GaAs单片集成C波段低噪声FET放大器

南京电子器件研究所于1988年研制成功砷化镓单片集成C波段单级低噪声FET放大器。采用全集总电路结构,包含全部匹配电路,芯片尺寸0.63×0.84×0.2mm。在3.7～4.2GHz频率下测试,带内增益大于10dB,噪声系数小于2.5dB。