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题名间歇生长模式高甲烷浓度制备纳米金刚石膜
被引量:2
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作者
姜宏伟
彭鸿雁
陈玉强
祁文涛
王军
曲晏宏
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机构
牡丹江师范学院新型炭基功能与超硬材料省重点实验室
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出处
《材料导报(纳米与新材料专辑)》
EI
2010年第1期67-70,共4页
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基金
黑龙江省教育厅2009科学技术研究面上项目(11541377)
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文摘
采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜。金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为20min,总的沉积时间为6h。采用拉曼光谱仪、SEM和XRD分析仪对样品进行了分析,结果显示样品具有纳米金刚石膜的基本特征。研究表明,在高甲烷浓度条件下,直流热阴极PCVD间歇生长模式可有效去除生长腔内的游离碳成分,实现正常放电激励,维持正常生长,制备出纳米金刚石膜。
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关键词
直流热阴极pcvd
高甲烷浓度
纳米金刚石膜
间歇式
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Keywords
dc hot-cathode pcvd, high methane concentration, nanocrystalline diamond film, intermittent deposition mode
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分类号
O613.71
[理学—无机化学]
TQ163
[化学工程—高温制品工业]
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