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电弧-AES法测定金属硅中12个杂质元素 被引量:4
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作者 巩卫东 《光谱实验室》 CAS CSCD 1998年第4期57-59,共3页
用直流电弧粉末法在氩气气氛中摄谱,消除硅带干扰,采用铍为内标,直接测定金属硅中12个杂质元素,此法较化学光谱法具有操作简便、快速,试剂耗量少;较化学法和分光光度法更加优越,能同时测定12个元素,更能反映金属硅的真实含量。
关键词 直流电弧 金属硅 杂质元素 测定 AES 光谱分析
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