DC磁控溅射沉积WO_3电致变色薄膜

采用直流磁控反应溅射工艺制备了WO_3薄膜,在初始状态和注入Li离子后的平均透射率分别为83%和6%,变化接近77%,表明该WO_3薄膜样品具有很好的电致变色性能。根据薄膜的透射率和反射率分别计算了WO_3薄膜的光学带隙:非晶WO_3薄膜的带隙为3.31eV,多晶WO_3薄膜的带隙为3.22eV。

直流溅射ZnO导电靶制备ZnO:Al透明导电薄膜

利用直流(DC)磁控溅射导电率良好的ZnO:Al陶瓷制备ZnO:Al透明导电薄膜。在不同的温度下对靶的溅射得到的薄膜进行X-ray、AFM、霍尔系数的测量等的分析,研究了溅射温度对膜的薄膜结构电学和光学性能的影响。制得的薄膜均为(002)面的单一择优取向,且当温度为300℃时,有最低的电阻率为6.33×10-4Ωcm。薄膜在可见光部分的透射率都在80%以上。

用RF/DC Move Mag法淀积的彩色滤光用低电阻率ITO薄膜

对ＭｏｖｅＭａｇ阴极（旨在提高靶利用率）叠加ＲＦ的ＤＣ磁控溅射方法所淀积的低电阻率ＩＴＯ膜的结果进行了讨论。实验是在一个串级溅射系统ＡＲＩＳＴＯ５００Ｓ上进行的，可用基片面积高达５７０×１３５０ｍｍ２，在基片温度２００℃及靶利用率高于４０％的条件下，在玻璃（浮法玻璃）上得到电阻率小于１５０μΩｃｍ的ＩＴＯ薄膜。

工艺条件对柔性衬底ITO薄膜光电性能的影响

采用直流磁控溅射法在柔性衬底上镀制ITO透明导电薄膜,全面研究了薄膜厚度、氧气流量、溅射速率、溅射气压和镀膜温度等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响。结果表明,当膜厚大于80nm、氧氩体积比为1∶40、溅射速率为5nm/min、溅射气压在0.5Pa左右、镀膜温度为80～160℃时,ITO薄膜的光电性能较好,其电阻率小于5×10–4?·cm、可见光透光率大于80%。

高速钢镀氮化碳超硬涂层及其应用研究

本文采用DC 反应磁控溅射和电弧离子镀相结合的方法在高速钢上沉积氮化碳-氮化钛复合膜,经X射线衍射分析,复合膜中存在a-C3N4和b-C3N4的硬质相。复合膜的显微硬度 HK=50.5—54.1GPa,它与高速钢基体的附着力,用划痕试验测得临界载荷Lc=40—80N。多种刀具试用证实,该涂层具有很高的耐磨性,与未涂层和镀TiN的刀具相比,大幅度提高了刀具的耐用度。

高速钢刀具镀氮化碳超硬涂层研究

本文采用DC反应磁控溅射和电弧离子镀相结合的方法在高速钢上沉积氮化碳－氮化钛复合膜，经X射线衍射分析，复合膜中存在α-C3N4和β－C3N4的硬质相，复合膜的显微硬度HK＝（50．5－54．1）GPa，它与高速钢基体的附着力，用划痕试验测得临界载荷Lc=(40-80)N，多种刀具试用证实，该涂层具有很高的耐磨性，与未涂层和镀TiN的刀具相比，大幅度提高了刀具的耐用度。

Mo2N薄膜电极的制备与电化学性能

采用直流磁控溅射法在铜箔上制备具有面心立方晶型(fcc)的γ-氮化钼(γ-Mo2N)薄膜电极。通过XRD、SEM、透射电子显微镜及恒流充放电等测试,分析氩气(Ar)与氮气(N2)体积比对Mo2N薄膜电极形貌及电化学储锂性能的影响。当Ar∶N2的体积比为4∶1时,制备的Mo2N薄膜电极(记为Mo2N-4)具有最佳的电化学储锂性能,在1000μA/cm^2下仍有87μAh/cm^2的可逆容量密度。这归因于Mo2N-4薄膜电极的多孔的纳米柱阵列形貌有利于电解液的扩散及离子的迁移。