矩阵整流器输入与输出滤波器特性的研究

矩阵整流器是一种真正的降压型四象限AC-DC变换器,可以用在各种三相电压供电的直流电源领域。鉴于矩阵整流器采用波形高频合成原理实现输入电压-输出电压的变换和输出电流-输入电流的变换,并非纯硅变换器,输入LC滤波器与输出LC滤波器的设计至关重要,并决定着整流器系统的功能、性能和可靠性。在理论分析矩阵整流器与电流源PWM整流器具有共同变换本质的基础上,采用电路DQ转换方法,建立输入LC滤波器-矩阵整流器-输出LC滤波器系统的DC等效电路,重点分析了DC特性高低对滤波器参数设计要求,进而给出设计原则和参数选择公式,并进行实验验证。

SIMULATION STUDY OF CHAOS IN DC-DC CONVERTER

A DC DC buck converter c on trolled by naturally sampled, constant frequency PWM is considered. The existe nce of chaotic solutions and the output performance of the system under differen t circuit parameters are studied. The transforming pattern of system behavior fr om steady state to chaotic is discovered by the cascades of period doubling bi furcation and the cascades of periodic orbit in V I phase space. Accordingl y, it is validated that change of values of the circuit parameters may lead DC DC converter to chaotic motion. Performances of the output ripples fro m steady state to chaotic are analyzed in time and frequency domains respective ly. Some important conclusions are helpful for opt imization design of DC DC converter.

AlGaN背势垒对SiC衬底AlN/GaN HEMT器件的影响

利用相同器件工艺在两种不同材料结构上制备了Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了Al Ga N背势垒结构对器件特性的影响。测试结果表明,有背势垒结构的器件最大饱和电流密度和峰值跨导要小于无背势垒结构器件,栅压偏置为+1 V时,无背势垒的Al N/Ga N HEMT器件最大饱和电流密度为1.02 A·mm-1,峰值跨导为304 m S·mm-1,有背势垒结构的器件饱和电流密度为0.75 A·mm-1,峰值跨导为252 m S·mm-1。有背势垒结构器件的亚阈值斜率为136 m V/dec,击穿电压为78 V;无背势垒结构器件的亚阈值斜率为150 m V/dec,击穿电压为64 V。栅长为0.25μm有背势垒结构的器件电流截止频率高于无背势垒结构器件,最高振荡频率要低于无背势垒结构的器件。

文化纸白水中溶解物质和胶体物质的来源分析及表征

分析了高度封闭循环的文化纸生产线白水系统中溶解物质和胶体物质（ dissolved and colloidal substances，简称DCS）的来源，并对DCS的基本特性进行了表征。通过离心－抽提法分离白水中的DCS，用GC－MS分析其MTBE抽出物的化学组成，采用显微镜及激光粒度仪分析DCS的形态特征；利用凝胶渗透色谱法及热重分析仪研究DCS的分子质量分布及热失重特性。结果表明：造纸白水中的DCS主要来源于涂布胶乳、消泡剂、分散剂、表面施胶剂、荧光增白剂等湿部助剂的失效或水解产物，而木质素降解产物很少；DCS中的胶体物质主要以絮团形式分散在白水中或吸附在填料和纤维表面，粒径大多在500-4000 nm之间；DCS的分子质量主要分布在＜1400 u和＞12600 u两个区间，选用10 ku的超滤膜有望分离其中的大分子质量的物质；DCS热裂解温度为100-700℃。