DG合金电阻性能的影响因素

采用粉末冶金方法，制备了用于电力电子半导体支撑板的一种新型的ＦｅＮｉ／Ｃｕ复合材料（简称ＤＧ合金），详细研究了ＤＧ合金，电阻性能的各种影响因素———铜含量、烧结温度、ＦｅＮｉ粉和铜粉的粒度、Ｃｕ纤维的长径比。实验结果表明：ＤＧ合金的电阻率不仅与铜含量有关，还与ＦｅＮｉ与Ｃｕ相的界面扩散、分布形态、结合强度有关。

烧结工艺对DG合金组织和性能的影响

采用粉末冶金技术制备了一种低膨胀高导热支撑材料（简称ＤＧ合金），研究了烧结工艺对合金组织和性能的影响。结果表明，随烧结温度的升高和烧结时间的延长，材料抗拉性能增强，电导性能下降，１００℃时的热膨胀系数降低。合金性能的变化与烧结过程中组元的自扩散和互扩散密切相关。

新型电力半导体器件支承板材料——DG 合金

采用粉末冶金技术，在精密合金中加入适量的铜，制成低膨胀高导热合金（ＤＧ合金），以替代钼作为器件的支承板。