阿斯顿·马丁发布DBRS9 GT

阿斯顿·马丁赛车部发布一款新赛车DBSR9以进军俱乐部和国际赛车行列。它基于DB9道路版，和GT1 DBR9有着许多共同的特征。铝合金底盘和DBR9防滚箱，6．0LV12引擎可产生550hp的最大输出功率。同时由于复合材料和聚碳酸酯侧、后车窗的使用，其车重显著减少，只有480千克；其装备的6速H形变速器具有全新的齿轮比；双交叉式悬挂配有调整式Koni避震器和僵硬的弹簧，

DBL视域下的儿童编程教学模式及其效果验证:一项基于设计的研究

基于设计的学习(Design-Based Learning,DBL)起源于学习科学领域,强调迭代设计与开发,与儿童编程教学的契合度较高,可为儿童编程教学模式的革新与学生问题解决能力的提升提供依据。基于此,文章首先构建了DBL视域下的儿童编程教学模式雏形,随后运用基于设计的研究方法进行两轮迭代实验,对模式雏形进行优化后得到DBL视域下的儿童编程教学模式。最后,文章利用准实验研究法检验此模式的有效性,结果表明:DBL视域下的儿童编程教学效果优于传统编程教学,且DBL视域下的儿童编程教学与传统编程教学在提升学生问题解决能力方面存在显著差异;DBL视域下的儿童编程教学模式有助于学生形成问题解决思路并学会反思,在教学实践中展现出了良好的适应性。文章以设计为主线,助推儿童编程教学模式革新,可为有效提升儿童的问题解决能力提供有价值的理论指导和实践参考。

增厚DBR型894 nm窄线宽VCSEL

垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSEL表面反射谱,将VCSEL中4层下分布式布拉格反射镜(DBR)的厚度由常规的四分之一波长增加至404 nm,压缩了VCSEL冷腔线宽,并生长了对应的外延结构,制备了通过增厚DBR扩展有效腔长的894 nm窄线宽VCSEL。测试结果表明,研制的VCSEL在90℃下波长为893.1 nm,功率为0.335 mW,线宽约为32 MHz,且具有稳定的偏振特性。

表面菱形孔795 nm VCSEL的偏振特性

795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为铷基芯片级原子钟(Rb-CSAC)的光源,其输出光的偏振不稳定会降低Rb-CSAC的稳定度和精确度。为了满足Rb-CSAC对795 nm VCSEL偏振稳定的需求,设计了一种具有表面菱形孔的偏振稳定的795 nm VCSEL。通过有限时域差分(FDTD)法计算了VCSEL的偏振特性,结果表明VCSEL的顶部分布式布拉格反射镜(DBR)在表面菱形孔的长轴和短轴方向具有不同的反射率。反射率高的偏振模式阈值增益低,成为VCSEL优先激射的主导偏振模式。为进一步提高VCSEL的偏振抑制比(OPSR),将VCSEL的氧化孔制作成尺寸为5.5μm×4.1μm的菱形。对不同长、短轴的表面菱形孔795 nm VCSEL进行偏振测试,结果表明,当表面菱形孔的尺寸为4μm×6μm,且菱形氧化孔的长轴与表面菱形孔的长轴相互垂直时,VCSEL的OPSR可达到16.22 dB。

微纳级GaN基VCSEL中周期反射结构与电子阻挡层的设置作用分析

氮化镓(GaN)基微纳米结构生长技术的成熟为微纳级GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的制备提供了新的途径。本文设计了基于GaN基轴向异质结微纳米柱的微纳级VCSEL结构,采用Al_(0.8)Ga_(0.2)N/In_(0.2)Ga_(0.8)N应变补偿结构作为上下分布式布拉格反射镜(DBR),其中Al_(0.8)Ga_(0.2)N层的Al组分远高于传统结构中的电子阻挡层(EBL),能够更好地起到电子阻挡的作用。本文使用商用软件PICS3D构建了电子阻挡层处于不同位置的VCSEL数理模型,并进行数值模拟计算,探索和分析物理机理,解释了不同位置EBL对空穴注入效率的影响。结果表明,采用Al_(0.8)Ga_(0.2)N与In_(0.2)Ga_(0.8)N组成的应变补偿DBR可以更好地提高空穴注入效率,优化器件光电性能。

司法鉴定视域下嵌入式DVR系统的数据恢复可行性探究

目的嵌入式数字视频录像机(digital video recorder,DVR)系统中的多媒体(视频/音频)数据往往是电子数据司法鉴定领域的重要证据,然而在司法鉴定实践中,DVR被意外删除、恶意删除或遭受损坏导致DVR中数据无法访问的现象屡见不鲜,这无疑使得电子数据鉴定过程变得更加困难。方法结合司法鉴定工作实务,主要以存储于Micro SD卡中无法访问的DVR视频文件为例,开展了基于文件分配表(file allocation table,FAT)32文件系统和H.264相关文件格式的DVR数据恢复研究。结果通过探讨的两种方法恢复的视频文件可以正常访问,同时还可通过运行脚本文件实现DBR的自动重建。结论探讨的两种方法可有效恢复FAT32文件系统的DVR数据和H.264格式的DVR数据。此外,通过运行脚本文件自动重构DBR,可有效提高司法鉴定效率。相关鉴定技术的研究对嵌入式DVR视频的鉴定技术研究具有重要的理论研究意义和实践应用价值。

基于仿真的车灯装配线缓冲区优化配置

车灯装配线的生产过程中,各工序的节拍差异和设备故障会导致平衡率和OEE下降。引入DBR方法和爱尔朗分布,研究工站间缓冲区优化配置。借助Factory Simulation软件建立车灯装配生产线的仿真模型,配置不同容量的缓冲区。分析生产线的设备利用率、产出等信息,根据结果调整装配线布局,可以实现缓冲区优化配置,进而提升整条产线的综合效率。

基于DBR结构的蓝光及白光GaN LED的制备及光学性能改善

为改善GaN基发光二极管(LED)的光学性能,设计并制备了具有高反射率与宽反射带宽的SiO_(2)/Ti3O5分布式布拉格反射镜(DBR)结构的蓝光和白光GaN LED。制备了具有不同周期数的DBR结构,其中,17周期DBR结构在400~660 nm波长内平均反射率超过99.3%,其反射带宽度达到231 nm。测试并比较了封装后的基于DBR结构的LED芯片的电学与光学特性。通过电流-光输出功率(I-L)特性测试,发现具有17周期DBR结构的蓝光LED的光输出功率比5周期的提升了6.7%,而白光LED的光输出功率则提升了9.7%。在约100 mA的直流注入电流下,蓝光和白光LED的最大光输出功率分别达到134.9 mW和108.4 mW。

基于设计的幼儿园STEM教学模式构建研究

多方面的研究表明,尽早开始实施STEM教育,可以有效地提升幼儿的综合素质,促进幼儿的全面发展。高质量的课程与教学是推动学前STEM教育发展的关键,也是当前研究存在的不足之处。采用基于设计的研究方法,通过原型构建和三轮迭代优化的过程,形成了基于工程设计过程的幼儿园STEM教学模式(ED-ES模式)。研究结果显示,ED-ES模式充分体现了幼儿园STEM课程的各项核心要素,有助于促进幼儿问题解决能力、创造力和学习品质等多方面能力素养的发展。

基于DBR光纤激光传感器的超声与温度双参量测量研究

介绍了一种基于DBR光纤激光传感器同时测量超声与温度的双参量测量方法。通过对光纤DBR激光传感器中,由双折射效应产生的两种非简并偏振模式拍频的调制,同时获得温度与超声的测量信息。文中首先基于DBR光纤激光传感器偏振外差技术测量的基本理论,分析其在温度信号调制和超声信号调制下的测量原理。然后,设计温度与超声测量实验,得到不同温度下DBR光纤激光传感器的频谱输出,以及同一温度下(34.9℃),两种超声信号(5 MHz和7 MHz)的频率调制输出。最后,实验论证了不同超声信号在不同温度下的双参量测量输出。本文通过理论与实验的对比分析,表明了DBR光纤激光传感器在超声信号测量的同时,还可以实现温度信号的测量,10 MHz以内温度灵敏度均值0.116 MHz/℃。

MRPⅡ系统中TOC的研究及应用

通过分析传统MRPII系统存在的局限 ,并简要介绍TOC管理思想与DBR方法 ,就MRPII与TOC的结合做初步探讨 ,进而在TOC哲理的基础之上提出一种MRPII与TOC相结合的生产计划与控制系统的实现模型。

镜面起伏对1.55μm Si基MEMS光滤波器的影响

用传输矩阵方法 ,在简化的光学模型基础上 ,分别讨论了分布式Bragg反射镜DBR(DistributedBraggReflector)的生长精度及镜面起伏对 1.5 5 μmSi基MEMS (Micro Electro Mechanical System)可调谐光滤波器透射谱的影响 计算表明 :DBR生长误差仅使主透射峰位置发生变化 ,而镜面起伏是导致主透射峰性能劣化的主要原因 ,它使得FWHM增大 ,透射峰强度下降 理论计算结果能较好地解释实验现像 在此基础上 ,进一步讨论了引起镜面起伏的多种原因 。

窄线宽半导体激光器件

分布反馈半导体激光器的线宽一般较大,难以满足光纤传感等领域的要求。根据C.H.Henry于1982年提出的半导体激光器的线宽理论,通过适当设计DFB半导体激光器的腔长、耦合系数、微分增益、光限制因子,能有效地减小激光器的线宽。同时,空间烧孔现象也可限制DFB半导体激光器的线宽,为此需要合理设计光栅结构。在此基础上,DFB激光器的线宽能达到几十千赫兹的量级。此外,采用DBR结构或者外腔结构,也可以获得相当窄的线宽。

垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

通过对一种微分量子效率可以大于 1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器 (VCSELs)结构 ,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较 ,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势。

基于约束理论的混流生产调度研究

提出了一种基于离散系统建模仿真方法的DBR(鼓-缓冲-绳子)改进方法,通过建立仿真模型并运行仿真模型来识别瓶颈资源,从而确定缓冲位置;采用模拟退火算法优化和确定相应的DBR控制参数,进而确定瓶颈资源和非瓶颈资源排程。实例计算表明,该方法能够有效优化和确定DBR生产控制参数,提高系统效率。

GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.

基于DBR理论的突发事件中应急资源动态调度方法研究

突发事件中应急资源动态调度最突出的特征表现在处于动态性、不确定性、时效性和复杂性的环境中,这使资源优化调度受到多种因素的影响,很难得到最优解。在分析应急资源系统特征的基础上,将该类问题描述为存在瓶颈环节的动态FJSP问题,提出了基于DBR理论的方法进行优化调度。首先建立反映应急资源特征的数学模型;接着运用DBR理论对应急资源系统进行简化,分解为瓶颈和非瓶颈资源,并利用混合重调度策略和启发式算法对问题求解;然后设置缓冲区域,协调瓶颈与非瓶颈资源的调度,使任务的完成时间损失最小化,从而实现应急资源的动态调度。最后通过实例仿真结果证明了该算法的可行性和有效性。

DBR技术中确定缓冲大小的模型

ＤＢＲ生产计划与控制技术是制约因素理论（ＴＯＣ）应用于企业生产系统管理的具体工具。ＤＢＲ技术中缓冲保护大小的确定将直接影响产品的出产提前期和企业的有效产出，从而最终将直接影响产品的市场竞争力。本文对缓冲保护设置及其大小的确定作了详细的研究。

垂直腔面发射激光器DBR的优化设计

模拟分析了垂直腔面发射激光器分布布拉格反射镜铝组分不同分布对价带的影响,并对两种不同结构的器件进行了测试,测试结果表明抛物线渐变结构可以有效降低价带的势垒,进而可以改善垂直腔面发射激光器的电流热效应,为实现室温连续工作打下基础。

小拟南芥双键还原酶基因OpDBR的克隆及表达分析

从小拟南芥,又名无苞芥(Olimarabidopsis pumila,异种名Arabidopsis pumila)幼苗叶片c DNA文库中获得1条与拟南芥烯醛双键还原酶基因At DBR1(Gen Bank登录号为NP_197202.2)高度相似的EST序列,该序列包含1个1041 bp的最大开放阅读框(ORF),推测编码346个氨基酸(Gen Bank登录号为KU845686)。利用RT-PCR技术从小拟南芥叶片的c DNA中克隆了该基因,命名为Op DBR。比对分析结果表明,该基因属于中链还原/脱氢酶(medium chain reductase/dehydrogenases,MDR)超级家族,具有double bond reductase-like保守蛋白结构域;该蛋白的二级结构包含106个α-螺旋和48个β-转角。系统进化树分析结果表明,Op DBR编码产物与预测的亚麻芥烯醛双键还原酶(Gen Bank登录号为XP_010492631.1)遗传关系最为接近,属于同一进化分支。实时荧光定量RT-PCR(q RT-PCR)结果显示,Op DBR在小拟南芥的不同组织中都有表达,茎中表达量最高,根中最低。其在200 mmol/L Na Cl、4℃、100μmol/L ABA、20%PEG-6000处理下的表达结果分析显示,该基因可能在小拟南芥应对逆境胁迫时起着重要作用。