DABDAB2相互作用蛋白和相互作用蛋白和β-联蛋白在食管鳞状细胞癌中的表达联蛋白在食管鳞状细胞癌中的表达及临床意义

目的目的探讨食管鳞状细胞癌组织中DAB2相互作用蛋白(DAB2IP)和β-联蛋白(β-catenin)表达情况,并分析其与食管鳞状细胞癌患者临床特征和预后的关系。方法方法收集92例食管鳞状细胞癌患者的食管鳞状细胞癌组织和癌旁正常黏膜组织,另取55例食管上皮内瘤变患者的食管上皮内瘤变组织。采用免疫组化法检测3种组织中DAB2IP和β-catenin表达情况,并分析其与食管鳞状细胞癌患者临床特征的关系。绘制Kaplan-Meier生存曲线,分析DAB2IP和β-catenin表达情况与患者预后的关系。采用Cox回归模型分析食管鳞状细胞癌患者预后的影响因素。结果结果食管鳞状细胞癌组织中DAB2IP阳性表达率低于食管上皮内瘤变组织和癌旁正常黏膜组织,β-catenin阳性表达率高于食管上皮内瘤变组织和癌旁正常黏膜组织,食管上皮内瘤变组织中β-catenin阳性表达率高于癌旁正常黏膜组织,差异均有统计学意义(P﹤0.05)。食管鳞状细胞癌组织中DAB2IP和β-catenin表达呈负相关(r=-0.609,P﹤0.01)。不同分化程度、远处转移情况、淋巴结转移情况和TNM分期食管鳞状细胞癌患者的食管鳞状细胞癌组织中DAB2IP阳性表达率比较,差异均有统计学意义(P﹤0.05);不同分化程度、浸润深度、远处转移情况、淋巴结转移情况和TNM分期食管鳞状细胞癌患者的食管鳞状细胞癌组织中β-catenin阳性表达率比较,差异均有统计学意义(P﹤0.05)。DAB2IP阳性表达患者生存情况优于DAB2IP阴性表达患者,β-catenin阴性表达患者生存情况优于β-catenin阳性表达患者,差异均有统计学意义(P﹤0.05)。多因素分析结果显示,远处转移、TNM分期为Ⅲ~Ⅳ期和DAB2IP阴性表达均是食管鳞状细胞癌患者预后的独立危险因素(P﹤0.05)。结论结论食管鳞状细胞癌组织中DAB2IP阳性表达率较低,β-catenin阳性表达率较高,二者有可能成为食管鳞状细胞癌临床诊断和预后评估的重要指标。

皮肤鳞状细胞癌组织Sirt3、DAB2IP表达与病理特征相关性及对术后复发的预测意义

目的分析皮肤鳞状细胞癌(cSCC)组织沉默信息调节因子3(Sirt3)、DOC2/DAB2相互作用蛋白(DAB2IP)表达与病理特征的关系,并分析二者对术后复发的预测价值。方法选取2018年7月—2020年6月本院cSCC患者193例,均行扩大切除病灶手术。观察cSCC患者肿瘤组织与癌旁组织Sirt3、DAB2IP表达情况,统计术后复发情况并比较术后复发与未复发cSCC患者的相关资料,采用Logistic回归分析cSCC患者术后复发的影响因素,采用受试者工作特征(ROC)曲线分析Sirt3、DAB2IP预测cSCC患者术后复发的价值,绘制Sirt3、DAB2IP预测cSCC患者术后复发的决策曲线并进行分析,不同Sirt3、DAB2IP表达的cSCC患者术后复发情况。结果cSCC患者肿瘤组织Sirt3、DAB2IP高表达例数多于低表达,差异有统计学意义(P<0.05);193例患者术后复发42例,未复发151例,术后复发的cSCC患者病灶直径、分化程度、术后切缘阳性、Sirt3及DAB2IP表达情况与未复发患者比较,差异有统计学意义(P<0.05);分化程度为低分化、术后切缘阳性Sirt3及DAB2IP高表达是cSCC患者术后复发的独立危险因素(P<0.05);Sirt3、DAB2IP联合检测预测cSCC患者术后复发的曲线下面积(AUC)值为0.669,高于二者单独检测;决策曲线分析显示,当风险阈值为0.20~0.45时,Sirt3、DAB2IP联合检测的净受益率大于单独检测;Sirt3+/DAB2IP+的cSCC患者术后复发率明显高于Sirt3+/DAB2IP-、Sirt3-/DAB2IP+及Sirt3-/DAB2IP-的患者(P<0.05)。结论cSCC组织中Sirt3、DAB2IP均呈高表达,二者同时高表达表明患者术后复发风险较高,可通过检测二者表达情况为临床早期筛查提供依据。

基于扩展移相的ISOP-DAB变换器混合优化控制方法

输入串联输出并联-双有源电桥(ISOP-DAB)变换器多应用于大功率高电压场合,为降低ISOP-DAB变换器的电流应力并提高系统的动态性能,本文提出一种基于扩展移相调制混合优化控制方法。首先分析在扩展移相下变换器的工作模式和功率模型,通过拉格朗日优化算法获取电流应力最优的相移组合,并结合虚拟电压均衡控制方案,以应对负载突变或输入电压扰动状态,同时结合变换器的结构特征使用输入电压均值完成模块间功率的动态平衡。最后,将混合优化控制方法、基于单移相的虚拟功率控制和传统的扩展移相优化控制进行对比实验。实验结果证明了混合优化控制在功率均分的同时可以实现电流应力优化,提高能量传输效率,同时也显著地改善了变换器在扰动情况下的动态特性。

三重移相控制的DAB变换器多目标统一优化控制策略

针对双有源桥变换器存在电流应力大、全部开关管软开关实现困难以及动态响应慢的问题,提出1种基于三重移相控制的多目标统一优化控制策略。分析三重移相控制正向功率流的全局模式,选出其中3种高效率模式并建立电流应力和软开关解析模型。结合模型,采用成本函数优化方程推导不同模式下的最优移相比组合和最小电流应力,使开关管运行在零电压开关功率约束范围内。同时在效率优化过程中引入虚拟功率分量,构建小信号模型并阐明不同状态变量的小扰动对输出电压的影响较小。实验结果表明,所提控制策略可以在全功率范围内降低双有源桥变换器的电流应力且使所有开关管实现零电压开通,同时还能够提高输出电压的动态性能。

DAB变换器双重移相改进控制策略研究

为了优化双有源桥(DAB)变换器的电流应力,基于传统双重移相(DPS)调制方式,提出一种改进的双重移相(IDPS)调制方式。首先介绍了IDPS调制方式的工作原理,分析了其稳态下的工作特性,建立了电流应力关于传输功率的数学模型,接着采用拉格朗日乘子法求得了IDPS调制方式的电流应力最优值,并与传统的单重移相(SPS)和DPS调制方式对比分析。最后搭建实验平台验证了所提改进控制策略优化电流应力的有效性,同时提高了变换器的效率。

circTRIM33-12调控miR-191/DAB2轴对脑胶质瘤细胞增殖、凋亡及上皮-间质转化的影响

目的探讨circTRIM33-12通过miR-191/DAB2轴对脑胶质瘤细胞增殖、凋亡及上皮-间质转化(EMT)的影响及其作用机制。方法RT-qPCR法检测circTRIM33-12、miR-191和DAB2在脑胶质瘤细胞CHG-5和人正常脑胶质上皮细胞HEB中的表达。将培养的CHG-5细胞进行分组:siRNA NC组、circTRIM33-12 siRNA组、DAB2 siRNA组;mimics NC组、miR-191 mimics组;circ‐TRIM33-12 WT+mimics NC组、circTRIM33-12 WT+miR-191 mimics组、circTRIM33-12 MUT+mimics NC组、circTRIM33-12 MUT+miR-191 mimics组;inhibitor NC组、miR-191 inhibitor组;pcDNA+mimics NC组、pcDNA-TRIM33-12+mimics NC组、pcDNA+miR-191 mimics组、pcDNA-TRIM33-12+miR-191 mimics组;DAB2 WT+mimics NC组、DAB2 WT+miR-191 mimics组、DAB2 MUT+mimics NC组、DAB2 MUT+miR-191 mimics组。CCK-8实验检测circTRIM33-12、miR-191和DAB2的表达对CHG-5细胞增殖能力的影响;流式细胞仪检测circTRIM33-12、miR-191和DAB2的表达对CHG-5细胞凋亡的影响;Western blot检测circTRIM33-12、miR-191和DAB2的表达对CHG-5细胞EMT的影响。TargetScan数据库分析miR-191与DAB2、circTRIM33-12的关系,双荧光素酶报告基因实验验证其关系。RT-qPCR法检测circTRIM33-12通过miR-191对DAB2表达的影响。结果与HEB细胞相比,CHG-5细胞中circTRIM33-12的表达下调(P<0.01),miR-191表达上调(P<0.01),DAB2表达下调(P<0.01)。与siRNA NC组相比,circTRIM33-12 siRNA组和DAB2 siRNA组CHG-5细胞增殖活力、N-cadherin表达明显升高(P<0.01),细胞凋亡率、E-cadherin表达降低(P<0.01)。circTRIM33-12靶向miR-191,miR-191靶向DAB2。与inhibitor NC组相比,miR-191 inhibitor组CHG-5细胞增殖活力、N-cadherin表达明显降低(P<0.01),细胞凋亡率E-cadherin表达升高(P<0.01)。circTRIM33-12过表达通过miR-191抑制CHG-5细胞增殖与EMT。结论circTRIM33-12可能通过miR-191/DAB2轴调控脑胶质瘤细胞的增殖、凋亡与EMT。

DAB2IP基因及其相关信号通路在恶性肿瘤中的研究进展

DAB2IP是一种肿瘤抑制蛋白,能够调节各种致癌途径的细胞质步骤,DAB2IP最初被发现是RASGTPase(Ras-GAP)家族的成员,与肿瘤抑制因子DOC2/DAB2(卵巢癌-2/Disabled-2中差异表达)相互作用,转化细胞中DAB2IP的功能抑制有利于对多种细胞外输入的促癌反应。

考虑电流应力优化的ISOP-DAB变换器扰动均压控制策略

针对输入串联输出并联双有源桥(dual active bridge,DAB)变换器子模块内部参数不匹配导致的功率不平衡,以及单移相(single phase shift,SPS)控制下变换器工作效率低的问题,该文基于拓展移相(extended phase shift,EPS)控制提出一种扰动均压(disturbance voltage sharing,DVS)控制策略。通过建立EPS控制下的电流应力解析模型,求解最优电流应力对应下的内外移相比组合。进一步,设计逐级扰动方案,通过扰动模块的外移相比,对各模块内部参数失配时的输入电压进行补偿。DVS控制策略在实现串并联模块间功率平衡的前提下,降低变换器电流应力,从而提升变换器的工作效率。此外,由于无需在每个控制环路中增设输入电压传感器,系统结构更为简化,硬件成本更低。最后,通过仿真和实验验证了所提控制策略的正确性和有效性。

响应面法优化南方红豆杉中10-DAB提取工艺及其含量测定

为探究南方红豆杉(Taxus wallichiana var.mairei)中10-去乙酰基巴卡亭Ⅲ(10-DAB)的最佳提取工艺,本研究以南方红豆杉中10-DAB含量为指标,以料液比、提取时间及超声温度为考察因素,采用单因素试验结合响应面法优化10-DAB的提取工艺,并采用超高效液相色谱(UPLC)法检测不同采摘部位、不同生长年限及不同采收时节的10-DAB含量差异。结果表明,南方红豆杉中10-DAB的最佳提取工艺条件为料液比1∶15(g/mL)、提取时间23 min、超声温度40℃,该工艺条件下10-DAB的含量为1.18%,与理论值相对偏差为0.42%。UPLC检测结果表明,南方红豆杉叶的10-DAB含量显著高于枝和树皮,且10-DAB全年累积含量受季节影响明显,10月份达到最高值。该研究可为南方红豆杉中10-DAB的提取利用提供参考依据。

含ISOP-DAB变换器的中低压直流配电系统阻抗建模及稳定性分析

“双碳”目标下,高比例可再生能源和高比例电力电子设备成为中低压直流配电系统的主要特征,使得系统因其低惯量、弱阻尼的特性所引起的稳定性问题尤为突出。为此,针对含输入串联输出并联型双有源桥(ISOP-DAB)变换器的中低压直流配电系统进行阻抗建模并提出一种适用于中低压直流配电系统的稳定性分析方法。首先,建立了ISOP-DAB变换器的二端口阻抗模型以及其他单元的阻抗模型。在此基础上根据系统内各单元的端口特性将中低压直流配电系统等效为2个单母线直流子系统,并得到整个系统在中、低压侧的等效阻抗比,当且仅当该等效阻抗比满足奈奎斯特判据时,系统可稳定运行。最后,基于PSCAD/EMTDC平台搭建了含ISOP-DAB变换器的中低压直流配电系统的时域仿真模型,通过仿真实验以及理论计算对比分析了恒功率负载及线路参数对系统稳定性的影响。仿真结果验证了ISOP-DAB变换器的小信号模型以及所提稳定性分析方法的准确性和有效性。

独立输入并联输出模块化DAB变换器功率均衡优化控制

针对独立输入并联输出IIOP(input independent output parallel)模块化双有源桥DAB(dual active bridge)变换器,当各模块的参数不匹配或输入电压不相等时的功率均衡问题,基于双重移相DPS(dual phase shift)控制,提出了一种功率补偿均衡控制PCEC(power compensation equalization control)算法以提高变换器的动态性能及其效率,并实现模块化DAB变换器的传输功率均衡。此外,考虑到大传输功率情况下,为实现各模块的充分运用,补充提出了一种功率补偿协同控制PCCC(power compensation cooperative control)算法。最后,基于DSP28335的半实物仿真平台对所提出的功率均衡方案进行对比实验验证。

直流微电网DAB变换器和直流固态变压器的非线性控制策略

直流微电网中,当双有源全桥(DAB)变换器及直流固态变压器(DCSST)带恒功率负载运行时,恒功率负载负阻抗特性会对系统的稳定性造成不良影响。文中提出了一种基于非线性扰动观测器及反步控制的新型复合带恒功率负载直流变换器控制策略,推导得出DAB变换器和DCSST数学模型的布鲁诺夫斯基标准型,采用基于非线性扰动观测器的大信号非线性扰动估计方法作为前馈补偿提高输出电压调节的准确性,结合反步控制方法保证DAB变换器和DCSST在大信号扰动下的稳定性。实验结果表明,所提出的控制方法既能在大信号扰动下保证DAB变换器和DCSST的稳定性,又能在不同工况下保证快速动态响应和准确的电压跟踪。

改进DAB⁃DETR算法的非规则交通对象检测

非规则交通对象主要指任何在车辆行驶过程中可能对车辆行驶起到阻碍作用的物体,例如坑洼、落石、树枝等影响车辆正常驾驶的目标。针对道路中的非规则交通对象检测问题,提出一种基于改进DAB⁃DETR算法的非规则交通对象目标检测算法,经过对原始模型结构的分析,发现在图像特征输入编码器前加入绝对位置编码来弥补图像位置信息的缺失,只能隐式地表达特征间的相对位置信息,因此改进DAB⁃DETR在Transformer的编码结构中的多头自注意力机制中添加了针对图像的相对位置编码;其次发现在原始训练策略中,对得到的检测定位结果与类别信息进行二分匹配并计算损失值时,只是简单地将定位损失和分类损失加权求和,这样会导致性能下降,所以在训练策略中增加了将分类、定位损失集成在一个统一参数化公式中的AP损失函数。实验结果表明:改进DAB⁃DETR算法的检测精度达到了82.00%,比原始模型提高了3.3%,比传统模型Faster R⁃CNN、YOLOv5分别提高了6.20%、7.71%。

浅谈DAB数字广播与AM中波广播技术路线

本文旨在探讨DAB数字广播与AM中波广播的基本概念、工作原理、发射和接收方式的区别,收听体验分析和终端经济性分析以及在推广方面的优缺点。

基于双模式变频移相调制的单级式双有源桥型DC-AC变换器

针对单级式双有源桥(DAB)型DC-AC变换器关断电流较大和软开关范围有限的问题,该文提出一种双模式变频移相调制策略。首先,对DAB变换器的单移相(SPS)调制和扩展移相(EPS)调制进行时域分析,得到其功率传输特性;然后,分析变换器的关断电流与软开关条件,得到移相比和开关频率约束方程;在此基础上,分析双模式间的移相比边界条件,提出变换器运行模式的切换机制,从而在实现变换器单级功率变换的同时,保证全范围软开关并降低低压侧的关断电流;最后,通过仿真和实验验证了所提调制策略的有效性与可行性。

双有源桥变换器双移相控制动态特性优化方法

为了提高双移相控制的双有源桥DAB(dual active bridge)变换器负载切换的动态响应性能及减小电流应力,研究了1种改进型双移相NDPS(novel dual phase shift)控制方法,通过改变传统双移相TDPS(traditional dual phase shift)控制内移相角移动方向,重构了传输功率与移相比的关系,增大了移相比调节范围。研究了电流应力最小化条件下双移相控制最优移相比的求解方法,对比分析NDPS与TDPS控制方式负载切换时的动态响应特性。最后搭建了DAB变换器实验平台对理论分析进行实验验证,实验结果表明,轻载条件下,基于电流应力最小化方法得到的最优移相比组合可以有效减小电流应力,同时NDPS比TDPS控制方式有更好的动态响应特性。

基于序列二次规划算法的双有源桥变换器优化控制策略

针对双有源桥变换器在充电领域电路损耗大、传输效率低的问题,提出一种结合序列二次规划算法与双重移相控制实现回流功率优化的控制策略。首先,建立双有源桥变换器在双重移相控制时以回流功率最小值为目标函数的二次规划问题数学模型;然后,提出一种采用序列二次规划算法求解上述多约束、非线性的数学模型,在算法中输入目标、约束函数的雅可比矩阵和变换器的相关参数,通过迭代求解出满足双有源桥电路在双重移相控制下最优工况的目标参数;最后,通过仿真验证所提控制策略的有效性。

双有源桥DC-DC变换器三移相调制及其死区效应分析和补偿

针对双有源桥(DAB)变换器宽电压范围应用,该文研究一种全工况连续、表达形式统一、计算量小的三移相(TPS)调制策略,并分析其功率传输特性及软开关性能。结合工程应用中的非理想因素,对TPS调制不同开关模式下的死区效应及其边界进行研究,给出DAB宽电压范围运行时避免电压跌落和极性反转的约束条件。针对死区引入的移相比损失、软开关范围减小等问题,提出一种基于开关脉冲调整的死区补偿策略以补偿移相比损失,重新获取全工况软开关范围,降低死区引入的附加电流应力及损耗、提升效率。最后通过仿真和实验验证所提策略的有效性。

一种双有源桥变换器单侧非对称占空比调制策略

针对双有源桥变换器在单移相调制策略中宽电压范围情况下的低效率问题,文中提出了一种单侧非对称占空比调制策略,显著的提升了双有源桥变换器的效率,尤其是在轻载情况下。首先描述了单侧非对称占空比调制方式的原理,并根据控制自由度的关系得到了两种工作模式。第二,基于时域分析,推导了两种工作模式的稳态特性,包括电感电流以及传输功率。第三,为了寻求控制自由度的最优组合,选择电感电流峰峰值作为优化目标,应用KKT条件得到了最优的单侧非对称占空比调制策略。最后,搭建了一台基于碳化硅器件的双有源桥变换器实验平台,实验验证了单侧非对称占空比调制策略的有效性。

SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用

碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要。本文主要对比了Si C MOSFET、Si Cool MOS和IGBT的静态特性。并搭建了基于Buck变换器的测试平台,测试条件为输入电压为400V,电流为4~10A,对比了三种器件的开关波形、开关时间、开关损耗、dv/dt、di/dt以及内部二极管的反向恢复特性。设计了一台2k W的双主动全桥(DAB)变换器的实验样机,对比了应用三种器件的DAB变换器的理论效率和实测效率。