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低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能 被引量:17
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作者 王刚 刘宏宇 +2 位作者 赵超 杨柏梁 黄锡珉 《液晶与显示》 CAS CSCD 1999年第1期23-28,共6页
研究了直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ITO薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的ITO薄膜,可见光透过率高于85%,在厚度为100nm时其方块电阻在15... 研究了直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ITO薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的ITO薄膜,可见光透过率高于85%,在厚度为100nm时其方块电阻在150~200Ω/□之间,并且ITO薄膜的制备工艺完全与AMLCD中TFT器件的制作工艺兼容。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 薄膜 TIO 半导体 透过率 真空退火
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ITO退火膜的光学和电学特性 被引量:6
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作者 王刚 刘宏宇 +2 位作者 赵超 杨柏梁 黄锡珉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第4期61-65,共5页
对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理,并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析.结果表明,N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性,同时使ITO薄膜质量得到优化,并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性.
关键词 ITO薄膜 氧空位 光学特性 电学特性 氧化铟薄膜
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直流溅射法制备电致变色WO_3膜 被引量:6
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作者 丘思畴 黄汉尧 +1 位作者 舒兴胜 徐彦忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期127-135,共9页
采用WO3陶瓷靶直流溅射制作了电致变色膜.介绍了制膜工艺.分析测试表明,膜有无定形结构;除有正常成分WO3外,还含有来自衬底及反应室内的微量杂质.电致变色谱响应特性和电化学特性的测量证明,膜的电色活性良好.还对实验结... 采用WO3陶瓷靶直流溅射制作了电致变色膜.介绍了制膜工艺.分析测试表明,膜有无定形结构;除有正常成分WO3外,还含有来自衬底及反应室内的微量杂质.电致变色谱响应特性和电化学特性的测量证明,膜的电色活性良好.还对实验结果作了理论分析. 展开更多
关键词 电致变色 直流溅射 氧化钨 薄膜
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氮气流量、基体温度对反应溅射(Ti,Al)N成膜影响 被引量:3
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作者 刘昕 余志明 +2 位作者 尹登峰 苏伟涛 杨莉 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期80-82,85,共4页
采用反应直流磁控溅射的方法 ,通过控制基体温度和N2 /Ar流量比 ,在WC 6%Co基体表面上成功地制备了 (Ti,Al)N薄膜。用AFM、XRD、显微硬度测试仪对薄膜的显微形貌、成分、显微硬度进行了测试。结果表明 ,在N2 /Ar流量比较低时薄膜存在明... 采用反应直流磁控溅射的方法 ,通过控制基体温度和N2 /Ar流量比 ,在WC 6%Co基体表面上成功地制备了 (Ti,Al)N薄膜。用AFM、XRD、显微硬度测试仪对薄膜的显微形貌、成分、显微硬度进行了测试。结果表明 ,在N2 /Ar流量比较低时薄膜存在明显的(Ti ,Al)N的 ( 111)织构 ,随着N2 /Ar流量比的增大 ,这种 ( 111)织构逐渐变弱 ,薄膜显微形貌发生较明显的变化 ,显微硬度也随之变化 ;N2 /Ar流量比超过某一门槛值时不能生成 (Ti,Al)N ;在一定范围内 ( 2 5 0~ 40 0℃ ) ,温度对薄膜质量的影响不是很明显。 展开更多
关键词 (TI AL)N 直流磁控溅射 显微形貌 织构
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低阻α-Ta栅电极材料的制备与研究 被引量:2
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作者 王刚 杨柏梁 +2 位作者 赵超 刘宏宇 黄锡珉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2000年第1期28-34,共7页
研究了溅射Ta膜的电学和结构特性与N2气分压的关系,并确定了电学性能稳定的低阻α-Ta薄膜(电阻率34μΩ·cm)的制备工艺条件。
关键词 X射线衍射 方块电阻 α-Ta 栅电极材料 薄膜
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MoS_2/Ti复合膜的摩擦磨损研究 被引量:14
6
作者 李永良 Kin Sunkyu 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期378-380,共3页
采用直流磁控溅射方法在SKD-11钢的表面沉积一层MoS2/Ti复合膜,选择沉积厚度为1μm和2μm的复合膜进行摩擦磨损实验,结果表明,MoS2/Ti复合膜为纳米复合膜,能大大降低钢表面的摩擦系数,改善钢的摩擦性能。适当增加膜的厚度,有利于提高钢... 采用直流磁控溅射方法在SKD-11钢的表面沉积一层MoS2/Ti复合膜,选择沉积厚度为1μm和2μm的复合膜进行摩擦磨损实验,结果表明,MoS2/Ti复合膜为纳米复合膜,能大大降低钢表面的摩擦系数,改善钢的摩擦性能。适当增加膜的厚度,有利于提高钢的抗磨损性能。 展开更多
关键词 MoS2/Ti复合膜 直流磁控溅射 摩擦 磨损
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WC直流磁控溅射法表面镀铬研究 被引量:2
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作者 董志红 范洪远 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2005年第11期46-47,共2页
采用直流磁控溅射技术在WC微粒表面包覆一层Cr膜,通过光学显微镜和X射线衍射仪(XRD)观察分析Cr膜的厚度和粉末的成分,其结果表明:合理的工艺参数控制,可以获得厚3~5!m,均匀、完整的Cr膜,微粒中Cr的成分明显提高,这对WC微粒在高温工艺... 采用直流磁控溅射技术在WC微粒表面包覆一层Cr膜,通过光学显微镜和X射线衍射仪(XRD)观察分析Cr膜的厚度和粉末的成分,其结果表明:合理的工艺参数控制,可以获得厚3~5!m,均匀、完整的Cr膜,微粒中Cr的成分明显提高,这对WC微粒在高温工艺使用上,提高其磨损性能有很大的帮助。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 WC微粒 Cr膜
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直流反应溅射沉积ITO膜的X射线光电子谱研究
8
作者 张旭苹 陈国平 茅昕辉 《光电子技术》 CAS 1994年第2期142-147,共6页
采用 XPS 技术研究了直流磁控溅射 ITO 膜的结构组成及其化学态。分析了成膜工艺——热处理、反应气体 O_2流量等对 ITO 膜表面及内部成分比例的影响。
关键词 ITO膜 X射线 光电子谱 反应溅射
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低TCR锰铜薄膜的制备
9
作者 叶伏秋 《湖北民族学院学报(自然科学版)》 CAS 2004年第2期49-51,共3页
根据薄膜理论和工艺实验,采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜,与块材接近,实现了锰铜压力传感器的薄膜化.同时对影响锰铜薄膜TCR(Temperature Coeffcient of Resist... 根据薄膜理论和工艺实验,采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜,与块材接近,实现了锰铜压力传感器的薄膜化.同时对影响锰铜薄膜TCR(Temperature Coeffcient of Resistance)值的因素及机理进行了讨论. 展开更多
关键词 锰铜 薄膜 电阻温度系数 直流磁控溅射
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Microstructure and Application of YBCO Superconductive Films with Low Surface Resistance
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作者 王小平 杨秉川 +5 位作者 石东奇 彭正顺 李文祥 华佩文 孙丽虹 张启海 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1997年第3期18-21,共4页
Large area YBCO superconductive films prepared by d.c. magnetron sputtering have reached: T c>89 K, J c>3.5×10 6 A/cm 2 (77 K, 0 T), R s=0.25 mΩ, at 77.5 K, 9894 MHz. The microstructure an... Large area YBCO superconductive films prepared by d.c. magnetron sputtering have reached: T c>89 K, J c>3.5×10 6 A/cm 2 (77 K, 0 T), R s=0.25 mΩ, at 77.5 K, 9894 MHz. The microstructure analysis of the film showed it has fine monocrystalline structure and the crystalline perfectness is satisfactory. The oscillator, filter and antenna made from these films are good in performance. Therefore, YBCO superconductive films have great prospect in application. 展开更多
关键词 YBCO superconductive films MICROSTRUCTURE d.c. magnetron sputtering OSCILLATOR Filter ANTENNA
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Synthesis of Flower-Like Bi2Te3 Nano Structure and Studying Its Structural and Thermo-electric Properties
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作者 Emad Kh. Al-shakarchi Manal A. Abbood Ali M. Moussa 《Journal of Physical Science and Application》 2016年第1期76-81,共6页
Flower-like Bi2Te3 nanostructures were successfully synthesised for the first time by a simple magnetron technique or D.C. sputtering method. The phase and morphology of the products were characterized by X-ray diffra... Flower-like Bi2Te3 nanostructures were successfully synthesised for the first time by a simple magnetron technique or D.C. sputtering method. The phase and morphology of the products were characterized by X-ray diffraction (XRD), manning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM). It was found that the as-deposited Bi2Te3 has a well re-crystallized Rhombohedral phase and consisted of a wealth of flower-like structure, also the thermo-electric properties of Bi2Te3 were examined and we find that the Seebeck coefficient is 136.6μ volt/K. 展开更多
关键词 Flower-like Bi2Te3 D.C. sputtering thin film.
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