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DB3S双触发二极管的失效分析
1
作者
翁寿松
黄英
《电子产品可靠性与环境试验》
1997年第5期19-21,共3页
本文论述了DB3S双触发二极管的原理、电性能、失效模式和失效机理,并提出改进办法。
关键词
双触发二极管
失效分析
db3s
下载PDF
职称材料
题名
DB3S双触发二极管的失效分析
1
作者
翁寿松
黄英
机构
中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂
中国华晶电子集团公司中央研究所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1997年第5期19-21,共3页
文摘
本文论述了DB3S双触发二极管的原理、电性能、失效模式和失效机理,并提出改进办法。
关键词
双触发二极管
失效分析
db3s
分类号
TN131.203 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
DB3S双触发二极管的失效分析
翁寿松
黄英
《电子产品可靠性与环境试验》
1997
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