超高亮度InGaAlP 590 nm LED管芯设计

根据发光波长、化合物半导体的能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结各层的ｘ，ｙ值组成、掺杂浓度、厚度等整个ＬＥＤ的管芯结构。这种新颖的ＧａＰ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＰ（衬底）管芯结构，对５９０ｎｍ峰值波长全透明，比ＧａＰ或ＧａＡｌＡｓ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＡｓ（衬底）管芯结构的出光率高出两倍，其外量子效率不小于６％。

A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析

鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.

γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度（τ/τ0）讨论了有关结果。

高亮度GaAlAs／GaAs双异质结红色发光二极管

报道了高亮度ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双异质结红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在２０ｍＡ工作电流下，最大发光强度约５００ｍｃｄ。

GaAlAs双异质结高亮度红色发光二极管研究

本文报导了为提高ＧａＡｌＡｓ双异质结红色发光二极管的量子效率所采取的技术及初步研究成果。已研制成的高亮度红色ＬＥＤ的发光强度为４００ｍｃｄ，由于电极制作技术的改进，其正向电压降低于国外同类产品。