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电弧-AES法测定金属硅中12个杂质元素
被引量:
4
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作者
巩卫东
《光谱实验室》
CAS
CSCD
1998年第4期57-59,共3页
用直流电弧粉末法在氩气气氛中摄谱,消除硅带干扰,采用铍为内标,直接测定金属硅中12个杂质元素,此法较化学光谱法具有操作简便、快速,试剂耗量少;较化学法和分光光度法更加优越,能同时测定12个元素,更能反映金属硅的真实含量。
关键词
直流电弧
金属硅
杂质元素
测定
AES
光谱分析
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职称材料
题名
电弧-AES法测定金属硅中12个杂质元素
被引量:
4
1
作者
巩卫东
机构
洛阳进出口商品检验局
出处
《光谱实验室》
CAS
CSCD
1998年第4期57-59,共3页
文摘
用直流电弧粉末法在氩气气氛中摄谱,消除硅带干扰,采用铍为内标,直接测定金属硅中12个杂质元素,此法较化学光谱法具有操作简便、快速,试剂耗量少;较化学法和分光光度法更加优越,能同时测定12个元素,更能反映金属硅的真实含量。
关键词
直流电弧
金属硅
杂质元素
测定
AES
光谱分析
Keywords
d.c. electric arc
,
metal silicon
,
impure elements.
分类号
TG115.33 [金属学及工艺—物理冶金]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电弧-AES法测定金属硅中12个杂质元素
巩卫东
《光谱实验室》
CAS
CSCD
1998
4
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职称材料
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