1μm栅HEMT DCFL门电路及环形振荡器的设计与实验研究

利用作者提出的HEMT DCFL倒相器直流传输特性及瞬态特性计算机分析的模型,设计并制成了HEMT DCFL门电路及环形振荡器.在电路设计中,重点讨论了E/D NEMT倒相器的电路性能与器件的主要参数(栅长、栅宽、阈压)间的理论关系.工艺研究中,建立了挖栅时沟道饱和电流Is′与阈压值V_(t^h)间关系的理论曲线,并改进了传统化学湿法刻蚀工艺的阈压均匀性及E,D器件电流匹配的控制精度.实验制作了栅长为1μm的增强型和耗尽型HEMT.在1×1mm范围内,阈压偏差小于50mV,E/D倒相器的传输特性为:V_(OH)≈V_(DD),V_(OL)<0.1V,高、低电平转换范围仅0.1V,噪容达0.3V左右.研制的9级、17级环形振荡器,在V_(DD)为0.5V到3.5V范围内都观察到正弦波振荡波形.

HEMT DCFL倒相器的模拟分析

本文对HEMT DCFL倒相器直流传输特性及瞬态特性进行了模拟分析.在HEMT单管特性分析中,利用了K.Park的I-V特性分析模型,通过对E/D倒相器的驱动管与负载管工作区域的划分,讨论了电压传输过程中三个不同的工作区;模拟瞬态特性时,分别考虑了电流充放电过程中驱动管和负载管的不同工作状态,较为正确地算出了延迟时间;模拟结果与实验及理论分析吻合.

GaAs DCFL电路研究

给出了对ＤＣＦＬ电路单元的研究，包括电路设计和用先进的Ｐ埋层自对准栅工艺制作电路的实验结果。表明它可以适用于大规模ＧａＡｓＤＣＦＬ电路的设计和制造。

GaAs IC“与或非”逻辑DCFL单元模拟器及优化设计

报道了高速GaAsIC“与或非”逻辑直接耦合逻辑（DCFL）单元电路特性模拟器及应用贪心算法进行电路工艺及几何尺寸优化设计。模拟器及优化设计方法对于研制大规模GaAsIC具有意义。

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。

带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计

设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱动电路采用直接耦合场效应晶体管逻辑(Direct Coupled Field Effect Transistor Logic,DCFL)式逻辑电路,具有结构简单、功耗低的优点。版图经过合理布局后,芯片尺寸为1.5 mm×2 mm。测试结果表明:在DC-18 GHz频段内,芯片插入损耗小于3.5 dB,隔离度大于50 dB。芯片采用5 V/0 V逻辑控制,开关速度小于8 ns,1 dB压缩输入功率23 dBm。

带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计

采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm。测试结果表明,在12~18GHz,芯片可以实现最大衰减量为31.5dB,步进为0.5dB的衰减量控制。衰减64态均方根误差小于0.6dB,附加相移-2°~2.5°,插入损耗小于6.1dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。

一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器

微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。

2017年斗山装载机代理商年会举行

12月9日上午，以“思过往·谋未来”为主题的2017年斗山装载机代理商年会开幕。斗山各部门领导分别针对2017年斗山装载机销售政策、PS／AM政策、DCFL融资政策、6T车辆以及大型机进行了系统介绍，并与代理商面对面答疑解惑，共同探讨如何拓宽装载机销售渠道，为客户提供品质更优的产品。

HEMT集成电路基础研究

本文介绍了高电子迁移率晶体管(HEMT),赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)和用它们做的直接耦合场效应逻辑电路(DCFL)的结构、设计和制造。由11级环形振荡器测得在室温下的最小传播延迟时间是69～78ps/门,相应功耗0.8～0.3mW/门。

LD包层抽运光纤激光器抽运方式的理论分析

本文通过数值分析研究了 L D抽运方式对双包层光纤激光器增益特性及光纤内光功率分布的影响。结果表明 ,两端抽运可以显著降低光纤注入端的功率密度 ,同时能够保证光纤内功率和增益分布的均匀性 。