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1.3μm DCPBH激光器的千兆赫直接调制
1
作者
张位在
方祖捷
《光通信技术》
CSCD
1989年第4期37-38,共2页
本文报到了1.3μm激光器的射频直接调制实验;获得了频率为1GHz、脉宽小于120Ps,调制度为80%的实验结果。并对DCPBH激光器结构对调制特性的影响进行了讨论。
关键词
半导体激光器
射频直接调制
dcpbh
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职称材料
双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析
被引量:
2
2
作者
段利华
方亮
+4 位作者
周勇
周雪梅
韩伟峰
罗庆春
黄茂
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期342-345,共4页
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
关键词
双沟平面掩埋异质结
液相外延
漏电流
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职称材料
具有锥形波导吸收区的高功率1.3μm超辐射发光二极管的设计
3
作者
白冬菊
陈维友
刘式墉
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
1992年第11期1-3,共3页
提出用束传播法设计具有锥形波导吸收区的超幅射发光二极管(SLD)。针对用液相外延生长的InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结SLD,给出SLD性能随锥角、锥形区长度及有源区宽度变化的关系。在此基础上,选出一组最佳参数,假定锥形区后端面反射率...
提出用束传播法设计具有锥形波导吸收区的超幅射发光二极管(SLD)。针对用液相外延生长的InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结SLD,给出SLD性能随锥角、锥形区长度及有源区宽度变化的关系。在此基础上,选出一组最佳参数,假定锥形区后端面反射率为1.0,忽略吸收区的吸收,得到由吸收区后端面反射耦入有源区的波的强度仅为有源区前端面入射波强度的4%。
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关键词
束传播法
发光二极管
设计
半导体
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职称材料
题名
1.3μm DCPBH激光器的千兆赫直接调制
1
作者
张位在
方祖捷
机构
中国料学院上海光机所
出处
《光通信技术》
CSCD
1989年第4期37-38,共2页
文摘
本文报到了1.3μm激光器的射频直接调制实验;获得了频率为1GHz、脉宽小于120Ps,调制度为80%的实验结果。并对DCPBH激光器结构对调制特性的影响进行了讨论。
关键词
半导体激光器
射频直接调制
dcpbh
Keywords
Long wevelength semiconductor laser
RF direct modulation
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析
被引量:
2
2
作者
段利华
方亮
周勇
周雪梅
韩伟峰
罗庆春
黄茂
机构
重庆大学物理学院应用物理系
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期342-345,共4页
文摘
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
关键词
双沟平面掩埋异质结
液相外延
漏电流
Keywords
dcpbh
LPE
current leakage
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
具有锥形波导吸收区的高功率1.3μm超辐射发光二极管的设计
3
作者
白冬菊
陈维友
刘式墉
机构
集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学系
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
1992年第11期1-3,共3页
基金
八六三计划资助课题
文摘
提出用束传播法设计具有锥形波导吸收区的超幅射发光二极管(SLD)。针对用液相外延生长的InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结SLD,给出SLD性能随锥角、锥形区长度及有源区宽度变化的关系。在此基础上,选出一组最佳参数,假定锥形区后端面反射率为1.0,忽略吸收区的吸收,得到由吸收区后端面反射耦入有源区的波的强度仅为有源区前端面入射波强度的4%。
关键词
束传播法
发光二极管
设计
半导体
Keywords
BPM
Effective Refranctive Index Method
SLD
dcpbh
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1.3μm DCPBH激光器的千兆赫直接调制
张位在
方祖捷
《光通信技术》
CSCD
1989
0
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职称材料
2
双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析
段利华
方亮
周勇
周雪梅
韩伟峰
罗庆春
黄茂
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
下载PDF
职称材料
3
具有锥形波导吸收区的高功率1.3μm超辐射发光二极管的设计
白冬菊
陈维友
刘式墉
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
1992
0
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职称材料
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