对产物进行表征,用紫外-可见吸收光谱和荧光分析等方法研究了P3DT-co-P3BrT的光学性能。研究表明,P3DT-coP3BrT的带宽较宽,噻吩环上的溴取代基对P3DT-co-P3BrT的荧光强度和量子产率有明显影响。随着P3BrT含量的提高,P3DT-co-P3BrT的荧光蓝移,这与溴的吸电子诱导效应和基于结构的D-π-A效应有关。